FAN5026双通道DDR /双输出PWM控制器
销刀豆网络gurations
AGND
LDRV1
PGND1
SW1
HDRV1
BOOT1
ISNS1
EN1
GND
VSEN1
ILIM1
SS1
DDR
VIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
FAN5026
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
LDRV2
PGND2
SW2
HDRV2
BOOT2
ISNS2
EN2
GND
VSEN2
ILIM2/REF2
SS2
PG2/REF2OUT
PG1
TSSOP-28
θ
JA
= 50℃/瓦;
θ
JC
= 16 ° C / W 。参见下面的注释。
注意：
θ
JA
和
θ
JC
值使用的是4层， 1"方形PCB用1盎司铜决定。
引脚德网络nitions
针
数
1
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
12
17
引脚名称
AGND
LDRV1
LDRV2
PGND1
PGND2
SW1
SW2
HDRV1
BOOT1
BOOT2
ISNS1
ISNS2
EN1
EN2
GND
VSEN1
VSEN2
ILIM1
SS1
SS2
引脚功能说明
模拟地
。这是用于IC的信号的接地参考。所有电压电平是
对于此引脚测量。
低侧驱动器
。低压侧（低级） MOSFET驱动器输出。连接到栅
低边MOSFET 。
电源地
。在回报低边MOSFET驱动器。连接到源
低边MOSFET 。
开关节点
。回报高边MOSFET驱动器和电流检测输入。
连接到高侧MOSFET和低侧MOSFET的漏极 - 源极。
高端驱动
。高边（上） MOSFET驱动器输出。连接到高侧的门
MOSFET。
BOOT
。正电源上MOSFET驱动器。连接，如图3 。
电流检测输入
。监控跨下MOSFET或外部的电压降
检测电阻的电流反馈。
启用
。使操作时被拉至逻辑高电平。切换EN也将重设
经过锁存故障条件调节。这是CMOS输入，其状态是
不确定是否处于打开状态。
地
。这些引脚应连接到AGND正常工作。
输出电压检测
。从输出的反馈。用于调节以及
PG ，欠电压和过电压保护和监测。
电流限制1
。此引脚与GND之间的电阻设置电流限制。
软启动
。电容器从这个引脚GND节目转换器的转换率
在初始化过程中。在初始化时，此引脚被控5
电流源。
3
www.fairchildsemi.com
FAN5026版本1.0.5
FAN5026双通道DDR /双输出PWM控制器
引脚德网络nitions
（续）
针
数
13
14
引脚名称
DDR
VIN
引脚功能说明
DDR模式控制
。高= DDR模式。低= 2个独立的监管机构运行180 °出
的相位。
输入电压
。通常连接到电池中，提供了电压前馈设置
幅度的内部振荡器斜坡。当使用IC从5V的两步转换
输入，连接至100K到地，将设置相应的斜坡增益和
同步信道90异相。
电源良好标记
。漏极开路输出，这将拉低时VSEN是一个外
± 0.9V的基准的10 ％的范围内。
电源良好2
。如果不是在DDR模式：开漏输出拉低时
VOUT是出于监管或故障状态
参考输出2
。当在DDR模式，提供REF2的缓冲输出。通常
作为VDDQ / 2的参考。
限流2
。如果不是在DDR模式下，此引脚与GND之间的电阻设置电流
极限。
参考
在DDR模式寄存器＃ 2时。通常设置为VOUT1 / 2 。
VCC
。该引脚为芯片以及LDRV缓冲区。在IC开始工作
当电压在这个引脚超过4.6V （ UVLO上升） ，并关闭它丢弃时
低于4.3V （ UVLO下降） 。
15
16
PG1
PG2 /
REF2OUT
18
ILIM2 /
REF2
VCC
28
绝对最大额定值
绝对最大额定值是超出该设备可能被损坏或有其有用寿命受损的值。
在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
参数
VCC电源电压
VIN
BOOT ， SW ， ISNS ， HDRV
启动到SW
所有其他引脚
结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
–0.3
–40
–65
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
18
24
6.5
VCC+0.3
150
150
300
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压VCC
电源电压VIN
环境温度（T
A
)
注1
–40
条件
分钟。
4.75
典型值。
5
马克斯。
5.25
16
85
单位
V
V
°C
4
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FAN5026版本1.0.5
www.fairchildsemi.com
FAN5026
双通道DDR /双输出PWM控制器
特点
高度灵活的双同步开关脉宽调制
控制器包括模式：
- DDR模式相操作降低
信道干扰
- 90相移的两阶段的DDR模式，可降低
输入纹波
- 双独立监管机构的180°相移
完整的DDR内存电源解决方案
- VTT跟踪VDDQ / 2
- VDDQ / 2缓冲基准输出
无损电流检测低边MOSFET或
使用检测电阻精密电流检测
VCC欠压锁定
宽电源输入范围： 3至16V
优异的动力响应电压前馈
和平均电流模式控制
电源良好信号
同时支持DDR- II和HSTL
TSSOP28封装
概述
该FAN5026 PWM控制器提供高英法fi效率和
调节两个输出电压可调范围在
从0.9V到5.5V需要电源I / O ，芯片组的，
并在高性能计算机存储器组，机顶
框和VGA卡。同步整流，阳离子有贡献
高英法fi效率在很宽的负载范围内。英法fi效率是
即使使用MOSFET的进一步增强
DS （ ON）
作为
电流检测元件。
前馈斜坡调制，平均电流模式
控制方案，以及内部反馈补偿提供
快速负载瞬态响应。乱相操作
180度相移减小了输入电流纹波。该
控制器可以转化成一个完整的DDR存储器
通过激活指定引脚的电源解决方案。在
操作的DDR模式的信道之一跟踪
另一信道的输出电压，并提供输出
灌电流和源功能 - 功能至关重要
的DDR芯片适当的供电。该缓冲基准
通过这种类型的存储器所需的电压也被提供。
该FAN5026监控这些输出，并产生不同的
PGX （电源良好）信号时，软启动结束
和输出是在其设定点的±10％ 。内置的
过电压保护可以防止输出电压从
将设定值的120％以上。正常操作
当过电压条件去自动恢复
了。欠压保护锁存芯片关断时
无论是产量下降到低于75 ％的设定值后，
该输出软启动序列完成。的调整
能过电流功能监视输出电流由
检测横跨下部MOSFET上的电压降。
如果精确的电流检测是必需的，外部的电流 -
感测电阻器可以可选地使用。
应用
DDR V
DDQ
和V
TT
电压产生
台式电脑
显卡
REV 。 1.0.2b 03年9月2日
FAN5026
产品speci fi cation
销刀豆网络gurations
AGND
LDRV1
PGND1
SW1
HDRV1
BOOT1
ISNS1
EN1
GND
VSEN1
ILIM1
SS1
DDR
VIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
FAN5026
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
LDRV2
PGND2
SW2
HDRV2
BOOT2
ISNS2
EN2
GND
VSEN2
ILIM2/REF2
SS2
PG2/REF2OUT
PG1
TSSOP-28
θ
JA
= 90C / W
引脚德网络nitions
针
数
1
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
12
17
13
引脚名称
AGND
LDRV1
LDRV2
PGND1
PGND2
SW1
SW2
HDRV1
BOOT1
BOOT2
ISNS1
ISNS2
EN1
EN2
GND
VSEN1
VSEN2
ILIM1
SS1
SS2
DDR
引脚功能说明
模拟地
。这是用于IC的信号的接地参考。所有电压电平是
对于此引脚测量。
低侧驱动器
。低压侧（低级） MOSFET驱动器输出。连接到栅
低边MOSFET 。
电源地
。在回报低边MOSFET驱动器。连接到源
低边MOSFET 。
开关节点
。回报高边MOSFET驱动器和电流检测输入。
连接到高侧MOSFET和低侧MOSFET的漏极 - 源极。
高端驱动
。高边（上） MOSFET驱动器输出。连接到高侧的门
MOSFET。
BOOT
。正电源上MOSFET驱动器。连接，如图3 。
电流检测输入
。监控跨下MOSFET或外部的电压降
检测电阻的电流反馈。
启用
。使操作时被拉至逻辑高电平。切换EN也将重设
经过锁存故障条件调节。这是CMOS输入，其状态是
不确定是否处于打开状态。
地
。这些引脚应连接到AGND正常工作。
输出电压检测
。从输出的反馈。用于调节以及
PG ，欠电压和过电压保护和监测。
电流限制1
。此引脚与GND之间的电阻设置电流限制。
软启动
。电容器从这个引脚GND节目转换器的转换率
在初始化过程中。在初始化时，此引脚被控5
电流源。
DDR模式控制
。高= DDR模式。低= 2个独立的监管机构运行180 °出
的相位。
3
REV 。 1.0.2b 03年9月2日
产品speci fi cation
FAN5026
引脚德网络nitions
（续）
针
数
14
引脚名称
VIN
引脚功能说明
输入电压
。通常连接到电池，提供电压前馈设置
幅度的内部振荡器斜坡。当使用IC，用于从2-步骤转换
5V输入，连接至100K到地，将设置相应的斜坡增益和
同步信道90异相。
电源良好标记
。漏极开路输出，这将拉低时VSEN是一个外
± 0.9V的基准的10 ％的范围内。
电源良好2
。如果不是在DDR模式：开漏输出拉低时
VOUT是出于监管或故障状态
参考输出2
。当在DDR模式，提供REF2的缓冲输出。通常
作为VDDQ / 2的参考。
限流2
。如果不是在DDR模式下，此引脚与GND之间的电阻设置
电流限制。
参考
在DDR模式寄存器＃ 2时。通常设置为VOUT1 / 2 。
VCC
。该引脚为芯片以及LDRV缓冲区。在IC开始工作
当电压在这个引脚超过4.6V （ UVLO上升） ，并关闭它丢弃时
低于4.3V （ UVLO下降） 。
15
16
PG1
PG2 /
REF2OUT
18
ILIM2 /
REF2
VCC
28
绝对最大额定值
绝对最大额定值是超出该设备可能被损坏的值或具有其使用寿命
受损。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
参数
VCC电源电压
VIN
BOOT ， SW ， ISNS ， HDRV
启动到SW
所有其他引脚
结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
–0.3
–40
–65
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
18
24
6.5
VCC+0.3
150
150
300
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压VCC
电源电压VIN
环境温度（T
A
)
注1
–40
条件
分钟。
4.75
典型值。
5
马克斯。
5.25
16
85
单位
V
V
°C
4
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FAN5026双通道DDR /双输出PWM控制器
销刀豆网络gurations
AGND
LDRV1
PGND1
SW1
HDRV1
BOOT1
ISNS1
EN1
GND
VSEN1
ILIM1
SS1
DDR
VIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
FAN5026
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
LDRV2
PGND2
SW2
HDRV2
BOOT2
ISNS2
EN2
GND
VSEN2
ILIM2/REF2
SS2
PG2/REF2OUT
PG1
TSSOP-28
θ
JA
= 50℃/瓦;
θ
JC
= 16 ° C / W 。参见下面的注释。
注意：
θ
JA
和
θ
JC
值使用的是4层， 1"方形PCB用1盎司铜决定。
引脚德网络nitions
针
数
1
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
12
17
引脚名称
AGND
LDRV1
LDRV2
PGND1
PGND2
SW1
SW2
HDRV1
BOOT1
BOOT2
ISNS1
ISNS2
EN1
EN2
GND
VSEN1
VSEN2
ILIM1
SS1
SS2
引脚功能说明
模拟地
。这是用于IC的信号的接地参考。所有电压电平是
对于此引脚测量。
低侧驱动器
。低压侧（低级） MOSFET驱动器输出。连接到栅
低边MOSFET 。
电源地
。在回报低边MOSFET驱动器。连接到源
低边MOSFET 。
开关节点
。回报高边MOSFET驱动器和电流检测输入。
连接到高侧MOSFET和低侧MOSFET的漏极 - 源极。
高端驱动
。高边（上） MOSFET驱动器输出。连接到高侧的门
MOSFET。
BOOT
。正电源上MOSFET驱动器。连接，如图3 。
电流检测输入
。监控跨下MOSFET或外部的电压降
检测电阻的电流反馈。
启用
。使操作时被拉至逻辑高电平。切换EN也将重设
经过锁存故障条件调节。这是CMOS输入，其状态是
不确定是否处于打开状态。
地
。这些引脚应连接到AGND正常工作。
输出电压检测
。从输出的反馈。用于调节以及
PG ，欠电压和过电压保护和监测。
电流限制1
。此引脚与GND之间的电阻设置电流限制。
软启动
。电容器从这个引脚GND节目转换器的转换率
在初始化过程中。在初始化时，此引脚被控5
电流源。
3
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FAN5026版本1.0.5
FAN5026双通道DDR /双输出PWM控制器
引脚德网络nitions
（续）
针
数
13
14
引脚名称
DDR
VIN
引脚功能说明
DDR模式控制
。高= DDR模式。低= 2个独立的监管机构运行180 °出
的相位。
输入电压
。通常连接到电池中，提供了电压前馈设置
幅度的内部振荡器斜坡。当使用IC从5V的两步转换
输入，连接至100K到地，将设置相应的斜坡增益和
同步信道90异相。
电源良好标记
。漏极开路输出，这将拉低时VSEN是一个外
± 0.9V的基准的10 ％的范围内。
电源良好2
。如果不是在DDR模式：开漏输出拉低时
VOUT是出于监管或故障状态
参考输出2
。当在DDR模式，提供REF2的缓冲输出。通常
作为VDDQ / 2的参考。
限流2
。如果不是在DDR模式下，此引脚与GND之间的电阻设置电流
极限。
参考
在DDR模式寄存器＃ 2时。通常设置为VOUT1 / 2 。
VCC
。该引脚为芯片以及LDRV缓冲区。在IC开始工作
当电压在这个引脚超过4.6V （ UVLO上升） ，并关闭它丢弃时
低于4.3V （ UVLO下降） 。
15
16
PG1
PG2 /
REF2OUT
18
ILIM2 /
REF2
VCC
28
绝对最大额定值
绝对最大额定值是超出该设备可能被损坏或有其有用寿命受损的值。
在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
参数
VCC电源电压
VIN
BOOT ， SW ， ISNS ， HDRV
启动到SW
所有其他引脚
结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
–0.3
–40
–65
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
18
24
6.5
VCC+0.3
150
150
300
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压VCC
电源电压VIN
环境温度（T
A
)
注1
–40
条件
分钟。
4.75
典型值。
5
马克斯。
5.25
16
85
单位
V
V
°C
4
www.fairchildsemi.com
FAN5026版本1.0.5
www.fairchildsemi.com
FAN5026
双通道DDR /双输出PWM控制器
特点
高度灵活的双同步开关脉宽调制
控制器包括模式：
- DDR模式相操作降低
信道干扰
- 90相移的两阶段的DDR模式，可降低
输入纹波
- 双独立监管机构的180°相移
完整的DDR内存电源解决方案
- VTT跟踪VDDQ / 2
- VDDQ / 2缓冲基准输出
无损电流检测低边MOSFET或
使用检测电阻精密电流检测
VCC欠压锁定
宽电源输入范围： 3至16V
优异的动力响应电压前馈
和平均电流模式控制
电源良好信号
同时支持DDR- II和HSTL
TSSOP28封装
概述
该FAN5026 PWM控制器提供高英法fi效率和
调节两个输出电压可调范围在
从0.9V到5.5V需要电源I / O ，芯片组的，
并在高性能计算机存储器组，机顶
框和VGA卡。同步整流，阳离子有贡献
高英法fi效率在很宽的负载范围内。英法fi效率是
即使使用MOSFET的进一步增强
DS （ ON）
作为
电流检测元件。
前馈斜坡调制，平均电流模式
控制方案，以及内部反馈补偿提供
快速负载瞬态响应。乱相操作
180度相移减小了输入电流纹波。该
控制器可以转化成一个完整的DDR存储器
通过激活指定引脚的电源解决方案。在
操作的DDR模式的信道之一跟踪
另一信道的输出电压，并提供输出
灌电流和源功能 - 功能至关重要
的DDR芯片适当的供电。该缓冲基准
通过这种类型的存储器所需的电压也被提供。
该FAN5026监控这些输出，并产生不同的
PGX （电源良好）信号时，软启动结束
和输出是在其设定点的±10％ 。内置的
过电压保护可以防止输出电压从
将设定值的120％以上。正常操作
当过电压条件去自动恢复
了。欠压保护锁存芯片关断时
无论是产量下降到低于75 ％的设定值后，
该输出软启动序列完成。的调整
能过电流功能监视输出电流由
检测横跨下部MOSFET上的电压降。
如果精确的电流检测是必需的，外部的电流 -
感测电阻器可以可选地使用。
应用
DDR V
DDQ
和V
TT
电压产生
台式电脑
显卡
REV 。 1.0.2b 03年9月2日
FAN5026
产品speci fi cation
销刀豆网络gurations
AGND
LDRV1
PGND1
SW1
HDRV1
BOOT1
ISNS1
EN1
GND
VSEN1
ILIM1
SS1
DDR
VIN
1
2
3
4
5
6
7
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9
10
11
12
13
14
FAN5026
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
LDRV2
PGND2
SW2
HDRV2
BOOT2
ISNS2
EN2
GND
VSEN2
ILIM2/REF2
SS2
PG2/REF2OUT
PG1
TSSOP-28
θ
JA
= 90C / W
引脚德网络nitions
针
数
1
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
12
17
13
引脚名称
AGND
LDRV1
LDRV2
PGND1
PGND2
SW1
SW2
HDRV1
BOOT1
BOOT2
ISNS1
ISNS2
EN1
EN2
GND
VSEN1
VSEN2
ILIM1
SS1
SS2
DDR
引脚功能说明
模拟地
。这是用于IC的信号的接地参考。所有电压电平是
对于此引脚测量。
低侧驱动器
。低压侧（低级） MOSFET驱动器输出。连接到栅
低边MOSFET 。
电源地
。在回报低边MOSFET驱动器。连接到源
低边MOSFET 。
开关节点
。回报高边MOSFET驱动器和电流检测输入。
连接到高侧MOSFET和低侧MOSFET的漏极 - 源极。
高端驱动
。高边（上） MOSFET驱动器输出。连接到高侧的门
MOSFET。
BOOT
。正电源上MOSFET驱动器。连接，如图3 。
电流检测输入
。监控跨下MOSFET或外部的电压降
检测电阻的电流反馈。
启用
。使操作时被拉至逻辑高电平。切换EN也将重设
经过锁存故障条件调节。这是CMOS输入，其状态是
不确定是否处于打开状态。
地
。这些引脚应连接到AGND正常工作。
输出电压检测
。从输出的反馈。用于调节以及
PG ，欠电压和过电压保护和监测。
电流限制1
。此引脚与GND之间的电阻设置电流限制。
软启动
。电容器从这个引脚GND节目转换器的转换率
在初始化过程中。在初始化时，此引脚被控5
电流源。
DDR模式控制
。高= DDR模式。低= 2个独立的监管机构运行180 °出
的相位。
3
REV 。 1.0.2b 03年9月2日
产品speci fi cation
FAN5026
引脚德网络nitions
（续）
针
数
14
引脚名称
VIN
引脚功能说明
输入电压
。通常连接到电池，提供电压前馈设置
幅度的内部振荡器斜坡。当使用IC，用于从2-步骤转换
5V输入，连接至100K到地，将设置相应的斜坡增益和
同步信道90异相。
电源良好标记
。漏极开路输出，这将拉低时VSEN是一个外
± 0.9V的基准的10 ％的范围内。
电源良好2
。如果不是在DDR模式：开漏输出拉低时
VOUT是出于监管或故障状态
参考输出2
。当在DDR模式，提供REF2的缓冲输出。通常
作为VDDQ / 2的参考。
限流2
。如果不是在DDR模式下，此引脚与GND之间的电阻设置
电流限制。
参考
在DDR模式寄存器＃ 2时。通常设置为VOUT1 / 2 。
VCC
。该引脚为芯片以及LDRV缓冲区。在IC开始工作
当电压在这个引脚超过4.6V （ UVLO上升） ，并关闭它丢弃时
低于4.3V （ UVLO下降） 。
15
16
PG1
PG2 /
REF2OUT
18
ILIM2 /
REF2
VCC
28
绝对最大额定值
绝对最大额定值是超出该设备可能被损坏的值或具有其使用寿命
受损。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
参数
VCC电源电压
VIN
BOOT ， SW ， ISNS ， HDRV
启动到SW
所有其他引脚
结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
–0.3
–40
–65
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
18
24
6.5
VCC+0.3
150
150
300
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压VCC
电源电压VIN
环境温度（T
A
)
注1
–40
条件
分钟。
4.75
典型值。
5
马克斯。
5.25
16
85
单位
V
V
°C
4
REV 。 1.0.2b 03年9月2日
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