EVDD430S / EVDD430CY
30A超快MOSFET / IGBT驱动器评估板
概述
该EVDD430S / EVDD430CY评估板
通用电路板的设计，简化了
在IXYS IXDS430的评价， IXDD430 ， IXDI430和
IXDN430 MOSFET / IGBT驱动器，以及提供一种
构建模块电源电路的发展。任何三个集成电路
封装类型， SOIC - 28 ， 5引脚TO - 220和5引脚TO -263
可在两个不同的板。该板布局
能够使用MOSFET或IGBT的在TO -247 ，TO- 264
或SOT- 227封装，也让驱动装置
被安装到散热器。在此过程中，公司董事会
组件可以作为一个参考于地，低侧
两个单端和推挽式开关电源
配置。所有三个驱动程序包的电路板布局
允许该设备选项卡，焊接或绑在一个
接地平面，适用于高功率改进的冷却，高
频率的应用与大型MOSFET器件。该
布局也进行了优化，最小的跟踪路由
而最大面积，以减少电感和提升
性能。
- 图1和2分别是前的照片和背面
EVDD430CY板上装有一个IXDI430CI TO- 220驱动器
而图3和图4示出了EVDD430S板装备
与IXDS430S 28引脚SOIC封装。低电平
输入显示在上板各点。该
“信号输入”是TTL或CMOS电平兼容的输入，
控制开或关的电源设备Q1or Q2的状态。
“禁用”是一个可选的输入，这取决于设备
安装，并控制三态输出（ IXDD430 ，并
仅IXDS430设备）。三态模式可在使用
的电动机驱动电路，其中的过电流可以
检测出，然后一个禁止信号反馈，以控制
在IGBT的关断时，通过一个单独的以较慢的速度“流血
关闭“电阻。的“ VCC- IN”是低电压（ 8.5-35V ）供应
输入。图5和图6示出了一个TO -247的安装，
TO- 264 ， SOT- 227功率器件。
电路工作原理
该示意图的评估板
在图8中所示和图9的外部驱动信号是
适用于“信号在”测试点。该电路板还提供了
跨越50欧姆输入电阻器R4的焊盘，使得
同轴电缆可以直接焊接到board.The多氯联苯
经过设计，以试图最小化寄生
长而窄的走线电感相关。大
已经提供了连接点，以使用户能
连接更大的导线或铜条，以尽量减少回路
电感。 DA和RA的二极管，电阻器组合
提供了一种控制的速率放电路径的栅极
当启用功能功率器件强制驱动器到
其三态模式。在这种模式中，所述的关断时间
功率器件由输入的时间常数来确定
门电容C
国际空间站
和电阻RA的值。 RA
尚未加载，使得用户可以选择该值
最适合的设计。
驱动器输出通过连接于MOSFET / IGBT
栅极驱动电阻的位置。电阻器可以被替换
用价值来优化上翻，关闭业绩
设计。该IXDS430S还包括单独的驱动器
输出源/汇引脚和EVDD430S评价
板被布置成使得在速度又可以是不同的
从通过的的分离式输出引脚的关闭率
装置。该IXD_430 C和Y输出引脚内部
连接并只有一个组门极电阻。
最后，该器件具有欠电压脱扣
点8.5V或11.75V ，请参阅顺序表。如果电源电压
逢低低于这个固定的点，开车到功率器件
禁用。此功能是可选的EVDD430S PCB上
通过JP2的方式，而JP1提供了反转的选项
驱动信号。
订购信息
产品型号
伴侣设备（1）
选项
EVDD430CI
IXDD430CI
TO-220
UV = 11.75 NI与启用
EVDD430MCI
IXDD430MCI
TO-220
UV = 8.5
NI与启用
EVDD430YI
IXDD430YI
TO-263
UV = 11.75 NI与启用
EVDD430MYI
IXDD430MYI
TO-263
UV = 8.5
NI与启用
EVDI430CI
IXDI430CI
TO-220
UV = 11.75反相
EVDI430MCI
IXDI430MCI
TO-220
UV = 8.5
反相
EVDI430YI
IXDI430YI
TO-263
UV = 11.75反相
EVDI430MYI
IXDI430MYI
TO-263
UV = 8.5
反相
EVDN430CI
IXDN430CI
TO-220
UV = 11.75 NI
EVDN430MCI
IXDN430MCI
TO-220
UV = 8.5
NI
EVDN430YI
IXDN430YI
TO-263
UV = 11.75 NI
EVDN430MYI
IXDN430MYI
TO-263
UV = 8.5
NI
EVDS430SI
IXDS430SI
28引脚SOIC
UV /反转=可选的W /启用
UV =低电压跳变点， NI =非反相
(1)
配套设备安装用户。
版权所有 IXYS公司2003
首次发行
EVDD430S/EVDD430CY
功能
VCC IN
供应8V - 35V
GND
地
信号
外部驱动信号
关闭
高的设备禁用
INV **
输出反转
UVSEL **
在电压选择
**可用的EVDD430S板仅
图7 - PCB连接表
0.47UF 50V C11
0.47UF 50V C13
0.47UF 50V C14
0.01UF 50V C15
0.01UF 50V C16
0.01UF 50V C17
输入
该评估板提供与任何IXDD408YI ，
IXDD409YI ， IXDI409YI ， IXDN409YI或IXDD414YI 5引脚TO -
263安装设备，具体取决于评估板
部件号订购。要使用该评估板用
不同的封装类型，安装的设备必须重新
移动，并且新的设备安装在适当
位置。
JP1开放，非反相输出，跳线为倒
JP2开放UVSEL在12.5V ，跳线为8.5V
VCC IN
R5 3.32
.1UF 100V C2
U1
+
1
2
VCC
VCC
VCC
VCC
N / C
UVSEL
VCC
VCC
VCC
VCC
OUT P
OUT P
28
27
26
25
24
23
22
21
+
TP1
+
+
+
+
+
+
+
R3
2K
JP1 JP2
3
4
5
6
7
R7
R8
1
1
2
Q1
漏
TP5
信号
TP3
R11 220
Q3
2N7000
3
8
9
10
11
2
1
12
13
14
IN
EN
INV
GND
GND
GND
GND
IXDS430
N / C
OUT P
输出N
输出N
输出N
GND
GND
GND
GND
3
Q2
2
20
19
18
17
16
15
R9
R10
1
1
1
3
TO-247
SOT-227
1,4
关闭
TP4
R1 100
R6
R4
49.9
R2
1K
10K
RA
DA
未加载
GND
TP2
0.01UF 50V NPO C13
0.01UF 50V NPO C14
0.01UF 50V NPO C15
0.47UF 50V C10
0.47UF 50V C11
VCC IN
TP1
10UF 35V C1
0.47UF 50V C9
10UF 35V C2
10UF 35V C3
10UF 35V C4
0.47UF 50V C12
图8 EVDD430S示意图
10UF 35V C5
10UF 35V C6
10UF 35V C7
+
+
+
+
+
+
+
+
R3 10K
TP2
U1 / U2
CI /易包
P1的Vcc
P2 OUT
P3 GND
TP3
2
R1
1
1
3
Q2
TO-247
2
3
Q3
SOT-227
1,4
R7 240
在P4
P5 EN
3
R2
1
信号
R5 100
Q1
2N7000
1
TP4
2
关闭
R4 49.9
R6 1K
RA
DA
未加载
GND
TP5
图9 - EVDD430CY示意图
注意：
示意图显示了两个MOSFET器件。然而只有一个设备可以在任何时间进行安装。
3
10UF 35V C8
0.01UF 50V NPO C16
10UF 35V C10
10UF 35V C1
10UF 35V C3
10UF 35V C4
10UF 35V C5
10UF 35V C6
10UF 35V C7
10UF 35V C8
10UF 35V C9
0.01UF 50V C18
0.47UF 50V C12
EVDD430S/EVDD430CY
IXYS公司
3540巴西特街;圣克拉拉， CA 95054
电话： 408-982-0700 ;传真： 408-496-0670
电子邮件： sales@ixys.net
www.ixys.com
IXYS半导体有限公司
Edisonstrasse15 ; D- 68623 ;兰佩尔泰姆
电话： + 49-6206-503-0 ;传真： + 49-6206-503627
电子邮件： marcom@ixys.de
定向能源公司
一个IXYS公司
2401大道的研究STE 。 108
英尺。柯林斯，CO 80526
电话： 970-493-1901 ;传真： 970-493-1903
电子邮件： deiinfo@directedenergy.com
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4
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