新茂
F29C51004T/F29C51004B
4兆位（ 524288 ×8位）
5伏CMOS FLASH MEMORY
描述
该F29C51004T / F29C51004B是高速
524,288 ×8位CMOS闪存。写作或
擦除设备与单5伏完成
电源。该设备有独立的芯片使能
CE，写使能WE和输出使能OE
控制，以消除总线争用。
该F29C51004T / F29C51004B提供combi-
的国家：引导块与扇区擦除/写
模式。写/擦除周期结束时由检测
我DATA轮询/ O
7
或切换位I / O
6
.
TheF29C51004T / F29C51004B有
扇区擦除操作，让每个部门
被擦除和重新编程，而不影响
存储在其他部门的数据。该设备还
支持整片擦除。
引导块架构使该器件能够
从位于任一在被保护的扇区的引导
顶（ F29C51004T ）或底部（ F29C51004B ） 。
所有的输入和输出的CMOS和TTL
兼容。
该F29C51004T / F29C51004B是理想的
需要更新的代码和数据的应用程序
存储。
特点
s
s
s
s
s
s
512Kx8位组织
地址访问时间： 70 ， 90 ， 120纳秒
单5V
±
10 ％的电力供应
扇区擦除模式操作
16KB的引导块（锁定）
1K字节每扇区， 512扇区
- 扇区擦除周期时间： 10毫秒（最大值）
- 字节写周期时间： 20
S（最大）
最低万擦除 - 编程周期
低功耗
- 读操作工作电流： 20毫安（典型值）
- 活动程序电流： 30毫安（典型值）
- 待机电流： 50
A（最大值）
硬件数据保护
低V
CC
编程禁止低于3.5V
自定时写/擦除操作与结束赛扬的
CLE检测
- 数据查询
- 触发位
CMOS和TTL接口
有两个版本
- F29C51004T （顶部引导块）
- F29C51004B （底部引导块）
包：
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚TSOP -I
- 32引脚PLCC
s
s
s
s
s
s
s
s
设备使用图
访问时间（纳秒）
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
包装外形
P
T
J
70
90
120
温度
标志
空白
I
F29C51004T/F29C51004B
V1.0
1998年11月
1
新茂
绝对最大额定值
(1)
符号
V
IN
V
IN
V
CC
T
英镑
T
OPR
I
OUT
F29C51004T/F29C51004B
参数
输入电压（输入或I / O引脚）
输入电压（A
9
针， OE ）
电源电压
存储Temerpature （塑胶）
工作温度
短路电流
(2)
广告
-2至+7
-2到+13
-0.5到+5.5
-65到+125
0至+70
200 （最大）。
产业
-2至+7
-2到+13
-0.5到+5.5
-65到+150
-40+ 85
200 （最大）。
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
注意：
1.应力大于上市下“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2.不超过一个输出短路可能的时间和不超过一秒钟的。
DC电气特性
（在商业经营范围）
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC1
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
读电流
测试条件
V
CC
= V
CC
分钟。
V
CC
= V
CC
马克斯。
V
IN
= GND到V
CC
, V
CC
= V
CC
马克斯。
V
OUT
= GND到V
CC
, V
CC
= V
CC
马克斯。
V
CC
= V
CC
分钟，我
OL
= 2.1毫安
V
CC
= V
CC
分钟，我
OH
= -400
A
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
，所有I / O开放，
地址输入= V
IL
/V
IH
，在f = 1 /吨
RC
分，
V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = WE = VIL ， OE = V
IH
, V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = OE = WE = V
IH
, V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = OE = WE = V
CC
– 0.3V, V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
， A9 = V
H
马克斯。
分钟。
—
2
—
—
—
2.4
—
马克斯。
0.8
—
±
1
±
10
0.4
—
30
单位
V
V
A
A
V
V
mA
I
CC2
I
SB
I
SB1
V
H
I
H
写入电流
TTL待机电流
CMOS待机电流
设备ID的电压对于A
9
设备ID的电流，以
9
—
—
—
11.5
—
40
1
50
12.5
50
mA
mA
A
V
A
F29C51004T/F29C51004B
V1.0
1998年11月
4
新茂
F29C51004T/F29C51004B
4兆位（ 524288 ×8位）
5伏CMOS FLASH MEMORY
描述
该F29C51004T / F29C51004B是高速
524,288 ×8位CMOS闪存。写作或
擦除设备与单5伏完成
电源。该设备有独立的芯片使能
CE，写使能WE和输出使能OE
控制，以消除总线争用。
该F29C51004T / F29C51004B提供combi-
的国家：引导块与扇区擦除/写
模式。写/擦除周期结束时由检测
我DATA轮询/ O
7
或切换位I / O
6
.
TheF29C51004T / F29C51004B有
扇区擦除操作，让每个部门
被擦除和重新编程，而不影响
存储在其他部门的数据。该设备还
支持整片擦除。
引导块架构使该器件能够
从位于任一在被保护的扇区的引导
顶（ F29C51004T ）或底部（ F29C51004B ） 。
所有的输入和输出的CMOS和TTL
兼容。
该F29C51004T / F29C51004B是理想的
需要更新的代码和数据的应用程序
存储。
特点
s
s
s
s
s
s
512Kx8位组织
地址访问时间： 70 ， 90 ， 120纳秒
单5V
±
10 ％的电力供应
扇区擦除模式操作
16KB的引导块（锁定）
1K字节每扇区， 512扇区
- 扇区擦除周期时间： 10毫秒（最大值）
- 字节写周期时间： 20
S（最大）
最低万擦除 - 编程周期
低功耗
- 读操作工作电流： 20毫安（典型值）
- 活动程序电流： 30毫安（典型值）
- 待机电流： 50
A（最大值）
硬件数据保护
低V
CC
编程禁止低于3.5V
自定时写/擦除操作与结束赛扬的
CLE检测
- 数据查询
- 触发位
CMOS和TTL接口
有两个版本
- F29C51004T （顶部引导块）
- F29C51004B （底部引导块）
包：
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚TSOP -I
- 32引脚PLCC
s
s
s
s
s
s
s
s
设备使用图
访问时间（纳秒）
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
包装外形
P
T
J
70
90
120
温度
标志
空白
I
F29C51004T/F29C51004B
V1.0
1998年11月
1
新茂
绝对最大额定值
(1)
符号
V
IN
V
IN
V
CC
T
英镑
T
OPR
I
OUT
F29C51004T/F29C51004B
参数
输入电压（输入或I / O引脚）
输入电压（A
9
针， OE ）
电源电压
存储Temerpature （塑胶）
工作温度
短路电流
(2)
广告
-2至+7
-2到+13
-0.5到+5.5
-65到+125
0至+70
200 （最大）。
产业
-2至+7
-2到+13
-0.5到+5.5
-65到+150
-40+ 85
200 （最大）。
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
注意：
1.应力大于上市下“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2.不超过一个输出短路可能的时间和不超过一秒钟的。
DC电气特性
（在商业经营范围）
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC1
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
读电流
测试条件
V
CC
= V
CC
分钟。
V
CC
= V
CC
马克斯。
V
IN
= GND到V
CC
, V
CC
= V
CC
马克斯。
V
OUT
= GND到V
CC
, V
CC
= V
CC
马克斯。
V
CC
= V
CC
分钟，我
OL
= 2.1毫安
V
CC
= V
CC
分钟，我
OH
= -400
A
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
，所有I / O开放，
地址输入= V
IL
/V
IH
，在f = 1 /吨
RC
分，
V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = WE = VIL ， OE = V
IH
, V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = OE = WE = V
IH
, V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = OE = WE = V
CC
– 0.3V, V
CC
= V
CC
马克斯。
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
， A9 = V
H
马克斯。
分钟。
—
2
—
—
—
2.4
—
马克斯。
0.8
—
±
1
±
10
0.4
—
30
单位
V
V
A
A
V
V
mA
I
CC2
I
SB
I
SB1
V
H
I
H
写入电流
TTL待机电流
CMOS待机电流
设备ID的电压对于A
9
设备ID的电流，以
9
—
—
—
11.5
—
40
1
50
12.5
50
mA
mA
A
V
A
F29C51004T/F29C51004B
V1.0
1998年11月
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QQ：2881677436 复制
