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> F1B2CCI
半导体
技术参数
高速整流器应用。
特点
平均输出整流电流:I
O
= 10A (TC = 101) 。
重复峰值反向电压: V
RRM
=200V.
单相位中心抽头式整流堆栈。
S
E
A
F1B2CCI/CAI
堆栈硅扩散二极管
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
H
S
极性
K
CC型
常见的正极
1
3
CA类型
共阳极
1
3
L
L
R
M
D
D
MILLIMETERS
_
10.0 + 0.3
_ 0.3
15.0 +
_
2.70 + 0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+ 0.2
_
3.0 + 0.3
_
12.0 + 0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6 + 0.5
_
3.7 + 0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54 + 0.1
_
6.8 + 0.1
_
4.5 + 0.2
_
2.6 + 0.2
0.5 TYP
F
G
N
N
2
2
J
B
CC型
1
2
3
P
CA类型
1.阴极
2.阳极COM
3.阴极
Q
1.阳极
2.阴极COM
最大额定值( TA = 25
特征
重复峰值
反向电压
平均输出整流
电流(锝= 101 )(图)
峰值一个周期正向浪涌
电流(不重复)
结温
存储温度范围
)
符号
V
RRM
I
O
等级
200
10
60 ( 50赫兹)
I
FSM
70 ( 60赫兹)
T
j
T
英镑
-40 150
-40 150
A
单位
3.阳极
F1B2CCI
F1B2CAI
TO-220IS
V
A
电气特性( TA = 25 )
特征
峰值正向电压(注)
反向重复峰值电流(注)
反向恢复时间
热阻
注:一个单元的值。
符号
V
FM
I
RRM
t
rr
R
th
(J -C )
测试条件
I
FM
=5A
V
RRM
Rated
I
F
= 0.1A ,我
R
=0.1A
结到外壳
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
1.4
10
400
3.5
单位
V
A
nS
/W
图。示例RECTIFING电路的
I
O
=10A
负载
整流堆
2007. 5. 21
版本号: 1
1/2
F1B2CCI/CAI
I
F
- V
F
20
10
5
3
T
j
=150 C
I
R
- V
R
500
反向电流I
R
(MA )
100
50
10
5
1
0.5
T
j
=25 C
T
j
=150 C
正向电流I
F
(A)
T
j
=100 C
T
j
=25 C
1
0.5
0.3
0.1
0.04
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向电压V
F
(V)
0.1
0.05
0
50
100
150
200
250
300
反向电压V
R
(V)
正向平均功耗
P
F( AV )
(W)
P
F( AV )
- I
F( AV )
12
10
8
6
4
2
一个单元格的值
Θ
360
I
F( AV )
电流降额( CASE )
140
120
100
80
60
40
0
2
4
6
8
10
12
方
Θ
=180
方
Θ
=150
方
Θ
=120
方
Θ
=60
DC
方
Θ
=60
方
Θ
=120
方
Θ
=150
方
Θ
=180
DC
0
0
1
2
3
4
5
6
平均正向电流I
F( AV )
(A)
输出电流I
O
(A)
SURCE正向电流
(不重复)
100
正向电流浪涌
I
FSM
(A)
50
30
10
1
3
5
10
30
50
100
周期数(在60Hz )
2007. 5. 21
版本号: 1
壳温度( C)
2/2
半导体
标识特定网络阳离子
F1B2CCI
TO- 220IS包装
1.标记方法
激光打标
2.标记
F1B2CCI
2
1
3
K
016
号
项
设备名称
KEC
记号
F1B2CCI
K
0
描述
F1B2CCI
pKEC CORP 。
YEAR
周
0~9 : 1900~1999
16 :第16周
LOT号
016
16
2000. 12. 27
版本号: 0
1/1
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F1B2CCI
PDF信息
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FP7279A10
FX-104-DFC-A267
F45M15A
FD400G2E
F951C225MPAAQ2
FBR1504W
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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QQ:
QQ:2880707522
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F1B2CCI
-
-
-
-
终端采购配单精选
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上海金庆电子科技京城市场部
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QQ:1584878981
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联系人:刘经理
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