polyfet射频器件
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适用于军用无线通信设备，
移动和寻呼放大器基地
站，广播FM / AM ， MRI ，
激光驱动器等。
"Polyfet"工艺特点
金色的金属，可极大地延长
寿命。低输出电容
和高氟
t
加强宽带
性能
TM
F1006
PATENTED金金属化
硅栅增强型
射频功率VDMOS晶体管
120瓦单端
包装样式AV
高效率，线性，
高增益，低噪声
绝对最大额定值（ TC = 25℃ ）
总
设备
耗散
250瓦
结到
热病例
阻力
0.7
o
C / W
最大
连接点
温度
200
o
C
存储
温度
直流漏
当前
漏
门
电压
70 V
漏
来源
电压
70 V
大门
来源
电压
30V
o
-65
o
C至150
o
C
12 A
射频特性（
符号
全球定位系统
参数
常见的源动力盖
漏EF网络效率
负载失配Toleranc
民
13
60
典型值
120WATTS OUTPUT）
最大
单位
dB
%
20:1
相对的
测试条件
IDQ = 1.2 A ， VDS = 28.0 V，F = 175 MHz的
IDQ = 1.2 A ， VDS = 28.0 V，F = 175 MHz的
IDQ = 1.2 A ， VDS = 28.0 V，F = 175 MHz的
η
VSWR
电气特性（每边）
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏击穿Voltag
零偏置漏柯伦
栅极漏电流柯伦
栅极偏压的排水柯伦
转发Transconductanc
饱和Resistanc
饱和柯伦
共源输入Capacitanc
共源反馈Capacitanc
共源输出Capacitanc
1
4.8
0.18
33
198
24
120
民
65
6
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS =
0.3 A,
VGS = 0V
VGS = 0V
VGS = 30V
VGS - VDS
VDS = 28.0 V，
VDS = 0 V ，
IDS = 0.6 A ，
VDS = 10V ， VGS = 5V
VGS = 20V ， IDS = 24一
VGS = 20V ， VDS = 10V
VDS = 28.0 V， VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 V， VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 V， VGS = 0V ， F = 1兆赫
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ，卡马里奥，CA 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
F1006
POUT VS PIN GRAPH
F1006 PIN VS POUT IDQ = 0.6A F = 175 Mhz的VDS = 28V
200
180
160
140
120
100
80
60
EF网络效率= 70 ％
40
20
0
0
5
10
15
PIN （瓦）
噘
收益
电容VS电压
F1B 6 DICE电容
18
1000
16
14
噘
收益
12
100
10
西塞
科斯
8
CRSS
6
20
25
30
10
0
5
10
15
以伏VDS
20
25
30
IV曲线
F1B 6 DICE IV曲线
40
35
ID和GM VS VGS
F1B 6 DIE GM & ID VS VG
100
Id
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
10
1
Gm
12
14
16
18
20
0.1
0
2
4
6
VGS的电压
8
10
12
14
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ，卡马里奥，CA 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
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