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ハイリド型ホールIC EWシーズ
ブ ッ
EW732
交番検知
電源電圧
2.218V
●磁電変換特性
S
マーク面
H
VOUT
VCC
梱包は500個/袋のバルク供給となります。
EW732は、
InSb高感度ホール素子と波½整½用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリ ド化したものです。
高感度锑化铟ホール素子を用いている为,
デューディー比の良いTTLレベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます。
ホール素子
常時駆動
高感度
国际收支平衡表300万吨
出力½式
プルアップ抵抗付
薄型SIP
パッケージ
注意 弊社½品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の
「重要注意事項」
を良くお読み下さい。
Vd
1
2
3
1:Vcc
2:GND
3:OUT
Bh
VSAT
BRP
BOP
L
N
印加磁束の方向
N極
0
S極
磁束密度
●最大定格
(Ta=25℃)
項目
記号
VCC
定格
18
(*)
VCC
12
30
115
40
125
●回路構成
単½
V
V
mA
2 : GND
ホール素子
増幅回路
シュミッ トリガ回路
出力
トランジスタ
AMP
1 : Vcc的
プルアップ抵抗
R
L
3 : OUT
出 力 開 放 電 圧
VO(关闭)
出 力 流 入 電 流
ISINK
動 ½ 周 囲 温 度
TOPR
TSTG
(*)
70℃以上に関 ま
し しては½用電圧範囲を参照下さ
い。
●電気的特性
(Ta=25℃)
項目
記号
測定条件
最小
2.2
Vcc=12V
Vcc=12V
Vcc=12V
Vcc=12V,OUT''L''
Vcc=12V,OUT''H''
Vcc=12V,OUT''H''
6
-6
標準
12
3
-3
6
0.4
8
20
14
最大
18
6
単½
V
mT
mT
mT
V
mA
mV
動 ½ 電 圧 範 囲
V
CC
出力 → L磁束密度
B
OP
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
BRP
Bh
出 力 ½ 和 電 圧
VSAT
I
cc
Vd
RL
出力電圧降下
プ ル アップ 抵 抗
1
[mT½ [Gauss½
=10
EW732
½品はある確率で故障する可½性があります。
医療機器、
自動車、
航空宇宙機器、
原子力制御用機器等、
その装½ 機器の故障や動½不良が直接または間接を問わず、
生½ 身½ 財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社½品を½用される場合は、
必ず事前に弊社の書面による同意をおとり
ください。
本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
●外½寸法図
(単½ ½½)
●½用電圧範囲
20
c
18
16
入力電圧
[V½
14
12
10
8
6
4
2
45°
4.1
φ0.3
传感器中心1.15
10°
0.6
3.0
10°
马克斯。 15.0
f
–40
–20
0
20
40
60
周囲温度
[℃½
80
100
120
140
0.55
1 VCC
2 GND
3 OUT
0
–60
30.4
1
2
3
0.25
1.27 1.27
※注センサの中心はφ0.3mmの
円内に½½します。
●動½磁束密度温度特性
6
Vcc=12V
4
動½磁束密度
[mT½
●動½磁束密度電源電圧依存性
6
4
動½磁束密度
[mT½
2
0
2
BRP
4
6
TA = 25°
2
0
2
BOP
BOP
m
BRP
4
6
60
40 20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
5
周囲温度
(℃)
10
VCC V)
15
20
o
p
q
ハイリド型ホールIC EWシーズ
ブ ッ
EW732
交番検知
電源電圧
2.218V
●磁電変換特性
S
マーク面
H
VOUT
VCC
梱包は500個/袋のバルク供給となります。
EW732は、
InSb高感度ホール素子と波½整½用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリ ド化したものです。
高感度锑化铟ホール素子を用いている为,
デューディー比の良いTTLレベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます。
ホール素子
常時駆動
高感度
国际收支平衡表300万吨
出力½式
プルアップ抵抗付
薄型SIP
パッケージ
注意 弊社½品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の
「重要注意事項」
を良くお読み下さい。
Vd
1
2
3
1:Vcc
2:GND
3:OUT
Bh
VSAT
BRP
BOP
L
N
印加磁束の方向
N極
0
S極
磁束密度
●最大定格
(Ta=25℃)
項目
記号
VCC
定格
18
(*)
VCC
12
30
115
40
125
●回路構成
単½
V
V
mA
2 : GND
ホール素子
増幅回路
シュミッ トリガ回路
出力
トランジスタ
AMP
1 : Vcc的
プルアップ抵抗
R
L
3 : OUT
出 力 開 放 電 圧
VO(关闭)
出 力 流 入 電 流
ISINK
動 ½ 周 囲 温 度
TOPR
TSTG
(*)
70℃以上に関 ま
し しては½用電圧範囲を参照下さ
い。
●電気的特性
(Ta=25℃)
項目
記号
測定条件
最小
2.2
Vcc=12V
Vcc=12V
Vcc=12V
Vcc=12V,OUT''L''
Vcc=12V,OUT''H''
Vcc=12V,OUT''H''
6
-6
標準
12
3
-3
6
0.4
8
20
14
最大
18
6
単½
V
mT
mT
mT
V
mA
mV
動 ½ 電 圧 範 囲
V
CC
出力 → L磁束密度
B
OP
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
BRP
Bh
出 力 ½ 和 電 圧
VSAT
I
cc
Vd
RL
出力電圧降下
プ ル アップ 抵 抗
1
[mT½ [Gauss½
=10
EW732
½品はある確率で故障する可½性があります。
医療機器、
自動車、
航空宇宙機器、
原子力制御用機器等、
その装½ 機器の故障や動½不良が直接または間接を問わず、
生½ 身½ 財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社½品を½用される場合は、
必ず事前に弊社の書面による同意をおとり
ください。
本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
●外½寸法図
(単½ ½½)
●½用電圧範囲
20
c
18
16
入力電圧
[V½
14
12
10
8
6
4
2
45°
4.1
φ0.3
传感器中心1.15
10°
0.6
3.0
10°
马克斯。 15.0
f
–40
–20
0
20
40
60
周囲温度
[℃½
80
100
120
140
0.55
1 VCC
2 GND
3 OUT
0
–60
30.4
1
2
3
0.25
1.27 1.27
※注センサの中心はφ0.3mmの
円内に½½します。
●動½磁束密度温度特性
6
Vcc=12V
4
動½磁束密度
[mT½
●動½磁束密度電源電圧依存性
6
4
動½磁束密度
[mT½
2
0
2
BRP
4
6
TA = 25°
2
0
2
BOP
BOP
m
BRP
4
6
60
40 20
0
20
40
60
80
100
120
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0
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周囲温度
(℃)
10
VCC V)
15
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p
q
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EW732
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
EW732
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DIP-3
全新原装正品特价售销!
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电话:755-83252273
联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
EW732
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绝对全新原装/自己库存现货
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
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EW732
AKE
2024
20918
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上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
EW732
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电话:0755-83259954/0755-82701784
联系人:李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址:福田区振华路华乐楼615室
EW732
AKE
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
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原装现货上海库存,欢迎咨询
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EW732
AKE
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:李先生
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联系人:朱
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