FA57SA50LCP
威世半导体
功率MOSFET ，一个57
特点
500 V
0.08
Ω
57 A
模块 - MOSFET
SOT-227
SOT-227
产品概述
V
DSS
R
DS （ ON）
I
D
TYPE
包
全隔离封装
易于使用和并行
低导通电阻
动态的dv / dt额定值
全额定雪崩
简单的驱动要求
低门电荷设备
低漏到外壳电容
低内部电感
UL PENDING
符合RoHS指令2002/95 / EC
专为工业级
描述
Vishay的HPP第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
采用SOT -227封装的普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以大约500瓦的低热阻
采用SOT - 227促进其广泛接受
在整个工业。
绝对最大额定值
参数
连续漏电流V
GS
10 V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结存储温度范围
绝缘耐压（ AC- RMS）
安装力矩
V
GS
E
AS （2）
I
AR（1）
E
AR（1）
dv / dt的
(3)
T
J
, T
英镑
V
ISO
M4螺钉
符号
I
D
I
糖尿病（1）
P
D
T
C
= 25 °C
测试条件
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
马克斯。
57
36
228
625
5.0
± 20
725
57
62.5
10
- 55至+ 150
2.5
1.3
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
kV
Nm
A
单位
笔记
(1)
重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）
(2)
开始T = 25℃时，L = 446微亨，R = 25
Ω,
I
J
g
AS
= 57 A（见图12 ）
(3)
I
≤
57 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150 °C
SD
文档编号： 94548
修订： 12月10
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1
FA57SA50LCP
威世半导体
热阻
参数
结到外壳
案例下沉，扁平，脂面
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
典型值。
-
0.05
马克斯。
0.20
-
单位
° C / W
功率MOSFET ，一个57
电气特性的影响
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
静态漏极至源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
门源正向漏
栅极至源极反向漏
总栅极电荷
门源费
栅漏（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
记
(1)
脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %
符号
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON） （ 1 ）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 1.0毫安
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V，I
D
= 34 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= 50 V，I
D
= 34 A
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 20 V
V
GS
= - 20 V
I
D
= 57 A
V
DS
= 400 V
V
GS
= 10 V ;参见图。 6和13
(1)
V
DD
= 250 V
I
D
= 57 A
R
g
= 2.0
Ω
（内部）
R
D
= 4.3
Ω,
参见图。 10
(1)
铅，模具联络中心之间
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V
F = 1.0兆赫，见图。五
分钟。
500
-
-
2.0
43
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.62
-
-
-
-
-
-
-
225
51
98
32
152
108
118
5.0
10 000
1500
50
马克斯。
-
-
0.08
4.0
-
50
500
200
- 200
338
77
147
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
nH
ns
nC
单位
V
V /°C的
Ω
V
S
μA
nA
源极 - 漏极额定值和特性
参数
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
(1)
符号
I
S
I
SM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
t
on
测试条件
D
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
901
15
马克斯。
57
单位
MOSFET符号显示
积分反向的p-n
结型二极管。
G
S
A
228
1.3
1351
23
V
ns
μC
T
J
= 25 ° C，I
S
= 57 A，V
GS
= 0 V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 57 A， di / dt的= 100 A / μs的
(2)
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+ L
D
)
笔记
重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）
(2)
脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %
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功率MOSFET ，一个57
威世半导体
I
D
= 57A
1000
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
3.0
2.5
2.0
10
1.5
4.5V
1
1.0
0.5
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图。 1 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
4.5V
C，电容（pF ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
15000
12000
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
西塞
9000
6000
10
科斯
3000
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
CRSS
0
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性
图。 5 - 典型的电容与漏极至源极电压
1000
20
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 150
°
C
I
D
= 57 A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
100
T
J
= 25
°
C
10
12
8
1
4
0.1
4
5
6
7
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
0
0
60
120
180
测试电路
见图13
240
300
360
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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威世半导体
1000
功率MOSFET ，一个57
60.0
I
SD
，反向漏电流（ A）
50.0
10
T
J
= 25
°
C
1
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.8
1.4
2.0
2.6
I
D
，漏电流（ A）
100
T
J
= 150
°
C
40.0
30.0
20.0
10.0
0.0
25
50
75
100
125
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
1000
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
100
V
DS
10us
R
D
V
GS
100us
10
1ms
D.U.T.
+
-
V
DD
R
G
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
1
10
100
10ms
1000
10000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 8 - 最高安全工作区
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90%
0%
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 10B - 开关时间波形
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功率MOSFET ，一个57
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热响应（Z
thJC
)
0.1 D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结到外壳
V
（ BR ） DSS
15 V
tp
V
DS
R
G
20 V
L
司机
D.U.T
I
AS
t
p
0.01
Ω
+
-
V
DD
A
I
AS
图。 12B - 松开电感的波形
图。 12A - 非钳位感应测试电路
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
1500
顶部
底部
1200
ID
25A
35A
57A
900
600
300
0
25
50
75
100
125
150
起始物为
J
，结温（
°
C)
图。 12C - 最大雪崩能量与漏电流
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