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F5D1/2/3
的AlGaAs红外发光二极管
包装尺寸
0.209 (5.31)
0.184 (4.67)
描述
该F5D系列是880的纳米LED
窄角， TO- 46封装。
0.030 (0.76)
喃
0.255 (6.48)
特点
1.00 (25.4)
民
良好的光学机械调整
阳极
（案例）
机械和波长匹配
到TO- 18系列光电晶体管
密封包装
高辐射水平
概要
阳极
（接
以案例）
阴极
3
0.100 (2.54)
0.050 (1.27)
1
1
0.040 (1.02)
0.040 (1.02)
45°
3
0.020 (0.51) 2X
注意事项：
1，外形尺寸为所有的图纸都是以英寸（毫米） 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 （ 0.25 ）
除非另有规定ED 。
1.减免功耗线性1.70毫瓦/ ° C以上25 ° C的环境。
2.减免功耗线性13.0毫瓦/°C， 25°C以上的情况下。
3. RMA助焊剂，推荐。
4，甲醇，异丙醇酒精建议清洗
代理商。
5.烙铁头
1/16”
（ 1.6毫米）从最低住房。
6.只要线索都没有在任何压力或弹簧张力
7，总输出功率，P
O
是总功率由装置发射到
为2的立体角
!
球面度。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
焊接温度（铁）
（ 3,4,5和6）
焊接温度（流动）
（ 3,4和6）
连续正向电流
正向电流（ PW ，为10μs ;为100Hz ）
正向电流（ PW ，为1μs ; 200Hz时）
反向电压
功率耗散（T
A
= 25°C)
(1)
功率耗散（T
C
= 25°C)
(2)
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
I
F
I
F
I
F
V
R
P
D
P
D
等级
-65到+125
-65到+150
240 ，持续5秒
260 ，持续10秒
100
3
10
3
170
1.3
单位
°C
°C
°C
°C
mA
A
A
V
mW
W
电/光特性
参数
测试条件
(T
A
= 25 ℃）（脉冲条件下进行所有的测量）
民
典型值
最大
单位
符号
峰值发射波长
发射角为1/2电源
正向电压
反向漏电流
总功率F5D1
(7)
总功率F5D2
(7)
总功率F5D3
(7)
上升时间输出的0-90 ％
下降时间输出100-10 ％
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 3 V
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
＆ QUOT ;
P
#
V
F
I
R
P
O
P
O
P
O
t
r
t
f
—
—
—
—
12.0
9.0
10.5
—
—
880
±8
—
—
—
—
—
1.5
1.5
—
—
1.7
10
—
—
—
—
—
nm
度。
V
A
mW
mW
mW
s
s
2001年仙童半导体公司
DS300286
4/24/01
1第3
www.fairchildsemi.com
F5D1/2/3
的AlGaAs红外发光二极管
图1.输出功率与输入电流
10
P
O
，归一化功率输出
P
O
，归一化功率输出
20
10
8
6
4
2
I
F
= 100毫安
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
-25
归一
I
F
= 100毫安，吨
A
= 25°C
P
W
= 80
微秒，
F = 30赫兹
0
25
50
75
,
100
125
150
图2.输出功率与温度的关系
I
F
= 1 A
1.0
0.1
归一
I
F
= 100毫安
T
A
= 25°C
脉冲输入量
P
W
= 80
微秒
RR = 30赫兹
10
100
1000
0.01
0.001
1
I
F
输入电流（mA）
T
A
，环境温度（ ° C）
图3.正向电压与温度的关系
4
I
F
= 1 A
P
W
= 80
微秒
F = 30赫兹
P
O
，相对输出（ ％ ）
100
图4.典型的辐射模式
V
F
，正向电压（伏）
3
80
F5D
60
I
F
= 0.5 A
2
I
F
= 100毫安
I
F
= 10毫安
40
20
1
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
，环境温度（ ° C）
θ,
排量从光轴（度）
图5.输出与输入， L14G探测器
100
I
F
I
L
L14G
5V
F5D1
图6.输出与波长
120
100
P
O
，相对输出（ ％ ）
80
60
40
20
I
F
= 100毫安
T
A
= 25°C
I
L
，输出电流（mA ）
10
1.0
典型OUPUTS
在距离
10 CM脉冲
输入， P
W
= 80
微秒
RR = 30赫兹
典型光谱
硅回应
光电传感器
F5D
0.1
0.01
10
100
I
F
输入电流（mA）
1000
700
800
900
1000
λ,
波长（nm ）
www.fairchildsemi.com
2 3
4/24/01
DS300286
F5D1/2/3
的AlGaAs红外发光二极管
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知的权利
以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担
不承担任何责任所产生的任何产品的应用或使用或电路图说明这里 -
IN;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可， FAIRCHILD总统
半导体公司版权所有。如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
其中， （ a）打算通过外科手术系统
植入到体内，或（b ）支持或维持生命，
（三）未能履行其在正确
用于按照提供的使用说明
在标签，可以合理预期导致
显著伤害用户。
在生命支持任何组件2.关键部件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
有效性。
DS300286
4/24/01
3 3
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