【FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器2011年1月FAN3216 】,IC型号FAN3225C,FAN3225C PDF资料,FAN3225C经销商,ic,电子元器件-51电子网

FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器

2011年1月

FAN3216 / FAN3217

双2A ，高速，低侧栅极驱动器

特点

工业标准引脚

4.5至18V工作电压范围

3A峰值吸入/源出在V

= 12V

在V 2.4A吸入/ 1.6A源

OUT

= 6V

TTL输入阈值

两个版本的双独立驱动器：

描述

该FAN3216和FAN3217双2A栅极驱动

设计用于驱动N沟道增强模式

在低侧开关应用由MOSFET的

期间短，提供高的峰值电流脉冲

切换的时间间隔。它们都可以与TTL

输入阈值。内部电路提供了一个理解

通过保持输出低电平，直到欠压锁定功能

电源电压在正常工作范围内。在

此外，该驱动器具有内部匹配

A和B通道之间的传播延迟

需要与关键的双栅极驱动应用

定时，诸如同步整流器。这也使得

连接两个驱动器并联，有效地增加一倍

电流能力驱动单个MOSFET 。

该FAN3216 / 17驱动程序加入MillerDrive

架构用于最后输出级。这种双极性

MOSFET的组合提供了在高电流

的MOSFET导通米勒平台阶段/关闭

进程，以减少开关损耗，同时提供rail-

到轨电压摆动和反向电流能力。

该FAN3216提供两个反相驱动器和

FAN3217提供了两个非反相驱动器。两者都是

在一个标准的8引脚SOIC封装。

双反相（ FAN3216 ）

双非反相（ FAN3217 ）

内部电阻器打开驱动程序关闭。如果没有输入

MillerDrive 技术

为12ns / 9ns典型的上升/下降时间与1nF的负载

典型传播延迟20ns的下匹配

为1ns的另一个通道内

双电流能力通过并联通道

标准的SOIC - 8封装

额定温度范围为-40 ° C至+ 125 ° C环境

应用

开关模式电源

高效率MOSFET开关

同步整流电路

的DC- DC转换器

电机控制

FAN3216

FAN3217

图1.引脚配置

订购信息

产品型号

FAN3216TMX

FAN3217TMX

逻辑

双反相通道

双非反相通道

输入

门槛

TTL

包

SOIC-8

填料

法

磁带&卷轴

QUANTITY

每卷

2,500

2009仙童半导体公司

FAN3216 / FAN3217 版本1.0.1

www.fairchildsemi.com

FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器

包装纲要

图2. SOIC - 8 （顶视图）

热特性

(1)

包

8引脚小外形集成电路（ SOIC ）

注意事项：

从热模拟推算值;实际值取决于应用。

Theta_JL （

）：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻（包括任何

导热垫），它们通常焊接到PCB上。

Theta_JT （

）：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，假设它是

在同一温度下通过一个顶侧的散热片保持。

Theta_JA （ Θ

）：结点和环境，依赖于PCB设计，散热和气流之间的热阻。

给出的值是用于自然对流与使用2S2P板没有散热片，如在JEDEC标准JESD51-2指定

JESD51-5和JESD51-7 ，根据。

Psi_JB （

）：热特性参数提供半导体结温的相关性

注4.热环境应用电路板参考点定义的SOIC - 8封装，电路板

参考被定义为相邻的6引脚PCB的铜。

Psi_JT （

）：热特性参数提供半导体结温之间的相关性

中心的包装的顶部附注4所述的热环境。

JL(2)

JT(3)

JA(4)

JB(5)

JT(6)

3.0

单位

° C / W

2009仙童半导体公司

FAN3216 / FAN3217 版本1.0.1

www.fairchildsemi.com

FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器

销刀豆网络gurations

FAN3216

FAN3217

图3.引脚配置（重复）

引脚德网络nitions

针

(FAN3216)

(FAN3217)

(FAN3216)

(FAN3217)

名字

INA

GND

INA

INB

OUTA

引脚说明

无连接。

该引脚可接地或悬空。

输入通道A.

地面上。

用于输入和输出电路的公共接地参考。

输入通道A.

输入通道B.

栅极驱动输出答：

保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V

以上是

UVLO阈值。

栅极驱动输出B

（从输入反相）：保持为低电平，除非需要输入

目前和V

高于UVLO阈值。

栅极驱动输出B：

保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V

以上是

UVLO阈值。

电源电压。

提供电源IC 。

栅极驱动输出A

（从输入反相）：保持为低电平，除非需要输入

目前和V

高于UVLO阈值。

栅极驱动输出答：

保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V

以上是

UVLO阈值。

无连接。

该引脚可接地或悬空。

OUTB

VDD

OUTA

输出逻辑

FAN3216 （ X = A或B ）

INX

(7)

FAN3217 （ X = A或B ）

INX

(7)

的OUTx

注意：

如果是由无外部连接7.默认的输入信号。

2009仙童半导体公司

FAN3216 / FAN3217 版本1.0.1

www.fairchildsemi.com

FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器

方框图

图4. FAN3216框图

图5. FAN3217框图

2009仙童半导体公司

FAN3216 / FAN3217 版本1.0.1

www.fairchildsemi.com

FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器

绝对最大额定值

应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或

操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。

此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。

绝对最大额定值仅为应力额定值。

符号

OUT

英镑

ESD

VDD至PGND

参数

INA ， INA + ， INA- ， INB ， INB +和INB-到GND

OUTA和OUTB到GND

引线焊接温度（ 10秒）

结温

储存温度

静电放电

防护等级

人体模型， JEDEC JESD22- A114

带电器件模型， JEDEC JESD22- C101

分钟。

-0.3

马克斯。

20.0

单位

GND - 0.3 V

+ 0.3

GND - 0.3 V

+ 0.3

+260

-55

-65

+150

推荐工作条件

推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐

工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不

建议超过或设计，以绝对最大额定值。

符号

电源电压范围

参数

输入电压INA ， INA + ， INA- ， INB ， INB +和INB-

工作环境温度

分钟。

4.5

-40

马克斯。

18.0

+125

单位

2009仙童半导体公司

FAN3216 / FAN3217 版本1.0.1

www.fairchildsemi.com

FAN3213 / FAN3214 - 双4A ，高速，低侧栅极驱动器

2011年1月

FAN3213 / FAN3214

双4A ，高速，低侧栅极驱动器

特点

工业标准引脚

4.5至18V工作电压范围

5A峰值吸入/源出在V

= 12V

在V 4.3A吸入/ 2.8A源

OUT

= 6V

TTL输入阈值

两个版本的双独立驱动器：

描述

该FAN3213和FAN3214双4A栅极驱动

设计用于驱动N沟道增强模式

在低侧开关应用由MOSFET的

期间短，提供高的峰值电流脉冲

切换的时间间隔。它们都可以与TTL

输入阈值。内部电路提供了一个理解

通过保持输出低电平，直到欠压锁定功能

电源电压在正常工作范围内。在

此外，该驱动器具有内部匹配

A和B通道之间的传播延迟

需要与关键的双栅极驱动应用

定时，诸如同步整流器。这也使得

连接两个驱动器并联，有效地增加一倍

电流能力驱动单个MOSFET 。

该FAN3213 / 14驱动程序加入MillerDrive

架构用于最后输出级。这种双极性

MOSFET的组合提供了在高电流

的MOSFET导通米勒平台阶段/关闭

进程，以减少开关损耗，同时提供rail-

到轨电压摆动和反向电流能力。

该FAN3213提供两个反相驱动器和

FAN3214提供了两个非反相驱动器。两者都是

在一个标准的8引脚SOIC封装。

双反相（ FAN3213 ）

双非反相（ FAN3214 ）

内部电阻器打开驱动程序关闭。如果没有输入

MillerDrive 技术

为12ns / 9ns典型的上升/下降时间与2.2nF负载

典型传播延迟20ns的下匹配

为1ns的另一个通道内

双电流能力通过并联通道

标准的SOIC - 8封装

额定温度范围为-40 ° C至+ 125 ° C环境

应用

开关模式电源

高效率MOSFET开关

同步整流电路

的DC- DC转换器

电机控制

FAN3213

FAN3214

图1.引脚配置

订购信息

产品型号

FAN3213TMX

FAN3214TMX

逻辑

双反相通道

双非反相通道

输入

门槛

TTL

包

SOIC-8

填料

法

磁带&卷轴

QUANTITY

每卷

2,500

2008飞兆半导体公司

FAN3213 / FAN3214 版本1.0.2

www.fairchildsemi.com

FAN3213 / FAN3214 - 双4A ，高速，低侧栅极驱动器

包装纲要

图2. SOIC - 8 （顶视图）

热特性

(1)

包

8引脚小外形集成电路（ SOIC ）

注意事项：

从热模拟推算值;实际值取决于应用。

Theta_JL （

）：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻（包括任何

导热垫），它们通常焊接到PCB上。

Theta_JT （

）：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，假设它是

在同一温度下通过一个顶侧的散热片保持。

Theta_JA （ Θ

）：结点和环境，依赖于PCB设计，散热和气流之间的热阻。

给出的值是用于自然对流不带散热片，使用的是2S2P板，如在JEDEC标准JESD51-2指定

JESD51-5和JESD51-7 ，根据。

Psi_JB （

）：热特性参数提供半导体结温的相关性

注4.热环境应用电路板参考点定义的SOIC - 8封装，电路板

参考被定义为相邻的6引脚PCB的铜。

Psi_JT （

）：热特性参数提供半导体结温之间的相关性

中心的包装的顶部附注4所述的热环境。

JL(2)

JT(3)

JA(4)

JB(5)

JT(6)

2.3

单位

° C / W

2008飞兆半导体公司

FAN3213 / FAN3214 版本1.0.2

www.fairchildsemi.com

FAN3213 / FAN3214 - 双4A ，高速，低侧栅极驱动器

销刀豆网络gurations

FAN3213

FAN3214

图3.引脚配置（重复）

引脚德网络nitions

针

(FAN3213)

(FAN3214)

(FAN3213)

(FAN3214)

名字

INA

GND

INA

INB

OUTA

引脚说明

无连接。

该引脚可接地或悬空。

输入通道A.

地面上。

用于输入和输出电路的公共接地参考。

输入通道A.

输入通道B.

栅极驱动输出答：

保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V

以上是

UVLO阈值。

栅极驱动输出B

（从输入反相）：保持为低电平，除非需要输入

目前和V

高于UVLO阈值。

栅极驱动输出B：

保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V

以上是

UVLO阈值。

电源电压。

提供电源IC 。

栅极驱动输出A

（从输入反相）：保持为低电平，除非需要输入

目前和V

高于UVLO阈值。

栅极驱动输出答：

保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V

以上是

UVLO阈值。

无连接。

该引脚可接地或悬空。

OUTB

VDD

OUTA

输出逻辑

FAN3213 （ X = A或B ）

INX

(7)

FAN3214 （ X = A或B ）

INX

(7)

的OUTx

注意：

如果是由无外部连接7.默认的输入信号。

2008飞兆半导体公司

FAN3213 / FAN3214 版本1.0.2

www.fairchildsemi.com

FAN3213 / FAN3214 - 双4A ，高速，低侧栅极驱动器

方框图

图4. FAN3213框图

图5. FAN3214框图

2008飞兆半导体公司

FAN3213 / FAN3214 版本1.0.2

www.fairchildsemi.com

FAN3213 / FAN3214 - 双4A ，高速，低侧栅极驱动器

绝对最大额定值

应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或

操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。

此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。

绝对最大额定值仅为应力额定值。

符号

OUT

英镑

ESD

VDD至PGND

参数

INA ， INA + ， INA- ， INB ， INB +和INB-到GND

OUTA和OUTB到GND

引线焊接温度（ 10秒）

结温

储存温度

静电放电

防护等级

人体模型， JEDEC JESD22- A114

带电器件模型， JEDEC JESD22- C101

分钟。

-0.3

马克斯。

20.0

单位

GND - 0.3 V

+ 0.3

GND - 0.3 V

+ 0.3

+260

-55

-65

+150

推荐工作条件

推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐

工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不

建议超过或设计，以绝对最大额定值。

符号

电源电压范围

参数

输入电压INA ， INA + ， INA- ， INB ， INB +和INB-

工作环境温度

分钟。

4.5

-40

马克斯。

18.0

+125

单位

2008飞兆半导体公司

FAN3213 / FAN3214 版本1.0.2

www.fairchildsemi.com

FAN3111 - 单1A高速，低侧栅极驱动器

2011年1月

FAN3111 - 单1A高速，低侧

栅极驱动器

特点

1.4A峰值吸入/源出在V

= 12V

在V 1.1A吸入/ 0.9A源

OUT

= 6V

4.5至18V工作电压范围

FAN3111C兼容FAN3100C足迹

两个输入配置：

双CMOS输入，可配置为

非反相或启用功能反转

单非反相，低电压输入

具有低电压控制器的兼容性

体积小便于分布式驱动程序

并联功率器件

15ns的典型延迟时间

9ns典型上升/典型为8ns下降时间与470pF的

负载

5引脚SOT23封装

额定温度范围为-40 ° C至125 ° C环境

描述

该FAN3111 1A栅极驱动器设计用于驱动一个N

沟道增强型MOSFET的低侧

开关应用。

两个输入选项可供选择： FAN3111C具有双

CMOS输入阈值参考V

对于使用

与PWM控制器和其他输入信号源的

从相同的电源电压作为驱动器操作。为

具有低电压控制器和其它输入信号使用

从比在较低的电源电压下工作的来源

的驱动程序，即电源电压，也可以使用作为

参考的FAN3111E的输入阈值。

这种驱动器具有一个单一的，非反相的，低电压输入

外加直流输入电压V

外部参照

外部参考电压

取值范围为2到5V 。

在FAN3111是提供一种无铅光洁度业界

标准的5引脚SOT23封装。

应用

开关模式电源

同步整流电路

脉冲变压器驱动器

逻辑电源缓冲器

电机控制

图1 。

FAN3111C （顶视图）

图2中。

FAN3111E （顶视图）

2008飞兆半导体公司

FAN3111 版本1.0.2

www.fairchildsemi.com

FAN3111 - 单1A高速，低侧栅极驱动器

订购信息

产品型号

FAN3111CSX

FAN3111ESX

输入

门槛

CMOS

外

包

5引脚SOT23

包装方法

磁带&卷轴

单位数量

REEL

3,000

热特性

(1)

包

5引脚SOT23

JL(2)

JT(3)

102

JA(4)

161

JB(5)

JT(6)

单位

° C / W

注意事项：

从热模拟得出1.估计;实际值取决于应用。

2. Theta_JL （

）：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻

（包括任何热焊盘），其典型地焊接到PCB上。

3. Theta_JT （

）：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，

假设它被保持在均匀的温度由顶侧的散热片。

4. Theta_JA （ Θ

）：结点和环境之间的热阻，取决于PCB设计，散热，

和气流。给出的值是用于自然对流与使用2S2P板没有散热片,,如在指定

JEDEC标准JESD51-2 ， JESD51-5和JESD51-7 ，适当。

5. Psi_JB （

）：热特性参数提供半导体结之间的相关性

温度和热环境中注4中定义为一个应用电路板的基准点

在MLP - 8封装，电路板参考被定义为PCB铜连接到散热垫

从包的两端突出。对于SOIC - 8封装，电路板参考被定义为PCB

铜相邻引脚6 。

6. Psi_JT （

）：热特性参数提供半导体结之间的相关性

温度和包装件的顶附注4所定义的热环境的中心。

引脚德网络nitions

针＃

名字

VDD

GND

IN +

IN-

外部参照

OUT

描述

电源电压。

提供电源IC 。

地面上。

用于输入和输出电路的公共接地参考。

非反相输入端。

连接到VDD ，使输出。

FAN3111C反相输入端。

连接至GND ，使输出。

FAN3111E外部参考电压。

参考输入阈值， 2V至5V 。

栅极驱动输出。

保持为低电平，除非需要投入都存在。

输出逻辑与双输入配置

IN +

(7)

IN-

(7)

OUT

注意：

如果是由无外部连接7.默认的输入信号。

2008飞兆半导体公司

FAN3111 版本1.0.2

www.fairchildsemi.com

FAN3111 - 单1A高速，低侧栅极驱动器

方框图

IN +

100k

VDD

OUT

100k

IN-

GND

网络连接gure 3 。

FAN3111C简化框图

VDD

外部参照

IN +

100k

OUT

GND

图4中。

FAN3111E简化框图

2008飞兆半导体公司

FAN3111 版本1.0.2

www.fairchildsemi.com

FAN3111 - 单1A高速，低侧栅极驱动器

绝对最大额定值

应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或

操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。

此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。

绝对最大额定值仅为应力额定值。

符号

外部参照

OUT

英镑

ESD

VDD到GND

电压至GND

在XREF对地电压

输出电压至GND

参数

分钟。

-0.3

马克斯。

20.0

+ 0.3

外部参照

+0.3

5.5

+0.3

+260

+150

UNI

FAN3111C

FAN3111E

-0.3

引线焊接温度（ 10秒）

结温

储存温度

人体模型， JESD22- A114

带电器件模型， JESD22- C101

-65

2000

2500

+150

推荐工作条件

推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐

工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不

建议超过或设计，以绝对最大额定值。

符号

外部参照

电源电压范围

输入电压

参数

分钟。

4.5

FAN3111C

FAN3111E

2.0

-40

马克斯。

18.0

外部参照

5.0

+125

单位

外部参考电压XREF

工作环境温度

2008飞兆半导体公司

FAN3111 版本1.0.2

www.fairchildsemi.com

FAN3111 - 单1A高速，低侧栅极驱动器

电气特性

除非另有说明，V

= 12V, V

外部参照

= 3.3V ，T

= -40 ° C至+ 125°C 。电流被定义为正进

设备和负出器件。

符号

供应

参数

工作范围

静态电源电流

条件

分钟。

4.5

典型值。

马克斯。

18.0

单位

未连接的输入

输入（ FAN3111C ）

IL_C

IH_C

INL

INH

HYS_C

在逻辑上，低电压阈值

在逻辑上，高电压阈值

在当前的低

目前，高

输入电压滞后

在从0到V

-1

-175

175

输入（ FAN3111E ）

IL_E

IH_E

INL

INH

HYS_E

产量

SINK

来源

PK_SINK

输出电流，中压，沉没

(8)

输出电流，中压，采购

(8)

输出电流，峰值，沉没

(8)

输出上升时间

(9)

输出下降时间

(9)

OUT在V

/2,

负载

= 47nF的， F = 1KHz的

OUT在V

/2,

负载

= 47nF的， F = 1KHz的

负载

= 47nF的， F = 1KHz的

负载

= 47nF的， F = 1KHz的

负载

= 470pF的

负载

= 470pF的

FAN3111C ：

0 - 12V

1V / ns的压摆率

FAN3111E ：

0 - 3.3V

1V / ns的压摆率

1.1

-0.9

1.4

-1.4

在逻辑上，低电压阈值

在逻辑上，高电压阈值

在当前的低

目前，高

输入电压滞后

在从0到V

外部参照

在从0到V

外部参照

-1

-50

外部参照

PK_SOURCE

输出电流，峰值，采购

(8)

上升

秋天

, t

输出支柱。延迟

(9)

RVS

输出反向电流耐受

(8)

250

注意事项：

8.在生产测试。

见时序图。

2008飞兆半导体公司

FAN3111 版本1.0.2

www.fairchildsemi.com

FAN3100 - 单2A高速，低侧栅极驱动器

2011年1月

FAN3100

单2A高速，低侧栅极驱动器

特点

3A峰值吸入/源出在V

= 12V

4.5至18V工作电压范围

在V 2.5A吸入/ 1.8A源

OUT

= 6V

双逻辑输入可配置为

非反相或启用功能反转

内部电阻器打开驱动程序关闭。如果没有输入

13ns的典型上升时间和9ns典型下降时间

与1nF的负载

的TTL或CMOS输入阈值的选择

MillerDrive 技术

典型传播延迟时间为20ns下用

输入的上升沿或

6引脚MLP采用2x2mm或5引脚SOT23封装

额定温度范围为-40 ° C至125 ° C环境

描述

该FAN3100 2A栅极驱动器设计用于驱动一个N

沟道增强型MOSFET的低侧

通过提供高峰值电流的开关应用

期间短的切换时间间隔的脉冲。该驱动程序是

可以配备TTL （ FAN3100T ）或CMOS

（ FAN3100C ）输入阈值。内部电路提供

通过保持输出欠压锁定功能

低直到电源电压在正常工作范围内。

该FAN3100提供快速开关MOSFET

性能，这有助于最大限度地提高在高效率

高频功率转换器设计。

FAN3100驱动器结合MillerDrive 架构

为最终输出级。这种双极MOSFET

组合提供了米勒在高的峰值电流

的MOSFET导通平台期/关断过程

以减少开关损耗，同时提供轨到轨

电压摆幅和反向电流能力。

该FAN3100还提供双输入，可以

配置为在非反相或同相模式下操作

并允许实现一个使能功能。如果一个或

两个输入悬空，内部电阻偏置

输入端，使得输出被拉低以保持

功率MOSFET关断。

该FAN3100可在无铅涂层采用2x2mm 6

导致模塑无脚封装（ MLP ），用于最小尺寸

具有优良的散热性能，或是行业标准

5引脚SOT23封装。

应用

开关模式电源

高效率MOSFET开关

同步整流电路

的DC- DC转换器

电机控制

功能引脚配置

图1.采用2x2mm 6引脚MLP （顶视图）

图2. SOT23-5 （顶视图）

2007仙童半导体公司

FAN3100 版本1.0.3

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FAN3100 - 单2A高速，低侧栅极驱动器

订购信息

产品型号

FAN3100CMPX

FAN3100CSX

FAN3100TMPX

FAN3100TSX

输入

门槛

CMOS

TTL

包

6引脚MLP采用2x2mm

5引脚SOT23

6引脚MLP采用2x2mm

5引脚SOT23

包装方法

磁带&卷轴

数量/卷

3000

包装纲要

图3.采用2x2mm 6引脚MLP （顶视图）

图4. SOT23-5 （顶视图）

热特性

(1)

包

6引脚采用2x2mm模塑无脚封装（ MLP ）

SOT23-5

JL(2)

2.7

JT(3)

133

JA(4)

157

JB(5)

2.8

JT(6)

单位

° C / W

注意事项：

从热模拟推算值;实际值取决于应用。

Theta_JL （

）：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻（包括任何

导热垫），它们通常焊接到PCB上。

Theta_JT （

）：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，假设它是

在同一温度下通过一个顶侧的散热片保持。

Theta_JA （ Θ

）：结点和环境，依赖于PCB设计，散热和气流之间的热阻。

给出的值是用于自然对流与使用2SP2板没有散热片，如在JEDEC标准JESD51-2指定

JESD51-5和JESD51-7 ，根据。

Psi_JB （

）：热特性参数提供半导体结温的相关性

注4.热环境应用电路板参考点定义为MLP - 6封装，电路板

参考被定义为在PCB铜连接到散热垫和从封装的两端突出。对于

SOT23-5封装，电路板参考被定义为相邻的PCB铜引脚2 。

Psi_JT （

）：热特性参数提供半导体结温之间的相关性

中心的包装的顶部附注4所述的热环境。

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引脚德网络nitions

SOT23封装MLP

管脚管脚

PAD

名字

VDD

AGND

GND

IN +

OUT

保护地

引脚说明

电源电压。

提供电源IC 。

模拟地

输入信号（仅MLP ）。连接到PGND在IC的下方。

地

（仅SOT -23 ）。用于输入和输出电路的公共接地参考。

非反相输入端。

连接到VDD ，使输出。

反相输入端。

连接到AGND或PGND ，使输出。

栅极驱动输出：

保持为低电平，除非需要投入存在和V

高于UVLO

门槛。

散热垫

（仅适用于MLP ）。露出的金属上它是封装的底面

电连接到管脚5 。

电源地

（仅适用于MLP ）。对于输出驱动电路;分开的开关噪声

输入。

输出逻辑

IN +

(7)

IN-

(7)

OUT

注意：

如果是由无外部连接7.默认的输入信号。

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方框图

图5.简化框图（ SOT23封装针脚）

图6.简化框图（ MLP针脚）

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绝对最大额定值

应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或

操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。

此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。

绝对最大额定值仅为应力额定值。

符号

OUT

英镑

ESD

VDD至PGND

参数

对IN +和IN到GND ， AGND或PGND电压

输出电压至GND ， AGND或PGND

引线焊接温度（ 10秒）

结温

储存温度

静电放电

防护等级

人体模型， JEDEC JESD22- A114

带电器件模型， JEDEC JESD22- C101

分钟。

-0.3

马克斯。

20.0

单位

GND - 0.3 V

+ 0.3

GND - 0.3 V

+ 0.3

+260

-55

-65

750

+150

推荐工作条件

推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐

工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不

建议超过或设计，以绝对最大额定值。

符号

电源电压范围

输入电压IN + ， IN-

参数

分钟。

4.5

-40

马克斯。

18.0

+125

单位

工作环境温度

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AN-6069

申请审查和比较评价

低侧栅极驱动器

摘要

功率MOSFET所需要的栅极驱动电路来翻译

从模拟或数字控制器进入开/关信号

需要控制的MOSFET功率信号。本文

提供了MOSFET的开关动作的细节

与钳位感性负载时，作为使用时的应用

次级同步整流，以及驱动脉冲/门

驱动变压器。潜在的驱动器解决方案，其中包括

分立及集成驱动器的设计，进行了讨论。

MOSFET驱动器数据表的额定电流进行检查和

电路被呈现以帮助评价

在实验台上的驱动性能。

低侧驱动器也用于驱动变压器，该

提供隔离MOSFET栅极驱动电路或

在电源两端的隔离边界的通信。

在这些应用中，驱动器需要处理的关注

具体到变压器驱动，稍后讨论。

低端驱动器，可能会显得平凡的话题;多篇论文

已经写在题目。虽然经常表现为

理想电压源，可源出或吸入电流

由该电路的串联阻抗来确定，在当前

可从一个驱动器，实际上受限于离散或

集成电路设计。这说明审查的基本

司机从应用观点来看，则要求

调查用于测试和评估当前的方法

在实验台上的驱动能力。

介绍

在许多低到中等功率应用中，低侧

（接地参考） MOSFET是由输出引脚驱动

PWM控制IC ，切换感性负载。该解决方案

是可以接受的PWM输出电路能驱动

MOSFET与不接受的开关时间

耗散过多的功率。作为系统的功率

需求的增长，对开关的个数和关联

驱动电路增加。由于控制电路的复杂性

的增加，正成为IC更常见

厂商忽略，因为接地板上的驱动程序

和噪声的问题。

同步整流器（ SR）的越来越多地用于代替

标准整流器时，效率高，功率增加

密度是很重要的。这是常见的隔离电源

阶段提供安培数为并行的两个或多个低

电阻的MOSFET中的每个整流腿，且这些

设备需要的电流脉冲达到几个安培

在副100ns的时间内所需的切换装置。

外部驱动器可以提供这些高电流脉冲和一个

是指实施时机，以消除直通和

优化效率来控制SR运行。此外，

驱动程序可以翻译逻辑的控制电压，以最

有效的MOSFET驱动电平。

钳位感应开关

简化的升压转换器中的图1提供了

示意了典型电源电路与一个夹紧

感性负载。当MOSFET Q被接通时，输入

电压V

跨越电感器L和电流施加

倾斜上升以线性的方式来存储能量在电感器。

当MOSFET关断时，电感电流流

通过二极管D1和传递能量到C

OUT

和R

负载

电压V

。电感假定足够大，以

保持切换期间的电流恒定。

BYP

OUT

负载

OUT

图1 。

简化的升压转换器

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修订版1.0.3 10年1月6日

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应用说明

该电路的波形的MOSFET导通成

钳位电感性负载中示出了图2中。

在时间t1时，我

增加快速充电

的C组合

和C

至栅极的阈值电压

通过在图3所示的路径（ a）所示。在此间隔中，

在MOSFET进行无电感电流。

作为间隔t2开始时，MOSFET开始导通电流

在所述线性模式为：

( V

)

(1)

通过在图3所示的电流路径（ b）所示。并行

的C组合

和C

从阈值被充电

电压由下式给出一个平台级别

(2)

作为漏电流上升，从零到我

. Q

GS2

是电荷

这个过渡过程中需要，可以从所确定的

MOSFET数据表的特性曲线，如图

应用实例在本节后面介绍。 Q

GS2

允许对需要这种过渡时间计算：

t 2

IDS ，上升

GS 2

(3)

时间

图2中。

MOSFET开启带感性负载

整个T2 ，V

保持在V

OUT

通过二极管D钳制

在t2结束时，在MOSFET导通的全部余

当前

和二极管整流。

作为间隔t3的开始，栅极电流流过

并且，如图3中的MOSFET通道（c ）。所有

我

用来释放

为V

保持在V

和

开始下降与给定的时间段：

图3表示在该有源栅极电流路径

在MOSFET的各个间隔打开-on过程。

VDS ，秋天

(4)

在间隔T4我

流经℃的组合

, C

而降低通道电阻R

，如图

图3 （ d）所示。在t4时，栅极 - 源极电压从上升

高原级到V

。这允许确定的

总栅极电荷Q

G，T

到开启MOSFET需要。

作为漏极电流t2和V中上升

T3在下降，

该MOSFET的同步高两端的电压，并

高的电流流过它，所以瞬时功率

可以是非常高的。一个方程与我

于切换

区间转弯过程中的损失是：

SW ，ON

在LOAD

(

)

GS2

G，T 3

G，T 2

网络连接gure 3 。

当前路径在MOSFET开启

(5)

代表MOSFET的串联组合

连同任何串联门极电阻的内部栅极电阻。

表示驾驶者的内阻，其

在整个开关周期有效值的变化。

如下图所示，驱动电流，我

，由下式确定

在参考文献提出了组合信息[1]和[2]。

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修订版1.0.3 10年1月6日

该方程表示I的大小的重要性

相对于开关损耗。不幸的是，有

没有正规方程计算当前可从

定的驱动程序，作为输出电压摆幅在其整个

范围内。经验方法可确定的I值

不同的驱动器的输出电压电平，并在呈现

部分“评估在台驱动程序”下面。

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AN-6069

应用说明

对于一个实际的例子中，栅极 - 源极电压相对于总

栅极电荷从仙童FCP20N60转载

图4.功率MOSFET数据表中的曲线

使用测试电路，其驱动的栅极产生的

被测设备（ DUT）的具有小电流源

3毫安。在本实施例中，栅极电荷所需的到达

3V的阈值电压约为7nC 。充电

在间隔t2 ，Q所需

GS2

被发现为14nC - 7nC

= 7nC 。在时间间隔t3时， Q的值

被发现是Q

46nC - 14nC = 32nC 。 Q在这个典型的案例，效果

对开关损耗比更显著

从Q产生的贡献

GS2

FCP20N60

-I

图5中。

时间

图4中。

与Q

对于FCP20N60

MOSFET关闭感性负载

随着V

在最终的驱动电平，对于Q值

G，总

是已知的。

您的偏置电源所需的平均电流：

(6)

在T5的时间间隔，我

上升到放电V

从V

对

由（2）定义的平台水平。在T6的时间间隔，V

遗体

在高原的电压，而V

上升到断开状态的电压。

T6的时间间隔持续近似为一个时间：

其中f

是功率级的开关频率。

与已知的平均电流的要求，输入

电源从V画

偏压电源，可以发现如下：

t 6

VDS ，上升

(8)

(7)

该电路的波形，并在电感电流路径

负载关闭类似于那些用于导通，但在采取

相反的顺序进行。为简便起见，该电路的波形是

如图5所示，但电流路径中未示出。

在t7的时间间隔，则漏极电流I

从I的值落在

为0，而V

从V瀑布

到V

。这个时间间隔是

由下式给出：

IDS ，秋天

GS,2

(9)

在T8间隔，V

从阈排出

电压为零。

一个方程与我

到转弯时的开关损耗

关间隔由下式给出：

SW .OFF

在LOAD

(

)

GS 2

G，T 7

G，T 6

(10)

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应用说明

同步整流操作

经营作为同步整流器，MOSFET （ SR ）

经历的切换间隔显著不同于

一个钳位电感性负载的情况下。图6示出

用简化的正向转换器功率级

同步整流Q

代替续流二极管的。

关闭

Q， SR

(11)

其中Q

QSR

在参考[3]定义为：

Q， SR

GD ， SR

)

此外，在参考文献[3 ] ，C

GS ， SR

被估计为：

(12)

GD ， SR

RSS ， SPEC

DS ， SPEC

0.5

(13)

从标准MOSFET的命名：

国际空间站

RSS

(14)

图6 。

简化的正向转换器

在本例中，由控制产生一个SR信号

电路跨过隔离边界，以保持

同步整流Q

上而Q1关断。然而，该

SR信号应指挥Q

Q 1匝之前关闭

上施加正电压施加到变压器。图7

示出了用于示出关断序列4的间隔

的同步整流器。

美国证券交易委员会

在图7 （ b）中， MOSFET完全关闭，我

通过FL OWS

体二极管，和V

美国证券交易委员会

极性没有改变。

当V

美国证券交易委员会

改变极性，如图7（ c）所示，

从V电流FL OWS

美国证券交易委员会

恢复所存储的体二极管

充二极管整流。在图7 （ d）所示，体

二极管已经完全康复和V

迅速上升。该

高dv / dt的MOSFET的漏极可导致电容

电流流过了C

分压器，所以

驱动程序具有很强的灌电流能力是必不可少举行

低于阈值电压的栅极电压。

在同步整流器应用，我

不影响

开关损耗，因为它在被夹持的电感性负载做

应用程序。然而，用在SR的并联MOSFET

应用需要高的电流脉冲切换

有效地和高电流驱动器通常位于

近在咫尺。

变压器驱动应用

DBD

低

(b)

(a)

美国证券交易委员会

+ D

DBD

在功率转换器，例如一个半桥，全桥，双

开关正激转换器;和有源钳位正激

转换器有高压侧开关或组合

必须控制的高/低的开关。如果电

隔离不控制和电源之间需要

开关，所述的MOSFET可被驱动与

半导体半桥栅极驱动器，但内在

传播延迟必须在设计中加以考虑。为

需要隔离，或可从短受益电路

传播延迟，栅极驱动变压器应

认为是一个潜在的解决方案。

在一个相关的应用中，通常需要提供高

初级和次级之间的高速通信

分离的转换器的两侧。这是可以实现

使用的技术，如光隔离数字输出

或磁脉冲变压器。这些脉冲变压器

类似于栅极驱动变压器，但它们仅

传输逻辑信号，而不是提供所需

高电流脉冲把一个功率MOSFET开启和关闭。

图8所示的简化的电路是用来说明本

一个低侧驱动器和脉冲变压器的基本动作

在通信电路中使用。变压器显示

作为理想变压器匝数比NP： NS = 1： 1并联

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低

DBD

(c)

(d)

图7 。

SR MOSFET关闭

先关闭时，MOSFET导通负载电流的余

通过该电阻通道

和漏极 - 源极

电压是负的。在图7 （a）该驱动器的输出是

低和C的组合

和C

在放电

平行于由给定的时间间隔：

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应用说明

与激磁电感L

MAG

。在这两种情况下，直流

阻断电容C

是足够的，使得其电压为大

大致恒定。

直接施加到初级绕组的T1，则

变压器会饱和，并且不能够传递有用

信息。为了防止这种情况，耦合电容C

串联插入与初级绕组阻断直流

电压，同时使V形的交流电部

OUT

信号。

设计用于脉冲和栅极驱动应用的变压器

通常指定一个电压 - 时间乘积的装置可以

承受不饱和变压器。

在许多情况下，相同的变压器可以用作任

脉冲变压器动作或栅极驱动变压器。在

为0，在两个应用程序之间的主要区别是在

电流波形。用恒定的驱动电压和

激磁电感，L

MAG

中，磁化电流I

MAG

是在这两个电路是相同的。在脉冲变压器

在0所示的波形（ a）中，电阻器电流IR如下所述

二次电压V

和驱动器提供的电流

是这两种组分的总和。在MOSFET的栅极

在0 （二）所示的驱动波形，

栅极电流IG处于接通和负正脉冲

脉冲关闭。如在第一个例子中，驱动器

提供电流即这两种成分的总和，

但波形具有较大的RMS值，由于高

电流脉冲。

它检查电流流动的方向是很重要的

驱动器和变压器为0.当实例之间

OUT

摆幅高，如图11 （ a）中，人们可能预期

驾驶员立即输出电流。然而，该

磁化电流为负，并且如果负载电流是不

比励磁电流越大，则驱动程序必须宿

目前为止IDR变正。与此相反的情况存在，

在图11 （ b）所示，当V

OUT

从高至低，

预期操作为当驾驶员必须输出一个电流

电流吸收器。图11 （ c）所示的附加二极管提供

当前路径，如果司机不能吸收电流当V

OUT

高温或电源电流在V

OUT

是低的，如在驱动器中找到

具有双极输出级。

网络连接gure 8 。

简化的脉冲变压器电路

在图9中，电路被修改，使得该电阻是

由一个MOSFET的栅极 - 源极端子取代

位于电桥电路的高压侧。

+散装

NP： Ns个

MAG

OUT

图9 。

简化栅极驱动变压器电

0（ a）示出了脉冲的操作波形

变压器电路，而0 （b）表示在一个门操作

驱动程序。

OUT

脉冲变压器

(a)

门变压器

(a)

(b)

图10 （一）脉冲变压器波形和

（二）栅极驱动变压器波形

司机波动从0V到V的输出

生产

DC分量等于V

X占空比。如果这个电压是

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(b)

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FAN3278 - 30V PMOS- NMOS桥驱动器

2011年1月

FAN3278

30V PMOS- NMOS桥驱动器

特点

8V至27V最佳工作范围

驱动高端PMOS和低侧NMOS中

电机控制或降压降压应用

输出驱动电压的幅度有限： < 13V

对于V

高达30V

偏见每个负载设备电源用一个100kΩ

电阻器时， V

下面的操作水平

低电压TTL输入阈值

峰值栅极驱动电压为12V ： 1.5A +水槽， -1.0A源

内部电阻保持驱动器时关闭

没有输入当前

8引脚SOIC封装

额定温度范围为-40 ° C至+ 125 ° C环境

描述

该FAN3278双1.5A门驱动器进行了优化开车

高侧P沟道MOSFET和低侧

在电机控制应用中的N沟道MOSFET

从一个电压轨到27V运行。内部电路

限制施加到外部的栅极上的电压

MOSFET，以13V最大。该驱动器具有TTL输入

阈值，并提供了从缓冲器和电平转换

逻辑输入。内部电路防止输出

从若V操作开关设备

供应

电压低于IC的工作水平。内部100kΩ的

电阻偏压非反相输出低，并且

反相输出至V

保持外部MOSFET

关闭启动时的时间间隔时，逻辑控制信号

可以不存在。

该FAN3278驱动器集成了一个用于MOSFET器件

最后输出级贯穿，提供高电流

MOSFET的导通/关断的过渡，尽量减少

开关损耗。内部栅极驱动稳压器

操作时，提供最佳的栅极驱动电压

从8V至27V轨道。在FAN3278可以驱动

从低于8V的电压轨;然而，它的栅

驱动电流减小。

该FAN3278具有两个独立的使能引脚

缺省为ON ，如果没有连接。如果ENABLE引脚

非反相通道A被拉低， OUTA被强制

低。如果ENABLE引脚的反向通道B

拉低， OUTB强制为高。如果一个输入是左

悬空，内部电阻偏置输入，使得

外部MOSFET的关断。

应用

电机控制与PMOS / NMOS半桥

CON组fi guration

降压转换器，具有高边PMOS器件;

100 ％占空比工作的可能

逻辑控制负载电路，具有高边

PMOS开关

图1.典型应用

2010仙童半导体公司

FAN3278 版本1.0.0

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FAN3278 - 30V PMOS- NMOS桥驱动器

订购信息

产品型号

FAN3278TMX

逻辑

非反相通道和负输出通道与双启动

输入

门槛

TTL

填料

法

2500个单位

磁带&卷轴

图2.典型的3相鼓风机电机驱动应用

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FAN3278 - 30V PMOS- NMOS桥驱动器

引脚配置

图3.引脚CON组fi guration （顶视图）

热特性

(1)

包

8引脚小外形集成电路（ SOIC ）

JL(2)

JT(3)

JA(4)

JB(5)

JT(6)

单位

° C / W

注意事项：

从热模拟得出1.估计;实际值取决于应用。

2. Theta_JL （

）：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻

（包括任何热焊盘），其典型地焊接到PCB上。

3. Theta_JT （

）：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，

假设它被保持在均匀的温度由顶侧的散热片。

4. Theta_JA （ Θ

）：结点和环境之间的热阻，取决于PCB设计，散热，

和气流。给出的值是用于自然对流与使用2S2P板没有散热片，如在规定的

JEDEC标准JESD51-2 ， JESD51-5和JESD51-7 ，适当。

5. Psi_JB （

）：热特性参数提供半导体结之间的相关性

温度和热环境中注4中定义为一个应用电路板的基准点

采用SOIC - 8封装，电路板参考被定义为相邻引脚6的PCB铜。

6. Psi_JT （

）：热特性参数提供半导体结之间的相关性

温度和包装件的顶附注4所定义的热环境的中心。

引脚德网络nitions

针＃

名字

ENA

ENB

GND

INA

INB

OUTA

OUTB

描述

使能输入通道A.

拉引脚为低电平，以抑制驾驶员A. ENA具有TTL阈值。

使能输入通道B.

拉引脚为低电平，以抑制驱动程序B. ENB具有TTL阈值。

地面上。

用于输入和输出电路的公共接地参考。

输入通道A.

输入通道B.

栅极驱动输出答：

保持为低电平，除非需要输入存在和V

是上述内部

电压阈值，其中所述集成电路是起作用的。

栅极驱动输出B

（从输入反相的）。高举除非所需的输入存在

和V

是上述内部电压阈值，其中所述集成电路是起作用的。

电源电压。

提供电源IC 。

VDD

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FAN3278 版本1.0.0

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FAN3278 - 30V PMOS- NMOS桥驱动器

输出逻辑

FAN3278 （通道A ）

ENA

(7)

INA

(7)

OUTA

ENB

(7)

FAN3278 （通道B ）

INB

(7)

OUTB

注意：

如果是由无外部连接7.默认的输入信号。

框图

100k

ENA

13V

ENB

INA

100k

预驱动器

100k

OUTA

低端

DRIVE

调节器

GND

VDD

高边

DRIVE

调节器

预驱动器

100k

INB

100k

OUTB

- 13V

图4.框图

2010仙童半导体公司

FAN3278 版本1.0.0

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FAN3278 - 30V PMOS- NMOS桥驱动器

绝对最大额定值

应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或

操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。

此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。

绝对最大额定值仅为应力额定值。

符号

OUT

英镑

ESD

VDD至PGND

ENA ， ENB到GND

INA ， INB到GND

OUTA ， OUTB到GND

参数

分钟。

-0.3

马克斯。

30.0

单位

GND - 0.3 V

+ 0.3

GND - 0.3 V

+ 0.3

GND - 0.3 V

+ 0.3

+260

-55

-65

人体模型， JEDEC JESD22- A114

带电器件模型， JEDEC JESD22- C101

+150

引线焊接温度（ 10秒）

结温

储存温度

静电放电

防护等级

推荐工作条件

推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐

工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不

建议超过或设计，以绝对最大额定值。

符号

电源电压范围

开启电压（ ENA ， ENB ）

输入电压（ INA ， INB ）

参数

分钟。

-40

马克斯。

+125

单位

°C

工作环境温度

2010仙童半导体公司

FAN3278 版本1.0.0

www.fairchildsemi.com

FAN3268 -2A低压PMOS- NMOS桥驱动器

2011年1月

FAN3268

2A低压PMOS- NMOS桥驱动器

特点

4.5V至18V工作电压范围

驱动高端PMOS和低侧NMOS中

电机控制或降压降压应用

反向通道B的偏见高端PMOS

设备关闭（内部100kΩ的电阻器）时，

低于UVLO阈值

TTL输入阈值

在V 2.4A吸入/ 1.6A源

OUT-

内部电阻器打开驱动程序关闭。如果没有输入

MillerDrive 技术

8引脚SOIC封装

额定温度范围为-40 ° C至+ 125 ° C环境

描述

在FAN3268双2A的栅极驱动器被优化以驱动

高边P沟道MOSFET和低侧N-沟道

MOSFET在电机控制应用从操作系统

电压轨至18V 。该驱动器具有TTL输入

阈值和提供缓冲和电平转换

从逻辑输入功能。内部电路提供了一个

欠压锁定功能，可防止输出

从若V操作开关设备

供应

电压低于操作电平。内部100kΩ的

电阻偏压非反相输出低，并且

反相输出至V

保持外部MOSFET

关闭启动时的时间间隔时，逻辑控制信号

可以不存在。

该FAN3268驱动器采用MillerDrive

架构用于最后输出级。这种双极性

MOSFET的组合提供了在高电流

的MOSFET导通米勒平台阶段/关闭

进程，以减少开关损耗，同时提供rail-

到轨电压摆动和反向电流能力。

该FAN3268具有两个独立的使能引脚

默认情况下，如果在没有连接。如果使能引脚用于非

反转通道A被拉低， OUTA被拉低;如果

使能引脚的反向通道B被拉低，

OUTB被强制为高。如果输入悬空，

内部电阻的偏压输入端，使得所述外部

MOSFET的关断。

应用

电机控制与PMOS / NMOS半桥

CON组fi guration

降压转换器，具有高边PMOS器件;

100 ％占空比工作的可能

逻辑控制负载电路，具有高边

PMOS开关

图1.典型的电机驱动应用

2009仙童半导体公司

FAN3268 版本1.0.1

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FAN3268 -2A低压PMOS- NMOS桥驱动器

订购信息

产品型号

FAN3268TMX

逻辑

非反相通道和反相

通道+双启用

输入阈值

TTL

包装方法

2500个单位

磁带&卷轴

包装外形

图2.引脚配置（顶视图）

热特性

(1)

包

8引脚小外形集成电路（ SOIC ）

注意事项：

从热模拟推算值;实际值取决于应用。

Theta_JL （

）：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻（包括任何

导热垫），它们通常焊接到PCB上。

Theta_JT （

）：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，假设它是

在同一温度下通过一个顶侧的散热片保持。

Theta_JA （ Θ

）：结点和环境，依赖于PCB设计，散热和气流之间的热阻。

给出的值是用于自然对流与使用2S2P板没有散热片，如在JEDEC标准JESD51-2指定

JESD51-5和JESD51-7 ，根据。

Psi_JB （

）：热特性参数提供半导体结温的相关性

注4.热环境应用电路板参考点定义的SOIC - 8封装，电路板

参考被定义为相邻的6引脚PCB的铜。

Psi_JT （

）：热特性参数提供半导体结温之间的相关性

中心的包装的顶部附注4所述的热环境。

JL(2)

JT(3)

JA(4)

JB(5)

JT(6)

单位

° C / W

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FAN3268 版本1.0.1

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FAN3268 -2A低压PMOS- NMOS桥驱动器

引脚德网络nitions

针＃

名字

ENA

ENB

GND

INA

INB

OUTA

OUTB

描述

使能输入通道A.

拉引脚为低电平，以抑制驾驶员A. ENA具有TTL阈值。

使能输入通道B.

拉引脚为低电平，以抑制驱动程序B. ENB具有TTL阈值。

地面上。

用于输入和输出电路的公共接地参考。

输入通道A.

输入通道B.

栅极驱动输出答：

保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V

高于UVLO

门槛。

栅极驱动输出B

（从输入反相）：高举除非所需的输入是当前和V

高于UVLO阈值。

电源电压。

提供电源IC 。

VDD

输出逻辑

FAN3268 （通道A ）

ENA

(7)

FAN3268 （通道B ）

OUTA

ENB

(7)

INA

(7)

INB

(7)

OUTB

(7)

注意：

如果是由无外部连接7.默认的输入信号。

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FAN3268 版本1.0.1

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FAN3268 -2A低压PMOS- NMOS桥驱动器

框图

VDD

100k

VDD

100k

ENA

ENB

INA

100k

OUTA

GND

UVLO

VDD

DD_OK

100k

INB

100k

OUTB

图3.框图

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FAN3268 版本1.0.1

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FAN3268 -2A低压PMOS- NMOS桥驱动器

绝对最大额定值

应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或

操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。

此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。

绝对最大额定值仅为应力额定值。

符号

OUT

英镑

ESD

VDD至PGND

ENA ， ENB到GND

INA ， INB到GND

OUTA ， OUTB到GND

参数

分钟。

-0.3

马克斯。

20.0

单位

GND - 0.3 V

+ 0.3

GND - 0.3 V

+ 0.3

GND - 0.3 V

+ 0.3

+260

-55

-65

人体模型， JEDEC JESD22- A114

带电器件模型， JEDEC JESD22- C101

3.5

+150

引线焊接温度（ 10秒）

结温

储存温度

静电放电

防护等级

推荐工作条件

推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐

工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不

建议超过或设计，以绝对最大额定值。

符号

电源电压范围

开启电压（ ENA ， ENB ）

输入电压（ INA ， INB ）

参数

分钟。

4.5

-40

马克斯。

18.0

+125

单位

工作环境温度

电气特性

除非另有说明，V

= 12V和T

= -40 ° C至+ 125°C 。电流被定义为正进入设备和

负出的设备。

符号

供应

关闭

参数

工作范围

电源电流输入/ EN不

连接的

导通电压

关断电压

条件

分钟。

4.5

典型值。马克斯。

18.0

0.75

1.20

4.3

4.1

单位

INA = ENA = V

， INB = ENB = 0V

INA = ENA = V

， INB = ENB = 0V

3.5

3.3

3.9

3.7

输入

(8)

HYS

INx的逻辑阈值低

INx的逻辑阈值高

逻辑滞后电压

0.8

1.2

1.6

2.0

0.8

0.2

0.4

2009仙童半导体公司

FAN3268 版本1.0.1

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FAN3226 / FAN3227 / FAN3228 / FAN3229 - 双路2A高速，低侧栅极驱动器

2011年1月

FAN3226 / FAN3227 / FAN3228 / FAN3229

双路2A高速，低侧栅极驱动器

特点

工业标准引脚

4.5至18V工作电压范围

3A峰值吸入/源出在V

= 12V

在V 2.4A吸入/ 1.6A源

OUT

= 6V

的TTL或CMOS输入阈值的选择

四个版本的双独立驱动器：

描述

该FAN3226-29系列双2A栅极驱动器是

设计用于驱动N沟道增强模式

在低侧开关应用由MOSFET的

期间短，提供高的峰值电流脉冲

切换的时间间隔。该驱动程序可与任

TTL或CMOS输入阈值。内部电路

通过举办提供了欠压锁定功能

输出低电平，直到电源电压范围内

工作范围。此外，该驱动器具有相匹配

A和B信道之间的内部传播延迟

对于需要用批判的双栅极驱动应用

定时，诸如同步整流器。这使得

连接两个驱动器并联，有效地增加一倍

电流能力驱动单个MOSFET 。

该FAN322X司机纳入MillerDrive

架构用于最后输出级。这种双极性

MOSFET的组合提供了在高电流

的MOSFET导通米勒平台阶段/关闭

进程，以减少开关损耗，同时提供rail-

到轨电压摆动和反向电流能力。

该FAN3226提供两个反相驱动器和

FAN3227提供了两个非反相驱动器。每个器件

具有双独立的使能引脚，默认为On

未连接。在FAN3228和FAN3229 ，每

信道具有相反极性的双输入，这

可以配置为同相或反相

使用第二个可选的输入使能功能。如果一个人

或两个输入悬空，内部电阻

偏置输入，使得输出被拉低举行

功率MOSFET关断。

双反相+使能（ FAN3226 ）

双非反相+使能（ FAN3227 ）

双输入的两个引脚输出配置：

兼容FAN3225x （ FAN3228 ）

兼容TPS2814D （ FAN3229 ）

内部电阻器打开驱动程序关闭。如果没有输入

MillerDrive 技术

为12ns / 9ns典型的上升/下降时间与1nF的负载

典型传播延迟20ns的下匹配

为1ns的另一个通道内

双电流能力通过并联通道

8引脚的3x3mm MLP或8引脚SOIC封装

额定温度范围为-40 ° C至+ 125 ° C环境

应用

开关模式电源

高效率MOSFET开关

同步整流电路

的DC- DC转换器

电机控制

服务器