FAN3278 - 30V PMOS- NMOS桥驱动器
2011年1月
FAN3278
30V PMOS- NMOS桥驱动器
特点
8V至27V最佳工作范围
驱动高端PMOS和低侧NMOS中
电机控制或降压降压应用
输出驱动电压的幅度有限： < 13V
对于V
DD
高达30V
偏见每个负载设备电源用一个100kΩ
电阻器时， V
DD
下面的操作水平
低电压TTL输入阈值
峰值栅极驱动电压为12V ： 1.5A +水槽， -1.0A源
内部电阻保持驱动器时关闭
没有输入当前
8引脚SOIC封装
额定温度范围为-40 ° C至+ 125 ° C环境
描述
该FAN3278双1.5A门驱动器进行了优化开车
高侧P沟道MOSFET和低侧
在电机控制应用中的N沟道MOSFET
从一个电压轨到27V运行。内部电路
限制施加到外部的栅极上的电压
MOSFET，以13V最大。该驱动器具有TTL输入
阈值，并提供了从缓冲器和电平转换
逻辑输入。内部电路防止输出
从若V操作开关设备
DD
供应
电压低于IC的工作水平。内部100kΩ的
电阻偏压非反相输出低，并且
反相输出至V
DD
保持外部MOSFET
关闭启动时的时间间隔时，逻辑控制信号
可以不存在。
该FAN3278驱动器集成了一个用于MOSFET器件
最后输出级贯穿，提供高电流
MOSFET的导通/关断的过渡，尽量减少
开关损耗。内部栅极驱动稳压器
操作时，提供最佳的栅极驱动电压
从8V至27V轨道。在FAN3278可以驱动
从低于8V的电压轨;然而，它的栅
驱动电流减小。
该FAN3278具有两个独立的使能引脚
缺省为ON ，如果没有连接。如果ENABLE引脚
非反相通道A被拉低， OUTA被强制
低。如果ENABLE引脚的反向通道B
拉低， OUTB强制为高。如果一个输入是左
悬空，内部电阻偏置输入，使得
外部MOSFET的关断。
应用
电机控制与PMOS / NMOS半桥
CON组fi guration
降压转换器，具有高边PMOS器件;
100 ％占空比工作的可能
逻辑控制负载电路，具有高边
PMOS开关
图1.典型应用
2010仙童半导体公司
FAN3278 版本1.0.0
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FAN3278 - 30V PMOS- NMOS桥驱动器
订购信息
产品型号
FAN3278TMX
逻辑
非反相通道和负输出通道与双启动
输入
门槛
TTL
填料
法
2500个单位
磁带&卷轴
图2.典型的3相鼓风机电机驱动应用
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FAN3278 - 30V PMOS- NMOS桥驱动器
引脚配置
图3.引脚CON组fi guration （顶视图）
热特性
(1)
包
8引脚小外形集成电路（ SOIC ）
JL(2)
40
JT(3)
31
JA(4)
89
JB(5)
43
JT(6)
3
单位
° C / W
注意事项：
从热模拟得出1.估计;实际值取决于应用。
2. Theta_JL （
JL
） ：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻
（包括任何热焊盘），其典型地焊接到PCB上。
3. Theta_JT （
JT
） ：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，
假设它被保持在均匀的温度由顶侧的散热片。
4. Theta_JA （ Θ
JA
） ：结点和环境之间的热阻，取决于PCB设计，散热，
和气流。给出的值是用于自然对流与使用2S2P板没有散热片，如在规定的
JEDEC标准JESD51-2 ， JESD51-5和JESD51-7 ，适当。
5. Psi_JB （
JB
） ：热特性参数提供半导体结之间的相关性
温度和热环境中注4中定义为一个应用电路板的基准点
采用SOIC - 8封装，电路板参考被定义为相邻引脚6的PCB铜。
6. Psi_JT （
JT
） ：热特性参数提供半导体结之间的相关性
温度和包装件的顶附注4所定义的热环境的中心。
引脚德网络nitions
针＃
1
8
3
2
4
7
5
6
名字
ENA
ENB
GND
INA
INB
OUTA
OUTB
描述
使能输入通道A.
拉引脚为低电平，以抑制驾驶员A. ENA具有TTL阈值。
使能输入通道B.
拉引脚为低电平，以抑制驱动程序B. ENB具有TTL阈值。
地面上。
用于输入和输出电路的公共接地参考。
输入通道A.
输入通道B.
栅极驱动输出答：
保持为低电平，除非需要输入存在和V
DD
是上述内部
电压阈值，其中所述集成电路是起作用的。
栅极驱动输出B
（从输入反相的） 。高举除非所需的输入存在
和V
DD
是上述内部电压阈值，其中所述集成电路是起作用的。
电源电压。
提供电源IC 。
VDD
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输出逻辑
FAN3278 （通道A ）
ENA
0
0
1
(7)
1
(7)
INA
0
(7)
1
0
(7)
1
OUTA
0
0
0
1
ENB
0
0
1
(7)
1
(7)
FAN3278 （通道B ）
INB
0
(7)
1
0
(7)
1
OUTB
1
1
1
0
注意：
如果是由无外部连接7.默认的输入信号。
框图
V
DD
100k
V
DD
100k
ENA
1
13V
8
ENB
INA
2
100k
LS
预驱动器
100k
7
OUTA
低端
DRIVE
调节器
GND
3
6
VDD
高边
DRIVE
调节器
HS
预驱动器
100k
INB
4
100k
5
OUTB
V
DD
- 13V
图4.框图
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绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
DD
V
EN
V
IN
V
OUT
T
L
T
J
T
英镑
ESD
VDD至PGND
ENA ， ENB到GND
INA ， INB到GND
OUTA ， OUTB到GND
参数
分钟。
-0.3
马克斯。
30.0
单位
V
V
V
V
C
C
C
kV
GND - 0.3 V
DD
+ 0.3
GND - 0.3 V
DD
+ 0.3
GND - 0.3 V
DD
+ 0.3
+260
-55
-65
人体模型， JEDEC JESD22- A114
带电器件模型， JEDEC JESD22- C101
2
2
+150
+150
引线焊接温度（ 10秒）
结温
储存温度
静电放电
防护等级
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
V
DD
V
EN
V
IN
T
A
电源电压范围
开启电压（ ENA ， ENB ）
输入电压（ INA ， INB ）
参数
分钟。
8
0
0
-40
马克斯。
27
V
DD
V
DD
+125
单位
V
V
V
°C
工作环境温度
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