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polyfet射频器件
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适用于军用无线通信设备，
移动和寻呼放大器基地
站，广播FM / AM ， MRI ，
激光驱动器等。
"Polyfet"工艺特点
金色的金属，可极大地延长
寿命。低输出电容
和高氟
t
加强宽带
性能
TM
F2004
PATENTED金金属化
硅栅增强型
射频功率VDMOS晶体管
8瓦双子座
包装样式AK
高效率，线性，
高增益，低噪声
绝对最大额定值（ TC = 25℃ ）
总
设备
耗散
60瓦
结到
热病例
阻力
3
o
C / W
最大
连接点
温度
200
o
C
存储
温度
直流漏
当前
漏
门
电压
70 V
漏
来源
电压
70 V
大门
来源
电压
30V
o
-65
o
C至150
o
C
3.2 A
射频特性（
符号
全球定位系统
参数
常见的源动力盖
漏EF网络效率
负载失配Toleranc
民
10
45
典型值
8WATTS OUTPUT）
最大
单位
dB
%
20:1
相对的
测试条件
IDQ = 0.8 A ， VDS = 28.0 V，F = 1000 MHz的
IDQ = 0.8 A ， VDS = 28.0 V，F = 1000 MHz的
IDQ = 0.8 A ， VDS = 28.0 V，F = 1000 MHz的
η
VSWR
电气特性（每边）
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏击穿Voltag
零偏置漏柯伦
栅极漏电流柯伦
栅极偏压的排水柯伦
转发Transconductanc
饱和Resistanc
饱和柯伦
共源输入Capacitanc
共源反馈Capacitanc
共源输出Capacitanc
1
0.4
2.1
2.4
18
2
12
民
65
0.4
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS = 0.02 ，
VDS = 28.0 V，
VDS = 0 V ，
IDS = 0.04 ，
VGS = 0V
VGS = 0V
VGS = 30V
VGS - VDS
VDS = 10V ， VGS = 5V
VGS = 20V ， IDS = 2将
VGS = 20V ， VDS = 10V
VDS = 28.0 V， VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 V， VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 V， VGS = 0V ， F = 1兆赫
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ，卡马里奥，CA 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
F2004
POUT VS PIN GRAPH
F2004 POUT VS PIN FREQ = 1000 MHz的; IDQ = .4A ; VDS = 28V
18
16
14
11
12
10
8
6
8
4
效率 - 35 ％
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
1
0
噘
收益
电容VS电压
F2A 2裸片电容
13
12
100
10
9
10
科斯
西塞
7
6
CRSS
PIN （瓦）
5
10
15
以伏VDS
20
25
30
IV曲线
F2A 2 DIE IV曲线
3
ID和GM VS VGS
F2A 2死GM & ID VS VGS
10
2.5
Id
2
1
1.5
Gm
1
0.1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
VGS = 2V
VGS = 4V
VGS = 6V
VGS = 8V
VGS = 10V
12V VGS
12
14
16
18
20
0.01
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
VGS的电压
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ，卡马里奥，CA 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
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供货商
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