FAN3111 - 单1A高速，低侧栅极驱动器
2009年4月
FAN3111 - 单1A高速，低侧
栅极驱动器
特点
1.4A峰值吸入/源出在V
DD
= 12V
在V 1.1A吸入/ 0.9A源
OUT
= 6V
4.5至18V工作电压范围
FAN3111C兼容FAN3100C足迹
两个输入配置：
双CMOS输入，可配置为
非反相或启用功能反转
单非反相，低电压输入
具有低电压控制器的兼容性
体积小便于分布式驱动程序
并联功率器件
15ns的典型延迟时间
9ns典型上升/ 8ns的典型下降时间
470pF的负载
5引脚SOT23封装
额定温度范围为-40 ° C至125 ° C环境
描述
该FAN3111 1A栅极驱动器设计用于驱动一个N
沟道增强型MOSFET的低侧
开关应用。
两个输入选项可供选择： FAN3111C具有双
CMOS输入阈值参考V
DD
对于使用
与PWM控制器和其他输入信号源
该操作在相同的电源电压作为驱动力。
用于与低电压控制器和其他输入 - 使用
从一个较低的电源电压下工作的信号源
比驱动，该电源电压也可以被用作
参考的FAN3111E的输入阈值。
这种驱动器具有一个单一的，非反相的，低电压输入
外加直流输入电压V
外部参照
外部参考电压
取值范围为2到5V 。
在FAN3111是提供一种无铅光洁度业界
标准的5引脚SOT23封装。
应用
开关模式电源
同步整流电路
脉冲变压器驱动器
逻辑电源缓冲器
电机控制
图1 。
FAN3111C （顶视图）
图2中。
FAN3111E （顶视图）
2008飞兆半导体公司
FAN3111 版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
FAN3111 - 单1A高速，低侧栅极驱动器
订购信息
产品型号
FAN3111CSX
FAN3111ESX
输入
门槛
CMOS
外
包
5引脚SOT23
5引脚SOT23
生态状况
RoHS指令
RoHS指令
包装方法
磁带&卷轴
磁带&卷轴
单位数量
REEL
3,000
3,000
对于生态地位飞兆半导体的定义，请访问：
http://www.fairchildsemi.com/company/green/rohs_green.html 。
热特性
5引脚SOT23
(1)
包
Θ
JL
(2)
Θ
JT
(3)
Θ
JA
(4)
Ψ
JB
(5)
Ψ
JT
6
(6)
单位
° C / W
58
102
161
53
注意事项：
从热模拟得出1.估计;实际值取决于应用。
2. Theta_JL （
JL
） ：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻
（包括任何热焊盘），其典型地焊接到PCB上。
3. Theta_JT （
JT
） ：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，
假设它被保持在均匀的温度由顶侧的散热片。
4. Theta_JA （ Θ
JA
） ：结点和环境之间的热阻，取决于PCB设计，散热，
和气流。给出的值是用于自然对流不带散热片，如在JEDEC标准中所规定
JESD51-2 ， JESD51-5和JESD51-7 ，适当。
5. Psi_JB （
JB
） ：热特性参数提供半导体结之间的相关性
温度和热环境中注4中定义为一个应用电路板的基准点
在MLP - 8封装，电路板参考被定义为PCB铜连接到散热垫
从包的两端突出。对于SOIC - 8封装，电路板参考被定义为PCB
铜相邻引脚6 。
6. Psi_JT （
JT
） ：热特性参数提供半导体结之间的相关性
温度和包装件的顶附注4所定义的热环境的中心。
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5
名字
VDD
GND
IN +
IN-
外部参照
OUT
描述
电源电压。
提供电源IC 。
地面上。
用于输入和输出电路的公共接地参考。
非反相输入端。
连接到VDD ，使输出。
FAN3111C反相输入端。
连接至GND ，使输出。
FAN3111E外部参考电压。
参考输入阈值， 2V至5V 。
栅极驱动输出。
保持为低电平，除非需要投入都存在。
输出逻辑与双输入配置
IN +
0
0
(7)
(7)
IN-
0
1
(7)
OUT
0
0
1
0
1
1
0
1
(7)
注意：
如果是由无外部连接7.默认的输入信号。
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绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
DD
V
IN
V
外部参照
V
OUT
T
L
T
J
T
英镑
ESD
VDD到GND
电压至GND
在XREF对地电压
输出电压至GND
参数
FAN3111C
FAN3111E
FAN3111E
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
马克斯。
20.0
V
DD
+ 0.3
V
外部参照
+0.3
5.5
V
DD
+0.3
+260
+150
单位
V
V
V
V
V
C
C
C
kV
V
引线焊接温度（ 10秒）
结温
储存温度
人体模型， JESD22- A114
带电器件模型， JESD22- C101
-65
4
750
+150
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
V
DD
V
IN
V
外部参照
T
A
电源电压范围
输入电压
参数
分钟。
4.5
FAN3111C
FAN3111E
FAN3111E
0
0
2.0
-40
马克斯。
18.0
V
DD
V
外部参照
5.0
+125
单位
V
V
V
V
C
外部参考电压XREF
工作环境温度
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电气特性
除非另有说明，V
DD
= 12V, V
外部参照
= 3.3V ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C 。电流被定义为正进
设备和负出器件。
符号
供应
V
DD
I
DD
参数
工作范围
静态电源电流
条件
分钟。
4.5
典型值。
马克斯。
18.0
单位
V
A
未连接的输入
5
10
输入（ FAN3111C ）
V
IL_C
V
IH_C
I
INL
I
INH
V
HYS_C
在逻辑上，低电压阈值
在逻辑上，高电压阈值
在当前的低
目前，高
输入电压滞后
在从0到V
DD
在从0到V
DD
-1
-175
17
30
38
55
70
175
1
%V
DD
%V
DD
A
A
%V
DD
输入（ FAN3111E ）
V
IL_E
V
IH_E
I
INL
I
INH
V
HYS_E
产量
I
SINK
I
来源
I
PK_SINK
I
PK_SOURCE
t
上升
t
秋天
输出电流，中压，沉没
(8)
在逻辑上，低电压阈值
在逻辑上，高电压阈值
在当前的低
目前，高
输入电压滞后
在从0到V
外部参照
在从0到V
外部参照
25
30
50
60
50
1
20
%V
外部参照
%V
外部参照
A
A
%V
外部参照
-1
-50
OUT在V
DD
/2,
C
负载
= 47nF的， F = 1KHz的
OUT在V
DD
/2,
C
负载
= 47nF的， F = 1KHz的
C
负载
= 47nF的， F = 1KHz的
C
负载
= 47nF的， F = 1KHz的
C
负载
= 470pF的
C
负载
= 470pF的
FAN3111C ：
0 - 12V
IN
,
1V / ns的压摆率
FAN3111E ：
0 - 3.3V
IN
,
1V / ns的压摆率
1.1
-0.9
1.4
-1.4
9
8
18
17
A
A
A
A
ns
ns
输出电流，中压，采购
输出电流，峰值，沉没
(9)
(8)
(8)
(8)
输出电流，峰值，采购
输出上升时间
输出下降时间
(9)
t
D1
, t
D2
输出支柱。延迟
(9)
15
30
ns
I
RVS
输出反向电流耐受
(8)
250
mA
注意事项：
8.在生产测试。
9.
见时序图。
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栅极驱动器
特点
1.4A峰值吸入/源出在V
DD
= 12V
在V 1.1A吸入/ 0.9A源
OUT
= 6V
4.5至18V工作电压范围
FAN3111C兼容FAN3100C足迹
两个输入配置：
双CMOS输入，可配置为
非反相或启用功能反转
单非反相，低电压输入
具有低电压控制器的兼容性
体积小便于分布式驱动程序
并联功率器件
15ns的典型延迟时间
9ns典型上升/典型为8ns下降时间与470pF的
负载
5引脚SOT23封装
额定温度范围为-40 ° C至125 ° C环境
描述
该FAN3111 1A栅极驱动器设计用于驱动一个N
沟道增强型MOSFET的低侧
开关应用。
两个输入选项可供选择： FAN3111C具有双
CMOS输入阈值参考V
DD
对于使用
与PWM控制器和其他输入信号源的
从相同的电源电压作为驱动器操作。为
具有低电压控制器和其它输入信号使用
从比在较低的电源电压下工作的来源
的驱动程序，即电源电压，也可以使用作为
参考的FAN3111E的输入阈值。
这种驱动器具有一个单一的，非反相的，低电压输入
外加直流输入电压V
外部参照
外部参考电压
取值范围为2到5V 。
在FAN3111是提供一种无铅光洁度业界
标准的5引脚SOT23封装。
应用
开关模式电源
同步整流电路
脉冲变压器驱动器
逻辑电源缓冲器
电机控制
图1 。
FAN3111C （顶视图）
图2中。
FAN3111E （顶视图）
2008飞兆半导体公司
FAN3111 版本1.0.2
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订购信息
产品型号
FAN3111CSX
FAN3111ESX
输入
门槛
CMOS
外
包
5引脚SOT23
5引脚SOT23
包装方法
磁带&卷轴
磁带&卷轴
单位数量
REEL
3,000
3,000
热特性
(1)
包
5引脚SOT23
JL(2)
58
JT(3)
102
JA(4)
161
JB(5)
53
JT(6)
6
单位
° C / W
注意事项：
从热模拟得出1.估计;实际值取决于应用。
2. Theta_JL （
JL
） ：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻
（包括任何热焊盘），其典型地焊接到PCB上。
3. Theta_JT （
JT
） ：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，
假设它被保持在均匀的温度由顶侧的散热片。
4. Theta_JA （ Θ
JA
） ：结点和环境之间的热阻，取决于PCB设计，散热，
和气流。给出的值是用于自然对流与使用2S2P板没有散热片,,如在指定
JEDEC标准JESD51-2 ， JESD51-5和JESD51-7 ，适当。
5. Psi_JB （
JB
） ：热特性参数提供半导体结之间的相关性
温度和热环境中注4中定义为一个应用电路板的基准点
在MLP - 8封装，电路板参考被定义为PCB铜连接到散热垫
从包的两端突出。对于SOIC - 8封装，电路板参考被定义为PCB
铜相邻引脚6 。
6. Psi_JT （
JT
） ：热特性参数提供半导体结之间的相关性
温度和包装件的顶附注4所定义的热环境的中心。
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5
名字
VDD
GND
IN +
IN-
外部参照
OUT
描述
电源电压。
提供电源IC 。
地面上。
用于输入和输出电路的公共接地参考。
非反相输入端。
连接到VDD ，使输出。
FAN3111C反相输入端。
连接至GND ，使输出。
FAN3111E外部参考电压。
参考输入阈值， 2V至5V 。
栅极驱动输出。
保持为低电平，除非需要投入都存在。
输出逻辑与双输入配置
IN +
0
(7)
0
(7)
1
1
IN-
0
1
(7)
0
1
(7)
OUT
0
0
1
0
注意：
如果是由无外部连接7.默认的输入信号。
2008飞兆半导体公司
FAN3111 版本1.0.2
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绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
DD
V
IN
V
外部参照
V
OUT
T
L
T
J
T
英镑
ESD
VDD到GND
电压至GND
在XREF对地电压
输出电压至GND
参数
分钟。
-0.3
马克斯。
20.0
V
DD
+ 0.3
V
外部参照
+0.3
5.5
V
DD
+0.3
+260
+150
UNI
t
V
V
V
V
V
C
C
C
V
FAN3111C
FAN3111E
FAN3111E
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
引线焊接温度（ 10秒）
结温
储存温度
人体模型， JESD22- A114
带电器件模型， JESD22- C101
-65
2000
2500
+150
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
V
DD
V
IN
V
外部参照
T
A
电源电压范围
输入电压
参数
分钟。
4.5
FAN3111C
FAN3111E
FAN3111E
0
0
2.0
-40
马克斯。
18.0
V
DD
V
外部参照
5.0
+125
单位
V
V
V
V
C
外部参考电压XREF
工作环境温度
2008飞兆半导体公司
FAN3111 版本1.0.2
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电气特性
除非另有说明，V
DD
= 12V, V
外部参照
= 3.3V ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C 。电流被定义为正进
设备和负出器件。
符号
供应
V
DD
I
DD
参数
工作范围
静态电源电流
条件
分钟。
4.5
典型值。
马克斯。
18.0
单位
V
A
未连接的输入
5
10
输入（ FAN3111C ）
V
IL_C
V
IH_C
I
INL
I
INH
V
HYS_C
在逻辑上，低电压阈值
在逻辑上，高电压阈值
在当前的低
目前，高
输入电压滞后
在从0到V
DD
在从0到V
DD
-1
-175
17
30
38
55
70
175
1
%V
DD
%V
DD
A
A
%V
DD
输入（ FAN3111E ）
V
IL_E
V
IH_E
I
INL
I
INH
V
HYS_E
产量
I
SINK
I
来源
I
PK_SINK
输出电流，中压，沉没
(8)
输出电流，中压，采购
(8)
输出电流，峰值，沉没
(8)
输出上升时间
(9)
输出下降时间
(9)
OUT在V
DD
/2,
C
负载
= 47nF的， F = 1KHz的
OUT在V
DD
/2,
C
负载
= 47nF的， F = 1KHz的
C
负载
= 47nF的， F = 1KHz的
C
负载
= 47nF的， F = 1KHz的
C
负载
= 470pF的
C
负载
= 470pF的
FAN3111C ：
0 - 12V
IN
,
1V / ns的压摆率
FAN3111E ：
0 - 3.3V
IN
,
1V / ns的压摆率
1.1
-0.9
1.4
-1.4
9
8
18
17
A
A
A
A
ns
ns
在逻辑上，低电压阈值
在逻辑上，高电压阈值
在当前的低
目前，高
输入电压滞后
在从0到V
外部参照
在从0到V
外部参照
-1
-50
20
25
30
50
60
50
1
%V
外部参照
%V
外部参照
A
A
%V
外部参照
I
PK_SOURCE
输出电流，峰值，采购
(8)
t
上升
t
秋天
t
D1
, t
D2
输出支柱。延迟
(9)
15
30
ns
I
RVS
输出反向电流耐受
(8)
250
mA
注意事项：
8.在生产测试。
9.
见时序图。
2008飞兆半导体公司
FAN3111 版本1.0.2
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