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F5E1/2/3
的AlGaAs红外发光二极管
包装尺寸
0.209 (5.31)
0.184 (4.67)
描述
该F5E系列是在880nm的发光二极管
广角, TO-46封装。
0.030 (0.76)
0.155 (3.94)
最大
特点
良好的光学机械调整
机械和波长匹配
1.00 (25.4)
概要
阳极
(接
以案例)
阴极
3
阳极
(案例)
到TO- 18系列光电晶体管
密封包装
0.100 (2.54)
0.050 (1.27)
高辐射水平
1
0.040 (1.02)
0.040 (1.02)
45°
1
3
0.020 (0.51) 2X
注意事项:
1,外形尺寸为所有的图纸都是以英寸(毫米) 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 ( 0.25 )
除非另有规定ED 。
1.减免功耗线性1.70毫瓦/ ° C以上25 ° C的环境。
2.减免功耗线性13.0毫瓦/°C, 25°C以上的情况下。
3. RMA助焊剂,推荐。
4,甲醇,异丙醇酒精建议清洗
代理商。
5.烙铁头
1/16”
( 1.6毫米)从最低住房。
6.只要线索都没有在任何压力或弹簧张力
7,总输出功率,P
O
是总功率由装置发射到
为2的立体角
!
球面度。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
焊接温度(铁)
( 3,4,5和6)
焊接温度(流动)
( 3,4和6)
连续正向电流
正向电流( PW ,为10μs ;为100Hz )
正向电流( PW ,为1μs ; 200Hz时)
反向电压
功率耗散(T
A
= 25°C)
(1)
功率耗散(T
C
= 25°C)
(2)
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
I
F
I
F
I
F
V
R
P
D
P
D
等级
-65到+125
-65到+150
240 ,持续5秒
260 ,持续10秒
100
3
10
3
170
1.3
单位
°C
°C
°C
°C
mA
A
A
V
mW
W
电/光特性
参数
测试条件
(T
A
= 25 ℃)(脉冲条件下进行所有的测量)
典型值
最大
单位
符号
峰值发射波长
发射角为1/2电源
正向电压
反向漏电流
总功率F5E1
(7)
总功率F5E2
(7)
总功率F5E3
(7)
上升时间输出的0-90 %
下降时间输出100-10 %
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 3 V
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
& QUOT ;
PE
#
V
F
I
R
P
O
P
O
P
O
t
r
t
f
12.0
9.0
10.5
880
±40
1.5
1.5
1.7
10
nm
度。
V
A
mW
mW
mW
s
s
2001年仙童半导体公司
DS300287
4/25/01
1第3
www.fairchildsemi.com
F5E1/2/3
的AlGaAs红外发光二极管
图1.输出功率与输入电流
10
P
O
,归一化功率电流
1.0
0.1
归一
I
F
= 100毫安
T
A
= 25°C
脉冲输入量
P
W
= 80
微秒
RR = 30赫兹
0.001
1
10
I
F
输入电流(mA)
100
1000
0.01
图2.输出功率与温度的关系
20
I
F
= 1 A
P
O
,归一化功率输出
10
8
6
4
2
I
F
= 100毫安
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
-25
归一
I
F
= 100毫安,吨
A
= 25°C
P
W
= 80
微秒,
F = 30赫兹
3
4
图3.正向电压与温度的关系
P
W
= 80
微秒
F = 30赫兹
I
F
= 1 A
V
F
,正向电压( V)
0.5 A
2
百毫安
10毫安
0
25
50
75
100
125
150
1
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
A
,环境温度( ° C)
T
A
,环境温度( ° C)
图4.典型的辐射模式
100
120
100
相对输出(%)
F5E
60
80
60
40
20
图5.输出与波长
P
O
,相对电流( % )
80
典型光谱
响应SLICON的
光电传感器
F5E
40
20
I
F
= 100毫安
T
A
= 25°C
0
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
700
800
900
1000
θ
- 位移从光轴(度)
λ
- 波长(nm )
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2 3
4/25/01
DS300287
F5E1/2/3
的AlGaAs红外发光二极管
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改,恕不另行通知的权利
以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担
因任何产品或电路的应用或使用任何责任DESCRIBED
此处;它也没有传达任何许可根据其专利权,也没有权利
其他人。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可, FAIRCHILD总统
半导体公司版权所有。如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
其中, ( a)打算通过外科手术系统
植入到体内,或(b )支持或维持生命,
(三)未能履行其在正确
用于按照提供的使用说明
在标签,可以合理预期导致
显著伤害用户。
在生命支持任何组件2.关键部件
设备或系统,其未能履行可
合理预期造成生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
有效性。
DS300287
4/25/01
3 3
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    F5E2
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    -
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    -
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