三菱半导体砷化镓场效应管
FA01215
砷化镓场效应管混合IC
描述
FA01215是射频混合集成电路设计的900MHz频段
小尺寸的手持电台。
0.6
2
3.5
14.7
14.2
2
3.5
2
单位：mm
特点
=低电压
高增益
高效率
高功率
3.0V
24dB(typ.)
50%
34.5dBm
6
应用
GSM四
1
2
3
4
5
2.25
2.5
2.5
2.5
2.5 1.95
0.25±0.1
1
2
3
0.5±0.15
4
5
6
RF输入
V
G1,2
V
D1
V
D2
RF输出
GND （FIN ）
绝对最大额定值
符号
V
D
P
in
T
C
（ OP ）
T
英镑
参数
漏极电压
输入功率
操作情况下的温度。
储存温度。
条件
P
O
≤34.5dBm
Z
G
=Z
L
=50
Ta
25C
25C
–
–
评级
4.5
15
-20至+85
-30至+90
单位
V
DBM
C
C
注意：每个最大额定值是保证独立和PW = 580μs ，占空比为1月8日操作。
电气特性
(T
a
=25C)
符号
f
P
O
ht
IGT
凛
2fo,3fo
OSC.T
VSWR.T
参数
频率
输出功率
总有效率
共栅电流
回波损耗
第二谐波，三次谐波
稳定性
负载VSWR容差
测试条件
民
最大
890
915
–
34.5
–
50
–
–
-3
–
0
–
–
-6
–
–
-30
–
–
-60
没有退化或破坏
范围
典型值
–
单位
兆赫
DBM
%
mA
dB
dBc的
dBc的
–
Note1
Note2
Note3
Note4
Note5
注1 ：引脚= 13dBm的，V
D
1=V
D
2 = 3.0V （脉冲： P.W. = 580μs ，占空比= 1 /8） ，V
G
1,2=-2.0V,Z
G
=Z
L
=50
注2 ：P
O
= 34.5dBm （引脚控制） ，V
D
1=V
D
2 = 3.0V （脉冲： P.W. = 580μs ，占空比= 1 /8） ，V
G
1,2=-2.0V,Z
G
=Z
L
=50
注3 ：P
O
= 34.5dBm （引脚控制） ，V
D
1=V
D
2=3.0V(DC),V
G
1,2=-2.0V,Z
G
=Z
L
=50
注4 ：P
O
= 0 34.5dBm （引脚控制） ，V
D
1=V
D
2=3.0V(DC),V
G
1,2 = -2.0V ， ρL = 3 ：1（所有阶段）中，Z
G
=50
注5 ：P
O
= 34.5dBm （引脚控制） ，V
D
1=V
D
2 = 4.5V （脉冲： P.W. = 580μs ，占空比= 1 /8） ，V
G
1,2 = -2.0V ， ρL = 6:1 （所有阶段）中，Z
G
=50
十一月'97
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