ハイリド型ホールIC EWシーズ
ブ ッ
リ
EW732
交番検知
電源電圧
2.218V
●磁電変換特性
S
マーク面
H
VOUT
VCC
梱包は500個/袋のバルク供給となります。
EW732は、
InSb高感度ホール素子と波½整½用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリ ド化したものです。
ッ
高感度锑化铟ホール素子を用いている为,
デューディー比の良いTTLレベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます。
ホール素子
常時駆動
高感度
国际收支平衡表300万吨
:
出力½式
プルアップ抵抗付
薄型SIP
パッケージ
注意 弊社½品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の
:
「重要注意事項」
を良くお読み下さい。
Vd
1
2
3
1:Vcc
2:GND
3:OUT
Bh
VSAT
BRP
BOP
L
N
印加磁束の方向
N極
0
S極
磁束密度
●最大定格
(Ta=25℃)
項目
電
源
電
記号
圧
VCC
定格
18
(*)
VCC
12
30
115
40
125
●回路構成
単½
V
V
mA
℃
℃
2 : GND
ホール素子
増幅回路
シュミッ トリガ回路
ト
出力
トランジスタ
AMP
1 : Vcc的
プルアップ抵抗
R
L
3 : OUT
出 力 開 放 電 圧
VO(关闭)
出 力 流 入 電 流
ISINK
動 ½ 周 囲 温 度
TOPR
保
存
温
度
TSTG
(*)
70℃以上に関 ま
し しては½用電圧範囲を参照下さ
い。
●電気的特性
(Ta=25℃)
項目
記号
測定条件
最小
2.2
Vcc=12V
Vcc=12V
Vcc=12V
Vcc=12V,OUT''L''
Vcc=12V,OUT''H''
Vcc=12V,OUT''H''
6
-6
標準
12
3
-3
6
0.4
8
20
14
最大
18
6
単½
V
mT
mT
mT
V
mA
mV
kΩ
動 ½ 電 圧 範 囲
V
CC
出力 → L磁束密度
B
OP
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
BRP
Bh
出 力 ½ 和 電 圧
VSAT
電
源
電
流
I
cc
Vd
RL
出力電圧降下
プ ル アップ 抵 抗
1
[mT½ [Gauss½
=10
EW732
½品はある確率で故障する可½性があります。
医療機器、
自動車、
航空宇宙機器、
原子力制御用機器等、
その装½ 機器の故障や動½不良が直接または間接を問わず、
生½ 身½ 財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社½品を½用される場合は、
必ず事前に弊社の書面による同意をおとり
ください。
本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
●外½寸法図
(単½ ½½)
:
●½用電圧範囲
20
c
5°
18
16
入力電圧
[V½
14
12
10
8
6
4
2
45°
4.1
φ0.3
传感器中心1.15
10°
0.6
3.0
5°
10°
马克斯。 15.0
f
–40
–20
0
20
40
60
周囲温度
[℃½
80
100
120
140
5°
0.55
1 VCC
:
2 GND
:
3 OUT
:
0
–60
30.4
1
2
3
0.25
1.27 1.27
※注センサの中心はφ0.3mmの
円内に½½します。
●動½磁束密度温度特性
6
Vcc=12V
4
動½磁束密度
[mT½
●動½磁束密度電源電圧依存性
6
4
動½磁束密度
[mT½
2
0
2
BRP
4
6
TA = 25°
2
0
2
BOP
BOP
m
BRP
4
6
60
40 20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
5
周囲温度
(℃)
10
VCC V)
(
15
20
o
p
q
ハイリド型ホールIC EWシーズ
ブ ッ
リ
EW732
交番検知
電源電圧
2.218V
●磁電変換特性
S
マーク面
H
VOUT
VCC
梱包は500個/袋のバルク供給となります。
EW732は、
InSb高感度ホール素子と波½整½用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリ ド化したものです。
ッ
高感度锑化铟ホール素子を用いている为,
デューディー比の良いTTLレベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます。
ホール素子
常時駆動
高感度
国际收支平衡表300万吨
:
出力½式
プルアップ抵抗付
薄型SIP
パッケージ
注意 弊社½品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の
:
「重要注意事項」
を良くお読み下さい。
Vd
1
2
3
1:Vcc
2:GND
3:OUT
Bh
VSAT
BRP
BOP
L
N
印加磁束の方向
N極
0
S極
磁束密度
●最大定格
(Ta=25℃)
項目
電
源
電
記号
圧
VCC
定格
18
(*)
VCC
12
30
115
40
125
●回路構成
単½
V
V
mA
℃
℃
2 : GND
ホール素子
増幅回路
シュミッ トリガ回路
ト
出力
トランジスタ
AMP
1 : Vcc的
プルアップ抵抗
R
L
3 : OUT
出 力 開 放 電 圧
VO(关闭)
出 力 流 入 電 流
ISINK
動 ½ 周 囲 温 度
TOPR
保
存
温
度
TSTG
(*)
70℃以上に関 ま
し しては½用電圧範囲を参照下さ
い。
●電気的特性
(Ta=25℃)
項目
記号
測定条件
最小
2.2
Vcc=12V
Vcc=12V
Vcc=12V
Vcc=12V,OUT''L''
Vcc=12V,OUT''H''
Vcc=12V,OUT''H''
6
-6
標準
12
3
-3
6
0.4
8
20
14
最大
18
6
単½
V
mT
mT
mT
V
mA
mV
kΩ
動 ½ 電 圧 範 囲
V
CC
出力 → L磁束密度
B
OP
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
BRP
Bh
出 力 ½ 和 電 圧
VSAT
電
源
電
流
I
cc
Vd
RL
出力電圧降下
プ ル アップ 抵 抗
1
[mT½ [Gauss½
=10
EW732
½品はある確率で故障する可½性があります。
医療機器、
自動車、
航空宇宙機器、
原子力制御用機器等、
その装½ 機器の故障や動½不良が直接または間接を問わず、
生½ 身½ 財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社½品を½用される場合は、
必ず事前に弊社の書面による同意をおとり
ください。
本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
●外½寸法図
(単½ ½½)
:
●½用電圧範囲
20
c
5°
18
16
入力電圧
[V½
14
12
10
8
6
4
2
45°
4.1
φ0.3
传感器中心1.15
10°
0.6
3.0
5°
10°
马克斯。 15.0
f
–40
–20
0
20
40
60
周囲温度
[℃½
80
100
120
140
5°
0.55
1 VCC
:
2 GND
:
3 OUT
:
0
–60
30.4
1
2
3
0.25
1.27 1.27
※注センサの中心はφ0.3mmの
円内に½½します。
●動½磁束密度温度特性
6
Vcc=12V
4
動½磁束密度
[mT½
●動½磁束密度電源電圧依存性
6
4
動½磁束密度
[mT½
2
0
2
BRP
4
6
TA = 25°
2
0
2
BOP
BOP
m
BRP
4
6
60
40 20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
5
周囲温度
(℃)
10
VCC V)
(
15
20
o
p
q