InGaAlP系，高亮度， Lumineszenzdiode （ 617nm ，大电流和磁场）
的InGaAlP高亮度LED（ 617nm ，大电流和磁场）
F 2000D
Vorlufige （千牛顿） /初步数据
Wesentliche Merkmale
Optimierte Lichtauskopplung而达
Oberflchenstrukturierung UND Stromverteilung
Chipgre 700× 700
m
2
Wellenlnge （典型值） ： 617纳米
TECHNOLOGIE ： InGaAIP
典型。 Lichtflu ： 20流明@ 400毫安（ gepulst ，即时通讯
金龙
Gehuse ） 。
Anwendungen
Ampeln
Hinterleuchtung （LCD ，得心应手， Schalter ，
Tasten ，显示器， Werbebeleuchtung ，
Allgemeinbeleuchtung ）
Beleuchtung IM Automobilbereich
（ z.B. Instrumentenbeleuchtung ， Bremslichter
UND Blinklichter ）
仿照冯Kleinst ， Glühlampen
Tragbare Beleuchtung
Fassadenbeleuchtung IM Innen- UND
Auenbereich
典型值
TYPE
F 2000D
Bestellnummer
订购代码
Q65110A0981
特征
由于表面优化的光提取
结构和电流分布
芯片尺寸700× 700
m
2
波长（典型值） ： 617纳米
技术： InGaAIP
典型。光通量： 20流明@ 400毫安（脉冲，在
金龙
包）
应用
交通灯
背光（液晶显示器，手机，交换机，
键，显示器，照明广告，一般
照明）
汽车照明（例如仪表板
背光灯，刹车灯，转向信号灯，
等）
微型白炽灯替换
便携式光源
室内和室外商业及住宅
建筑照明
Beschreibung
描述
腐emittierender芯片MIT optimierter Lichtauskopplung
第三人以Oberflchenstrukturierung ， Oberseite Anodenan-
schluss
具有优化的光提取由于外加红色发光芯片
面部结构，顶面阳极连接
2003-04-15
1
F 2000D
ELEKTRISCHE Werte
(
T
A
= 25
°C)
机电值
1)
(
T
A
= 25
°C)
bezeichnung
参数
Dominantwellenlnge
主波长
I
F
= 400毫安，吨
p
= 1.8毫秒
Sperrspannung
反向电压
I
R
= 1A
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 400毫安，吨
p
= 1.8毫秒
Lichtstrom
光通量
3)
I
F
= 400毫安，吨
p
= 1.8毫秒
1)
符号
符号
分钟。
λ
DOM
613
邂逅相遇，
价值
2)
典型值。
马克斯。
623
统一性
单位
nm
V
R
12
V
V
F
2.6
V
Φ
V
8000
传销
测量范围描述实际设置，不包括测量不确定度。每个晶片和片段
晶片受到最后的测试。晶片或它的片被单独附接在箔片（环） 。样品芯片
从每个箔片拾取和放置在用于测量的特殊载体。
样品测试：采样密度/每平方厘米的样品（网格） ： 1,6 /平方厘米。
如果一个样品出现故障时，距离区域到下一个非失败的样品通过真空工具被手动移除。
所有报。值参照的是供应商的测量系统（相关客户产品（S）是必需的）
典型（ refered为典型值）的数据被定义为长期生产平均值和对信息仅给出。
这不是一个特定的值
光通量测量在积分球
2)
3)
2003-04-15
2
F 2000D
Mechanische Werte
机械价值观
bezeichnung
参数
Chipkantenlnge （X - Richtung ）
芯片边缘的长度（ x方向）
Chipkantenlnge （Y - Richtung ）
芯片边缘的长度（ y方向）
Durchmesser宫晶片
晶片的直径
Chiphhe
模高
Bondpaddurchmesser
焊垫直径
Weitere Informationen
附加信息
2)
Vorderseitenmetallisierung
正面金属化
Rückseitenmetallisierung
背面金属化
Trennverfahren
切割
Verbindung芯片 - Trger
芯片粘接
1)
符号
符号
分钟。
0.68
0.68
邂逅相遇，
价值
1)
典型值。
0.7
0.7
100
200
110
220
120
240
130
马克斯。
0.72
0.72
统一性
单位
mm
mm
mm
m
m
L
x
L
y
D
H
d
铝
铝
Goldlegierung
金合金
萨根
锯切
Kleben
环氧粘接
典型（ refered为典型值）的数据被定义为长期生产平均值和对信息仅给出。
这不是一个特定的值
所有的芯片都根据下列程序和目视检查的OSRAM OS的规格检查
A63501 - Q0013 - N001 - * - 76G3 ：
目视检查应以按照对视觉inspection"作为referenced.The的"specification
芯片背面的目视检查与体视显微镜与入射光与40X - 80X的放大倍率进行。
其具有超过3％的失败的模具的量区域>四分之一平方厘米将被删除。芯片的外观检查
前侧是通过立体显微镜对的面积的100％进行与入射光具有40倍， 80倍的放大倍率
每个晶片。区> 1平方厘米具有50％以上的不合格模和地区> 2平方厘米的含有量
超过25％的故障模的量将被删除。在失败的密度高于1％区域的每个故障模是
单独签署。关于请求芯片正面的视觉检查可以通过一个自动视觉进行
检查加上自动上墨另外。质量检验（最终目测）进行
通过生产。另外一个目视检查步骤，因为特殊的释放过程由QM最终外观检查后，
未安装。
2)
2003-04-15
3
F 2000D
fj
Grenzwerte
1)
最大额定值
bezeichnung
参数
Maximaler Betriebstemperaturbereich
最高工作温度范围
Maximaler Lagertemperaturbereich
最大存储温度范围
Maximaler Durchlastrom （T
A
= 25°C)
最大正向电流（T
A
= 25°C)
Maximaler Pulsstrom （T
A
= 25°C)
最大浪涌电流（T
A
= 25°C)
t
p
= 10微秒， D = 0.05
Maximale Sperrschichttemperatur
最高结温
1)
符号
符号
T
op
T
英镑
I
F
邂逅相遇，
价值
-40...+100
-40...+100
400
0.4
统一性
单位
°C
°C
mA
A
I
PEAK
T
j
125
°C
最大额定值是强烈依赖于包装，不同套餐之间可能会有所不同。在给定的值
代表的欧司朗光电半导体公司的芯片
金龙
封装。
2003-04-15
4
F 2000D
Durchlastrom
1)
I
F
= F（V
F
)
正向电流
T
A
= 25 °C
10
3
mA
OHL00787
相对Lichtstrke
1)
I
V
/I
V
（ 400毫安） = F （I
F
)
相对发光强度
T
A
= 25 °C
10
1
OHL00788
I
F
I
V
I
V （400 mA）的
10
2
10
-1
10
-2
10
1
10
-3
10
0
1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
V 2.8
10
-4
10
-1
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
V
F
I
F
最大zulssiger Durchlastrom
1)
I
F
= F（T
S
)
最大允许正向电流
450
mA
I
F
400
350
OHL01787
相对Lichtstrke
1)
I
V
/I
V
（ 25℃） = F（T
S
)
相对发光强度
I
F
= 400毫安
1.6
OHL00987
I
V
I
V（ 25℃）
1.2
300
1.0
250
0.8
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 C 100
0.6
0.4
0.2
0
-40 -20
0
20
40
60
C 100
T
S
1)
基于典型值（见第2页，脚注2的说明）
T
在欧司朗光电半导体的测量数据
金DRAGON包。
2003-04-15
5
QQ：2880707522 复制
