富士混合
IC
驱动器
EXB850/EXB851/EXB840/EXB841
½用说明
用于隔离栅双极性晶½管（IGBT）的富士混合
IC
驱动器
½用说明
一．
介绍
隔离栅双极性晶½管（IGBT ）正日益广泛地应用于小½积，½噪音，高特性的电源，
逆变器，不间断电源（UPS）以及电机速度控制装½之中。
用于
IGBT
的富士混合
IC
驱动器吸取了
IGBT
的全部优点而开发。
二．
n
特点
不同的系列
标准系列：最大
10kHz
运行
高速系列：最大
40kHz
运行
这些系列包括了全部
IGBT
产品范围
n
n
n
n
n
内装用于高隔离电压的光耦合器： 2500VAC一分钟
单供电操½
内装过流保护电路
过流保护输出
高密度安装的
SIL
封装
三．
n
n
n
n
应用
通用逆变器和电机控制
伺服控制
不间断电源（U
PS ）
电焊机
四．
IGBT
综合图表
600V IGBT驱动器
150A
EXB850
400A
EXB851
1200V IGBT驱动器
75A
EXB850
300A
EXB851
EXB841
标准型
高速型
EXB840
EXB841
EXB840
注：1．标准型：驱动电路信号延迟；大到
4μs（最）
2．高速型：驱动电路信号延迟；大到 1.5μs（最大）
五． 尺寸，½½
ＥＸＢ８５０／ＥＸＢ８４０
ＥＸＢ８５１／ＥＸＢ８４１
第
1
页
富士混合
IC
驱动器
EXB850/EXB851/EXB840/EXB841
½用说明
六．
功½方框图
全部
EXB
系列的共同表示发
脚 码
说 明
①
②
③
④
连接用于反向偏½电源的滤波电容
电源（+20V）
驱动输出
用于连接外部电容，以防止过流保
护电路误动½（绝大部分场合不需
要电容。
）
过流保护输出
集电极电压监视
不接
电源（ OV ）
不接
驱动信号输入（－）
驱动信号输入（＋）
⑤
⑥
⑦ ⑧
⑨
⑩ ⑾
⒁
七．
n
额定参数和特性
绝对最大额定值
项目
符号
条件
额定值
EXB850
EXB851
EXB840
EXB841
《中容量》 《大容量》
25
10
PW = 2μs的，责任在0.05或以下
PW = 2μs的，责任在0.05或以下
AC 50 / 60Hz的， 1分钟
1.5
1.5
2500
-10至+85
-25至+125
4.0
4.0
单
½
V
MA
A
A
V
℃
℃
电源电压
供电中压
光耦合器输入电流
正向偏½输出电流
反向偏½输出电流
输入／输出隔离电压
工½表面温度
存贮温度
V
cc
I
in
I
g1
I
g2
V
ISO
T
c
T
英镑
n
推荐的运行条件
推荐工½条件
项目
供电电压
光耦合器输入电流
符号
标准型
EXB850
EXB851
20±1
5
第
2
页
高速型
EXB840
EXB841
10
单½
V
mA
V
cc
I
in
富士混合
IC
驱动器
EXB850/EXB851/EXB840/EXB841
½用说明
n
电特性
额定参数
符
号
条件
EXB840，EXB841
（高速）
民
典型值
最大
项目
EXB850，EXB851
（中速）
民
典型值
最大
单½
开启时间1
导通间
开启时间2
导通时间
过流保护电压
过流保护延迟
延迟
反向偏½电源电压
t
on
t
关闭
t
OCP
t
OCP
t
ALM
t
RB
V
cc
= 20V ， IF = 5毫安
V
cc
= 20V ， IF = 5毫安
V
cc
= 20V ， IF = 5毫安
V
cc
= 20V ， IF = 5毫安
V
cc
= 20V ， IF = 5毫安
V
cc
=20V
1.5
1.5
7.5
10
1
5
7.5
2.0
4.0
10
1
微秒
微秒
V
微秒
微秒
V
5
注：
EXB850
和
EXB851（中速）
需应用电路所示的
IF
过驱动。
八．
1.
应用电路
EXB850
应用电路
EXB850
为混合
IC
½驱动高达
150A
的
600V IGBT
和高达
75A
的
1200V IGBT
由于驱
动电路的信号延迟＜μS，所以此混合
IC
适用于高达大约
10KHZ
速度的开关操½。
½用此混合
IC
时请注意以下方面：
n
IGBT
栅射极驱动
回路接线必需小于
n
n
n
1m
IGBT
栅射极驱动
接线应为绞线。
如在
IGT
集电极产
生大的电压尖脉
冲，
那么增加
IGBT
栅串联电阻（R
G
）
。
33
μF（＃）电容
器吸收由电源接线
阻抗而引起的供电
电压变化。它不是
电源滤波器电容
器。
推荐的栅电阻和电流损耗
IGBT
额定值
RG
ICC
5kHz
10kHz
15kHz
600V
1200V
10A
-
250Ω
24mA
25mA
3
页
15A
8A
150Ω
30A
15A
82Ω
50A
25A
50Ω
24mA
25mA
27mA
75A
-
33Ω
100A
50A
25Ω
150A
75A
15Ω
26mA
29mA
32mA
富士混合
IC
驱动器
EXB850/EXB851/EXB840/EXB841
½用说明
2. EXB851
应用电路
EXB851
是混合
IC
½驱动高达
400A
的
600V IGBT
和 高 达
300A
的
1200V IGBT
。
因为驱动
电路信号延迟≤4μs．所以此混
合
IC ，适用于高约10KHZ
的开
关操½。½用此混合
IC
时请注
意以下方面
n
IGBT
的栅射极驱动回
路接线必需小于
林。
n
IGBT
的栅射极驱动接
线应为绞线。
n
如果在
IGBT
的集电极
产生大的电压尖脉冲，
那么增加
IGBT
的栅串
联电阻（ RG）的
。
n
47
μF（＃）电容器吸收由电源接线阻抗引起的供电电压变化。它不是电源滤波器
电容器。
推荐的栅电阻和电流损耗
IGBT
额定值
600V
1200V
RG
ICC
5kHz
10kz
15kHz
–
300A
33Ω
34mA
44mA
54mA
200A
200A
12Ω
27mA
31mA
34mA
300A
150A
8.2Ω
29mA
34mA
39mA
400 A
200A
5Ω
30mA
37mA
44mA
3．EXB840
应用电路
EXB840
是混合
IC
½驱动高
达
150A的600V IGBT
和高达
75A
的
1200V IGBT
．因为驱动电路信
号延迟≤１μs，所以此混合
IC
适
用于高约
40KHz
的开关操½，½
½用此混合
IC
时请注意以下方
面：
n
IGBT
的栅射极驱动回路
接线必需小于
LM ？
n
IGBT
的栅射极驱动接线
应用绞线。
n
果在
IGBT
的集电极产
生大的电压尖脉冲，
那么
增加
IGBT
的珊串联电
阻（ RG）的
。
n
33μF（＃）电容器吸收由于电源接线阻抗而引起的供电电压变化。它不是电源滤
波器的电容器。
第
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页
富士混合
IC
驱动器
EXB850/EXB851/EXB840/EXB841
½用说明
推荐的栅电阻和电流损耗
600V
10A
IGBT
额定½
1200V
-
RG
ICC
5kHz
10kHz
15kHz
250Ω
17mA
18mA
15A
8A
150Ω
30A
15A
82Ω
50A
25A
50Ω
17mA
18mA
20mA
75A
-
33Ω
100A
50A
25Ω
150A
75A
15Ω
19mA
22mA
25mA
4．EXB841
应用电路
EXB841
是混
IC
½驱动
高达
400A的600V IGBT
和高达
300A
的
1200V IGBT
。因为驱动
电路信号延迟≤lμs ，所以此混
合
IC
适用于高约
40KHZ
的开关
操½。½½用混合
IC
时注意如
下方面：
n
IG BT
的珊射极驱动
回路接线一定要小于
1m。
n
IGBT
的栅射驱动接线
应为绞线。
n
如果在
IGBT
集极产
生大的电压尖脉冲，那
么增加
IGBT
的珊串联
电阻（ RG）的
。
n
47
μF（＃）电容器吸引由于电源接线附抗引起的供电电压变化。它不是电源滤波
器的电容器。
推荐的栅电阻和电流损耗
IGBT
额定值
600V
1200V
RG
5kHz
10kHz
15kHz
200A
200A
12Ω
20mA
24mA
27mA
300A
150A
8.2Ω
22mA
27mA
32mA
400 A
200A
5Ω
23mA
30mA
37mA
–
300A
3.3Ω
27mA
37mA
47mA
九．
操½
1.
概要
以下内部功½只½
IGBT
获得最充分的应用。
n
信号隔离电路
n
驱动放大器
n
过流检测器
n
½速过流切断电路
n
栅关断电源
第
5
页
IGBT驱动混合集成电路（ EXB8 ..-系列）
应用手册
第1页
IGBT驱动混合集成电路（ EXB8 ..-系列）
应用手册
第2页
IGBT驱动混合集成电路（ EXB8 ..-系列）
应用手册
第3页
IGBT驱动混合集成电路（ EXB8 ..-系列）
应用手册
第4页
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