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深圳市思半导体有限公司。

产品speci fi cation

N沟道功率MOSFET

特点

应用：

低热阻

电子镇流器

额定重复性雪崩

电子变压器

快

F2N60

开关

开关模式电源

绝对最大额定值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

连续漏电流

TC=25

连续漏电流

TC=100

总功耗

结温

储存温度

V

DS

V

GS

I

D

I

D

P

D

Tj

T

英镑

Tc=25°C

价值

600

20

2.4

1.5

64

150

-55-150

TO-220

单位

V

V

A

符号

V

DS =

600V

R

DS （ ON） =

4.7

I

D=

2.4A

A

W

°C

°C

1 - GATE 2漏3 -SOURCE

电子特性

Tc=25°C

符号

BV

DSS

V

GS （ TH）

特征

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250A

V

GS =

V

DS ，

I

D

=250A

V

DS

=额定BV

DSS

,

V

GS

=0V

V

DS

=0.8RatedBV

DSS

,

V

GS

= 0V TJ = 125°C

V

DS

I

D（上）

r

DS （ ON）最大值

,

V

GS

=10V

V

GS

=

20V

民

600

2.0

最大

单位

V

4.0

100

250

V

A

A

A

漏极 - 源极漏电流

I

DSS

在国家漏极电流

门体漏

电流（V

DS

= 0)

静态漏源

阻力

热阻

结案件

I

D（上）

I

GSS

R

DS （ ON）

JC

2.4

100

4.7

2.0

nA

/W

V

GS

= 10V ，我

D

=1.2A

硅半导体

2005.12

1

深圳市思半导体有限公司。

产品speci fi cation

TO- 220机械数据

单位

符号

A

B

B1

b

b1

c

D

D1

E

5.9

0.4

16.5

6.9

10.7

0.6

1.2

民

3.5

喃

最大

4.8

2.4

1.8

符号

e

F

L

L1

L2

P

Q

Q1

Z

2.5

2.0

3.0

3.1

2.8

1.1

12.5

民

喃

2.54

1.4

14.5

3.5

6.3

最大

mm

硅半导体

2005.12

2

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产品speci fi cation

硅半导体

2005.12

3

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