芯片3端子电容器阵列
芯片3端子电容器阵列
类型：
EZASC
EZANC
GND
GND
■
特点
1.
●
●
2.
●
●
3.
●
●
适用于EMI抑制滤波网络
在高频范围中的低残余电感提供了有效的减少噪音的
等效噪声降低到EMI滤池与低成本的设计
紧凑型设计，高密度印刷电路板组装
EZASC ： 4.0毫米2.1毫米0.65毫米，0.8 mm间距
EZANC ： 6.4毫米3.1毫米0.75毫米，1.27毫米间距
适合高速自动贴片机扁钢和方包
优越的安装性与凹端
牢固焊接接头（ 2倍凸终端类型）
在重新溢流焊接自动调心的位置
高密度摆放，电路板空间<Effect saving>
数字无绳电话
（ 4线安装）
射频电路
（ EZA SC ）
I / O
I / O
I / O
I / O
数字控制电路
三端子电容或EMI滤波器
EZASC 0.8 mm间距
EZANC ：1.27毫米间距
防止高频谐波
噪声射频电路
■
推荐应用
●
●
●
●
数码设备，如电脑，打印机，移动硬盘， PCMCIA卡，掌上电脑，文字处理机
通信设备，数字无绳电话，汽车电话， GSM ， PHS ， DECT
数字音频和视频设备
电子乐器，和其他数码设备
设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。
2006年2月
芯片3端子电容器阵列
■
零件编号说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
E
Z
产品编号
A
N
C
E
1
0
1
M
电容后缀的特殊
公差
需求
尺寸和
温度电容值
电路结构特点
厚膜噪音
抑制和
筛选
组件
4.0 mm
2.1毫米四三端
电容器
6.4 mm
NC
3.1 mm
SC
+20 %/–55 %
E（ -25°C至+ 85
°C)
对前两个数字是显着的
电容值的数字，
和第三个表示
零以下数量
恩。 101 100 pF的
M
+30 %
–20 %
±20
%
当少
超过22 pF的
■
施工
■
电路CON组fi guration
氧化铝基板
防护涂层
10
9
8
7
GND
电极
（外）
CIOI
电极
（外）
GND
电极
（外）
GND 1
6 GND
2
3
4
5
■
尺寸以毫米（不按比例）
EZASC
0.4±0.2
0.5±0.2
0.25±0.20
0.4±0.2
f
0.4
+0.1
– 0.2
EZANC
0.7±0.2
0.25±0.20
f
+0.1
0.3
–0.2
0.8±0.2
0.5±0.2
CIOI
0.8±0.1
4.0±0.2
2.1±0.2
CIOI
1.27±0.10
6.4±0.2
0.4±0.2
0.45±0.20
0.4±0.2
0.65
–0.10
+0.20
0.3±0.2
0.56±0.20
0.4±0.2
0.75
–0.10
+0.20
0.5±0.2
尺寸： 1608英寸
质量（重量） [1000个] ： 17克
0.8±0.2
尺寸： 2512英寸
质量（重量） [1000个] ： 52克
设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。
2006年2月
3.1±0.2
芯片3端子电容器阵列
■
评级
项
电容值
（25℃ ， 1千赫
(1)
， 1 Vrms的）
电容容差
温度特性
耗散因数
额定电压
额定电流
(2)
阻力
(3)
工作温度范围（工作温度范围）
（ 1 ）在1 MHz的测量，电容值和损耗因数是不同的。
（ 2 ）额定输入端和输出端之间的电流。
（3）输入端子和输出端子之间的电阻值。
特定网络阳离子
EZASC
10 pF到180 pF的
标准： 22 PF， 47 PF， 100 pF的
EZANC
22 PF， 47 PF， 100 pF的， 220 pF的， 470 pF的
±20% (
+30%
在不到22 pF的情况下）
–20%
特点： +20 ％ / ± 55 ％ （ ± 25 ° C至+ 85 ° C）
少于2％ （25℃ ， 1千赫
(1)
， 1 Vrms的）
25 V
200毫安
小于1
-25°C至+85°C
300毫安
■
衰减特性
测量电路
测量电路
50
EZANC
1k
1k
~
50
2000 pF的
MN74HC04
MN74HC04 MN74HC04
8兆赫
EZA
SCE470M
芯片3端子电容器阵列（ EZANC ）
100
电气连接的场强（ dBμV为单位）
100
电气连接的场强（ dBμV为单位）
100
200
400
600
800
频率（MHz）
1000
0
衰减（dB ）
10
20
30
40
50
1M
10M
100M
频率（Hz）
1G
3G
22
4 pF的
10 7pF的
22 0pF
47 0pF
0p
F
80
80
60
60
40
40
20
20
100
200
400
600
频率（MHz）
800
1000
½
相当于EMI滤波器
■
包装方法： （大坪）
●
标准产品数量
TYPE
EZASC
EZANC
样卷带的
压纹载体带
间距（P
1
)
4 mm
QUANTITY
4000件/卷
设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。
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2006年2月
芯片3端子电容器阵列
●
压纹载体带
●
大坪卷
t
1
链轮孔
f
D
0
A
隔室
E
T
F
W
B
fC
fB
t
2
片式元件
f
D
1
P
1
P
2
P
0
大盘运行方向
fA
W
TYPE
尺寸
(mm)
A
B
W
F
E
P
0
EZASC
2.50
±0.20
4.40
±0.20
12.00
±0.30
5.50
±0.20
1.75
±0.20
4.00
±0.10
EZANC
3.50
TYPE
±0.20
6.80
±0.20
尺寸
(mm)
fD
0
t
1
t
2
1.15
±0.20
fD
1
fA
180
+0
3.0
W
13.0
±1.0
fB
60分钟。
fC
13.0
±1.0
T
15.4
±2.0
P
1
P
2
尺寸
(mm)
EZASC
+0.10
4.00
±0.10
2.00
±0.05
1.50
0
0.25
±0.05
+0.10
1.50
0
EZANC
1.30
±0.20
尺寸
(mm)
■
推荐的焊盘图案设计
芯片3端子电容器阵列
（ EZANC / EZASC ）
f2
c
f1
GND
a
e
b
P
土地模式
耐焊接
TYPE
尺寸
(mm)
EZASC
EZANC
a
1.21.4
b
0.4
c
d
e
0.8
1.8
d
f1
f2
P
0.8
1.27
3.1 3.3 0.4 0.5
2.9到3.3 4.8到5.2
4.2 4.6 7.5 7.9
2.2 2.4 0.4 0.6 5.7 5.9 0.4 0.8
设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。
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2006年2月
芯片3端子电容器阵列
■
推荐焊接条件
建议和注意事项介绍如下。
●
推荐焊接条件再溢流
·重新溢流焊接应进行最多
两次。
·请联系我们了解更多信息时，
比那些特定网络版等条件下使用。
·请测量端子的温度和
研究每一种焊料和印刷电路板
对于实际使用之前可焊性。
PEAK
温度
预热
加热
对于焊接（例如：锡/铅）
温度
预热
主加热
PEAK
140 ℃至160 ℃的
在200℃以上
235 ± 5 °C
时间
60秒到120秒
30秒至40秒
最大。 10秒
对无铅焊接（例如：锡/银/铜）
温度
预热
主加热
PEAK
150 ℃至180 ℃的
上述230℃
最大。 260℃
时间
60秒到120秒
30秒至40秒
最大。 10秒
时间
●
溢流焊接
我们不建议流焊到芯片3端子电容器阵列： EZASC ，因为焊锡
桥接可能因EZASC的窄间距0.8mm发生。请与我们联系就流焊
的EZANC类型。
安全注意事项
以下是防范个别产品。请同时参阅常见的EMI滤波器的注意事项，
保险丝和传感器（MR元件），显示在此目录页面EX2 。
期间和安装的芯片3端子电容器阵列后（以下称对机械应力1.采取措施
所谓电容阵列） ，以便不破坏其电极和保护涂层。
要小心，不要放错地方的土地格局的电容阵列。否则，可能会出现锡桥。
2.不使用卤素系或其他高活性的助焊剂。否则，将残余物可能会损害电容器阵列'
每对曼斯和/或可靠性。
3.当用烙铁焊接时，切勿触摸电容阵列的尸体用烙铁尖。当
使用烙铁用高温尖，科幻光洁度焊接尽可能快地（ 3秒在350 °范围内
C以下） 。
4.由于施加的焊料的量越大，施加到电容器阵列增加的机械应力，
引起的问题，如裂纹和缺陷的特性。避免应用焊料的过量。
5.请勿冲击电容阵列或用硬的工具（如钳子和镊子）掐起来。否则，该
电容阵列“保护性涂料和机构可能会碎裂，从而影响他们的表现。
6.避免印刷电路板的过度弯曲，以保护电容阵列的异常应力。
7.静态电容可以通过从发货时的百分之几，由于特有的特性降低
介电材料具有高的介电常数。
设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。
2006年2月
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