FAN5078 DDR / ACPI调节器组合
2006年5月
FAN5078
DDR / ACPI调节器组合
特点
PWM稳压器为VDDQ （ 2.5V或1.8 ）
线性LDO稳压器产生VTT = VDDQ / 2 ，
1.5A峰值吸入/源出能力
AMT / M-国家支持
控制产生5V USB
ACPI驱动和控制5V双代
3.3V内部LDO为3V- ALW代
300 kHz的固定频率开关
R
DS （ ON）
电流检测或可选的电流检测电阻
精密过电流检测
内部同步启动二极管
常见的电源良好信号，所有电压
输入欠压锁定（UVLO ）
热关断
锁存多故障保护
精密基准电压输出ULDO控制器
24引脚5× 5 MLP封装
描述
该FAN5078 DDR内存稳压器结合了高
效率的脉宽调制（ PWM ）控制器
生成所述存储器的电源电压， VDDQ，以及一个线性
稳压器来产生终端电压（ VTT ） 。
同步整流提供了高效率，宽
负载电流范围内。效率是通过使用进一步提高
低侧MOSFET的
DS （ ON）
感测电流。
VDDQ输入的PWM调节器是一个采样的电流模式控制
与外部补偿，实现快速负载瞬态
响应并提供系统优化设计。
在VTT稳压器获得它的引用。它的力量
从VDDQ PWM稳压器，输出。在VTT终端
稳压器能输出或者吸收1.5A的峰值电流。
在S5 M1模式下， VDDQ切换器， VTT稳压器，以及
3.3V稳压器留在。 S3模式将保持这些稳压器
上，又打开一个外部P沟道提供5V
USB 。
一个单一的软启动电容能使控制的压摆率
无论VDDQ和3.3V - ALW输出。
PGOOD在S0为真只有在所有监管机构
实现稳定的输出。
在S5中（EN = 0）时， 3.3V的内部LDO撑上，而另一个
监管机构关闭。
应用
DDR VDDQ和VTT电压的产生与ACPI
支持
台式电脑的
服务器
订购信息
产品型号
FAN5078MPX
温度范围
-10 ° C至85°C
包
MLP- 24的5x5mm
填料
磁带和卷轴
2006仙童半导体公司
FAN5078版本1.0.0 06年5月9日
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FAN5078 DDR / ACPI调节器组合
表1. BOM为图1
REF 。
Q1
Q2
Q3
Q4, Q6
Q5
Q7
C12,C15
C13
C14
C2
C4, C8
C3, C5
C6
C7
C9
CIN
COUT
L1
L2
R1,R2,R3,R9,R10
R4
R5
R6
数量说明
1
1
1
2
1
1
2
1
1
1
2
2
1
1
1
4
3
1
1
5
1
1
1
NFET ， 30V ， 50A ， 9mΩ ， DPAK
NFET ， 30V ， 85A ， 5mΩ的， DPAK
NFET ， 30V ， 58A ， 11MΩ ， DPAK
PFET ， 20V ， 5.5A ， 30mΩ到， SSOT6
NFET ， 20V ， 6.2A ， 20MΩ ， SSOT6
NFET ， 30V ， 30A ， 22MΩ ， DPAK
330UF ， 10V ，20％， 110mΩ
10nF电容， 50V ， 10 ％ ， X7R
为3.3nF ，50V ，10％， X7R
4.7UF ， 25V ， 20 ％ ， X5R
1.0uf ， 10V ， 10 ％ ， X5R
一个0.1uF ， 16V ， 10 ％ ， X7R
4.7nf ，50V ，10％， X7R
820uf ， 6.3V ，20％， 36mΩ
82pf ， 50V ， 5 ％ ， NPO
1200uf ， 6.3V ，20％， 18MΩ
1200uf ， 6.3V ，20％， 18MΩ
IND ， 1.8uH ， 16A ， 3.2mΩ
IND ， 470nH ， 16A ， 2.6mΩ
1.21K, 1%
3.9K, 5%
71.5K, 1%
15.0K, 1%
间技术SC5018-1R8M
间技术SC2511 - R47M
制作所和型号
飞兆半导体FDD6296
飞兆半导体FDD8896
飞兆半导体FDD8880
飞兆半导体FDC602P
飞兆半导体FDC637AN
飞兆半导体FDD6612A
联系飞兆半导体代表完整的参考设计和/或评估板。
旁路电容注意事项：
1.输入电容C
IN
典型地选择基于所述纹波电流的要求。
OUT
通常选择的基础上既
纹波电流额定值和ESR的要求。见的AN- 6006对这些计算。
2. C7 ，C12和C15的选择在很大程度上是由ESR测定和负载瞬态响应的要求。在每一种情况下，该
所需的电容器的数目取决于所选择的电容器的技术。 Oscons能满足少的要求
空间，但成本较高，比使用低ESR电解电容。
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FAN5078版本1.0.0 06年5月11日
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引脚配置
在REF
COMP
GND
19
24
23
22
21
ILIM
20
SS
FB
SBUSB ＃
S4ST#
SBSW
5V主
VTT SNS
VTT输出
EN
S3#I
S3#O
3.3 ALW
VCC
PGOOD
18
在VDDQ
SW
HDRV
ISNS
FAN5078MP的5x5mm MLP封装（
θ
JA
38 ° C / W）
注： P1焊盘连接到GND 。
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
针
SBUSB ＃
S4ST#
SBSW
5V主
VTT SNS
VTT输出
在VDDQ
BOOT
HDRV
SW
ISNS
LDRV
PGOOD
引脚功能说明
USB备用。
拉低定电流限制转换率在S3中，如果S4ST ＃高。驱动P-
沟道MOSFET， 5VSB连接到5V的USB接口。
S4_STATE#
连接到系统逻辑信号，使5V USB电源在S3中。
待机开关。
驱动P沟道MOSFET ，以在S3中，当从5VSB供电5V双。在高
S0和S5 。
5V主。
当该引脚电压低于4.5V时，从S3到S0转变受到抑制。
VTT
远程感测输入。
VTT
调节器的输出功率。
VDDQ输入
从PWM 。连接到VDDQ输出电压。这是VTT稳压器的电源输入。
开机。
正电源上MOSFET驱动器。进行连接在图1所示的IC包含一个引导
二极管到VCC 。
高边驱动器。
高边（上） MOSFET驱动器输出。连接到高边MOSFET栅极。
交换节点。
回报高边MOSFET驱动器和电流检测输入。连接
源的高侧MOSFET和低侧MOSFET的漏极。
电流检测输入。
监控跨下MOSFET或外部检测电阻上的电压降
为电流反馈和电流限制。
低侧驱动器
低压侧（低级） MOSFET驱动器输出。连接至低边MOSFET栅极。
电源良好标记。
漏极开路输出时拉低FB是的±10 ％范围之外
0.9V参考或VTT输出为<的80％或它的参考> 110％。 PGOOD变为低电平时， IC
在S5状态。从PWM稳压器的电源良好信号使VTT稳压器。
VCC 。
提供IC偏置和栅极驱动电源。该IC保持在待机状态，直到该引脚高于UVLO
门槛。
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VCC
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FAN5078版本1.0.0 06年5月11日
BOOT
LDRV
1
2
3
17
16
P1 = GND
15
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
13
QQ：2881677436 复制
