FAN4852 - 为9MHz低功耗双CMOS放大器
2011年6月
FAN4852
为9MHz低功耗双CMOS放大器
特点
0.8毫安电源电流
9 MHz带宽
输出摆幅在任一供电轨的10mV的
输入电压范围超过了Rails
6V / μs压摆率
11nV / Hz输入电压噪声
充分说明在+ 3.3V和+ 5V电源
描述
该FAN4852是一款双通道，轨到轨输出，低功耗，
CMOS放大器，电源消耗仅为800μA
目前，同时提供± 50mA输出短路
电流。该放大器的设计工作用品
从2.5V到5V 。
此外，该FAN4852是EMI的硬化，这
最大限度地减少EMI干扰。它有一个最大的输入
偏移电压为1mV和输入共模范围
包括地上。
在FAN4852的设计上的CMOS工艺和
提供的带宽和压摆率6V /微秒为9MHz 。
的低功率，低电压操作的组合
和小型封装使该放大器非常适合于
通用和电池供电的应用。
应用
压电式传感器
PCMCIA ， USB
移动通信/电池供电设备
笔记本电脑和PDA
主动滤池
信号调理
便携式测试仪器
订购信息
产品型号
FAN4852IMU8X
工作温度范围
-40至+ 85°C
包
8引脚MSOP封装
包装方法
3000在磁带和卷轴
2010仙童半导体公司
FAN4852 版本4.0.0
www.fairchildsemi.com
FAN4852 - 为9MHz低功耗双CMOS放大器
引脚配置
图1.引脚分配
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
OUT1
-IN1
+IN1
-Vs
+IN2
-IN2
OUT2
+ VS
描述
输出，通道1
负输入端，信道1
正输入端，信道1
负电源
正输入端，信道2
负输入端，信道2
输出，通道2
正电源
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FAN4852 版本4.0.0
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FAN4852 - 为9MHz低功耗双CMOS放大器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。在任何这些条件功能操作不
暗示。性能和可靠性都只能保证，如果操作条件不超标。
符号
V
CC
V
IN
T
J
T
英镑
T
L
JA
电源电压
输入电压范围
结温
储存温度
参数
分钟。
0
-V
S
-0.5
-65
马克斯。
6
+V
S
+0.5
+150
+150
+260
206
单位
V
V
°C
°C
°C
° C / W
铅焊接， 10秒
热阻
(1)
注意：
1.
封装热阻JEDEC标准，多层电路板的测试，静止的空气中。
ESD信息
符号
ESD
参数
人体模型， JESD22- A114
带电器件模型， JESD22- C101
分钟。
典型值。
8
2
马克斯。
单位
kV
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
T
A
Vs
电源电压范围
参数
工作温度范围
分钟。
-40
2.5
典型值。
3.3
马克斯。
+85
5.0
单位
°C
V
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FAN4852 - 为9MHz低功耗双CMOS放大器
电气规格为+ 3.3V
+V
S
= + 3.3V ， -Vs = 0V ，V
CM
= +V
s
/ 2，和R
L
= 10kΩ至+ V
s
/ 2，除非另有说明。
符号
I
S
参数
电源电流
(2)
T
A
=25C
条件
整个温度范围
采购V
O
=V
CM
, V
IN
=100mV,
T
A
=25C
分钟。
典型值。
0.8
马克斯。
1.0
1.1
单位
mA
25
20
50
I
SC
输出短路电流
(2)
采购V
O
=V
CM
, V
IN
=100mV,
整个温度范围
下沉V
O
=V
CM
, V
IN
=-100mV,
T
A
=25C
下沉V
O
=V
CM
, V
IN
=-100mV,
整个温度范围
V
RFpeak
= 100mVp ， （ -20dBVp ）
f=400MHz
mA
28
20
75
78
87
75
74
76
75
-0.2
±0.3
±0.4
1
2.1
±1.0
±1.2
±2.0
117
dB
95
dB
dB
46
EMIRR
EMI抑制比， + IN和-IN
(4)
V
RFpeak
= 100mVp ， （ -20dBVp ）
f=900MHz
V
RFpeak
= 100mVp ， （ -20dBVp ）
f=1800MHz
2.7V≤V+≤3.3V, V
O
= 1V ，T
A
=25C
PSRR
电源抑制比
(2)
2.7V≤V+≤3.3V, V
O
=1V,
整个温度范围
-0.2V<V
CM
<V + -1.2V ，T
A
=25C
-0.2V<V
CM
<V+-1.2V,
整个温度范围
CMRR≥76dB
T
A
=25C
整个温度范围
CMRR
共模抑制比
输入共模电压
范围
(2)
输入失调电压
(2)
平均漂移
(3)
输入失调电流
(2)
CMIR
V
OS
dV
IO
I
OS
V
mV
μV/°C
pA
T
A
=
I
bn_Char
e
n
i
N
输入偏置电流
(3)
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
T
A
=25C
整个温度范围
f=1kHz
f=10kHz
f=1kHz
11
10
0.005
0.1
10.0
500
pA
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
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FAN4852 - 为9MHz低功耗双CMOS放大器
电气规格为+ 3.3V
+V
S
= + 3.3V ， -Vs = 0V ，V
CM
= +V
s
/ 2，和R
L
= 10kΩ至+ V
s
/ 2，除非另有说明。
符号
参数
条件
R
L
= 2k到V + / 2 ，T
A
=25C
R
L
= 2k到V + / 2 ，
整个温度范围
R
L
= 10k到V + / 2 ，T
A
=25C
R
L
= 10k到V + / 2 ，
整个温度范围
R
L
= 2k到V + / 2 ，T
A
=25C
分钟。
典型值。
21
马克斯。
35
43
单位
输出电压摆幅高
V
O
= (+V
S
) - V
OUT
(2)
4
10
12
mV
V
O
20
32
43
输出电压摆幅低
V
O
= V
OUT
+ (-V
S
)
(2)
R
L
= 2k到V + / 2 ，
整个温度范围
R
L
= 10k到V + / 2 ，T
A
=25C
R
L
= 10k到V + / 2 ，
整个温度范围
3
11
14
mV
GBW
增益带宽积
R
L
=为2kΩ ，V
O
= 0.15 1.65V ，
V
O
= 3.15 1.65V ，T
A
=25C
R
L
=为2kΩ ，V
O
= 0.15 1.65V ，
V
O
= 3.15 1.65V ，满
温度范围
R
L
= 10kΩ的，V
O
= 0.1 1.65V ，
V
O
= 3.2 1.65V ，T
A
=25C
R
L
= 10kΩ的，V
O
= 0.1 1.65V ，
V
O
= 3.2 1.65V ，满
温度范围
100
97
9
114
兆赫
A
VOL
大信号电压增益
(3)
dB
100
97
6
10
11
6
86
6.1
0.006
G
pF
V / μs的
%
115
R
OUT
R
IN
C
IN
Φ
M
SR
THD + N
闭环阻抗
输入阻抗
输入电容
相位裕度
压摆率
总谐波失真+噪声
f=6MHz
共模
差模
AV = + 1 ，V
O
=1V
pp
10%-90%
F = 1kHz时， Av = 1 ， BW = >500kHz
注意事项：
在T 2， 100％测试
A
=25°C.
3.通过特性保证。
4.电磁干扰抑制比被定义为EMIRR - 20log （Ⅴ
RFpeak
/
ΔV
OS
).
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