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先进的信息
(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
ES29DL320
32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )
CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
一般特点
单电源工作
- 2.7V - 3.6V的读取,编程和擦除操作
可同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 读取和写入操作之间的零延迟
多银行架构
- 读取可能发生在任何银行不是
写入或擦除
- 多银行可以通过客户分组,以实现
所需的银行部门
顶部或底部启动块
- ES29DL320T的热门引导块设备
- ES29DL320B的底部引导块设备
一个256字节的额外部门的安全码
- 工厂锁定
- 客户可锁定
封装选项
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA
- 所有无铅产品均符合RoHS标准
功耗(典型值)
- 15uA待机或自动睡眠模式
- 在5MHz 10毫安有效的读电流
- 在程序15毫安活跃的写入电流或擦除
最低100,000编程/擦除每个扇区周期
20年的数据保存在125
o
C
软件特点
擦除暂停/删除恢复
数据#投票和切换的编程/擦除状态
支持CFI (通用闪存接口)
解锁绕道程序
自选模式
经T自动睡眠模式
+ 30ns的
硬件特性
硬件复位输入管脚( RESET # )
- 提供一个硬件复位装置
- 任何内部装置的操作被终止,并且
设备返回的复位阅读模式
就绪/忙#输出引脚( RY / BY # )
- 提供编程或擦除操作状态
关于是否它被完成的读或仍在
进展
WP # / ACC输入引脚
- 两个最外层的引导扇区被保护时,
WP #被设置为低,无论部门保护
- 程序的速度通过提高WP # / ACC加速
到高电压( 8.5V 9.5V )
扇区保护/解除保护( RESET # , A9 )
- 硬件锁定的扇区,以防止方法
该部门内的任何编程或擦除操作
提供了两种方法: -
- 在系统内通过RESET #引脚的方法
- A9为PROM编程高电压的方法
临时机构unprotection的( RESET # )
- 允许以前的临时解除保护
保护部门更改系统数据
低Vcc的禁止写入
在0.18微米工艺技术制造
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪存标准
设备性能
读取时间
- 为70ns /为90ns正常的Vcc范围( 2.7V 3.6V )
编程和擦除时间
- 计划时间: 6US /字节, 8US /字(典型值)
- 加速程序时间: 4US /字(典型值)
- 扇区擦除时间: 0.7sec /扇区(典型值)
ES29DL320
1
牧师0E 2006年5月25日
先进的信息
(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
一般产品说明
该ES29DL320是32兆, 3.0伏,只闪光
存储装置中,组织为4M ×8位(字节
模式)或2M ×16位(字模式),它被配置
urable通过BYTE # 。八引导扇区和63
设有大小均匀主营行业: 8K
字节× 8和64K字节× 63的装置,是制造
factured与ESI的专利,高性能
和高可靠性的0.18微米CMOS闪存技术。
该装置可被编程或擦除在-系
TEM与标准的3.0伏Vcc电源( 2.7V - 3.6V )
并且,也可以在标准EPROM编程
程序员。该器件提供最小endur-
100000程序ANCE /擦除周期多
超过20年的数据保存的。
该ES29DL320提供存取时间快
为70ns或为90ns ,高速,允许操作
微处理器无需等待。三另行
提供速率控制引脚,以消除总线CON-
张力:芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和
输出使能(OE #)。
所有的编程和擦除操作是自动
并在内部进行的,并提供嵌入控制
DED编程/擦除内置在设备中的算法。
设备会自动生成并倍
必要的高电压脉冲被施加到
细胞,进行核查,并计数num-
BER序列。有些状态位( DQ7 , DQ6和
DQ5 )通过数据#轮询或切换之间的阅读
连续的读周期提供给用户的
编程/擦除操作的内部状态:是否
它成功完成或仍在进展。
因此,这种锁定指示灯位( DQ7 )可以prop-
erly用来防止任何客户可锁定部分
用于替换工厂锁定部分。额外
安全部门对客额外的存储空间
tomers当它被用作一个客户可锁定ver-
锡永。因此,它可以被读取和写入就像任何其他
部门。但应注意的是, E的数目/
W(擦除和写入)周期限制为300次
(最大值)只能在安全部门。
特殊服务,例如ESN和工厂锁定
提供给客户( ESI的
特码
服务
)的ES29DL320完全兼容
与单一的JEDEC标准命令集
电源闪存。命令被写入到
使用标准的写时序内部命令寄存器
微处理器和数据的英格斯可以被读出
从单元阵列中的器件用相同的方式
如用在其他EPROM或闪存设备。
同时读/写操作
同时读/写架构提供
通过将所述存储器同时操作
空间分隔成多行。扇区地址是固定的,
系统软件可以被用于形成用户定义的
银行团。
在擦除/编程操作,任何非的
繁忙的银行,可以读出。需要注意的是只有两
银行可以同时操作。该装置
允许主机系统编程或擦除一
银行,然后立即和同时读取
从其他银行,零延迟。此版本
该系统从等待完成的亲
克或擦除操作。
该ES29DL320可以组织,可以是顶部或
底部引导扇区配置。
256字节的额外安全部门
256字节的设备,额外的安全部门
被提供给顾客。这额外的部门可以
用于各种目的,例如存储的ESN
(电子序列号)或客户的安全
码。一旦经过额外的部门写的,它可以
永久锁定由设备制造商(
工厂锁定)
或客户(客户lockble ) 。
同时,一
锁定指示位
( DQ7 )是per-
manently设置为1,如果该部件是出厂锁定,或
设置为0,如果是客户可锁定。
ES29DL320
2
牧师0E 2006年5月25日
先进的信息
产品选择指南
系列型号
电压范围
速度选项
最大访问时间(纳秒)
CE#访问( NS )
OE #访问( NS )
70
70
70
30
ES29DL320
2.7V ~ 3.6V
(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
90
90
90
40
功能块图
VCC
VSS
MUX
OE # BYTE #
BANK 0
A<20 : 0
& GT ;
银行地址1
X - 解码器
Y型门
DQ15-DQ0
RY / BY #
BANK2地址
银行1
X - 解码器
A<20 : 0
& GT ;
RESET#
WE
#
CE#
BYTE #
WP # / ACC
DQ15-DQ0
X - 解码器
银行7地址
6银行
状态
控制
&放大器;
命令
注册
DQ15-DQ0
MUX
DQ15-DQ0
DQ15-DQ0
Y型门
X - 解码器
A<20 : 0
& GT ;
MUX
银行8地址
7银行
ES29DL320
3
DQ15-DQ0
牧师0E 2006年5月25日
先进的信息
引脚说明
A0-A20
DQ0-DQ14
DQ15/A-1
CE#
OE #
WE#
WP # / ACC
RESET#
BYTE #
RY / BY #
VCC
VSS
NC
21地址
15数据输入/输出
DQ15 (数据输入/输出,字模式)
A- 1 ( LSB地址输入,字节模式)
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
硬件写保护/加速引脚
硬件复位引脚,低电平有效
选择8位或16位模式
READY / BUSY输出
(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
描述
3.0伏,只有单电源供电
(见产品选择指南速度选项和电源电压公差)
接地装置
引脚没有内部连接
逻辑符号
21
A0 ~ A20
DQ0 DQ15
(A-1)
CE#
OE #
WE#
WP # / ACC
RESET#
BYTE #
RY / BY #
16或8
ES29DL320
4
牧师0E 2006年5月25日
先进的信息
接线图
(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE#
RESET#
NC
WP # / ACC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48引脚TSOP标准
ES29DL320
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE #
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
VSS
CE#
A0
48球FBGA 6毫米x 8毫米)
(顶视图,球朝下)
C
D
E
F
G
H
J
K
7
A13
A12
A14
A15
A16
BYTE #
DQ15/
A-1
VSS
6
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
DQ13
DQ6
5
WE#
RESET#
NC
A19
DQ5
DQ12
VCC
DQ4
4
RY /
BY #
WP # /
A18
A20
DQ2
DQ10
DQ11
DQ3
3
A7
A17
A6
A5
DQ0
DQ8
DQ9
DQ1
2
A3
A4
A2
A1
A0
CE#
OE #
VSS
ES29DL320
5
牧师0E 2006年5月25日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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