EVDD415
IXDD415高频栅极驱动器IC的评估板
概述
该EVDD415评估板是通用电路
板旨在简化IXYS的评价/ DEI
IXDD415栅极驱动IC ，以及提供一种积木
用于电源电路的发展。该IXDD415SI SO- 28
封装栅极驱动器在出厂时安装在EVDD415 。该
板使用户能够在驱动MOSFET在DEI DE-
150或DE- 275 RF封装类型。评估板
设计允许这些MOSFET，被连接到热
下沉，并在这样做的板组件可作为一个
接地参考，为单低侧功率开关
结束和推挽配置。电路，用于将三 -
状态函数包含评估板上。
图1是IXDD415评估板的照片
装载有IXDD415SI驱动器和一个DE275-102N06A
MOSFET。低电平输入被显示在左侧的
董事会。 J1是TTL高电平有效输入连接至INA
和INB管脚控制打开或关闭电源的状态
开关U2 。 E9是低真输入端连接到ENA和
ENB引脚，控制三态输出。 E1是低
电压（ 8-30V ）电源输入端连接到所述IC的VCC- IN，
（见下面的图3）。图2示出了MOSFET的
安装的DE系列MOSFET。 MOSFET导通时
安装在所述印刷电路板的背面侧。
电路工作原理
该评估板的原理图如图
图4.该控制栅施加到R4然后在输入
销7和IC U1的8 。此信号输入之后在
时间输出引脚19 24 U1 。引脚1到4
和1114 U1经由一去附着到+ VCC
耦合网络由R1，C1 ，C2，C3的通过C10
C13和C16通过。销5 ，10，15 ，通过18和25
通过28 U1连接到电路的地平面。这
是旁路，针对Vcc的优选安排
输入功率。的使能管脚6和U1的9连接到
Q1的漏极。此装置被用于水平平移和
提供反转功能的三态模式。的漏极
Q 1也连接到MOSFET直通R9的栅极和
D1 。在三态模式下，打开电源的关断时间
MOSFET是由输入的时间常数来确定
门电容C
国际空间站
和电阻R9的值。看
在IXDD415数据手册更多相关信息
操作模式。
U1的输出可在引脚19到U1的24 。该
板被设计成平行于IXDD415的两个输出
IC ，产生高达20A
(1)
的输出电流。三个输出
针对每个通道应始终平行于
降低电路的电感，并提供承载电流的
所需的高输出电流的能力的能力
在IXDD415 。
有两个测试点上的板： E6的控制
E7的流失。这允许用户容易地附加一个
示波器探头和相关的地面到电路
以验证性能。
漏极输出部被设计成允许用户
安装所选择的负载以及高电压的类型
版权所有 IXYS公司2001年
旁路。漏极焊盘标记E7 。大垫
E7的权利适用于VDS的电源
连接。周围的排水垫和垫的Vds是
电源接地垫。在电路图此垫被标
E8.
图1 - EVDD415评估板
安装在低功耗组态DEI DE275-102N06A设备
配给仅用于说明目的
＃ 4-40插座耐热螺栓（或同等学历）
3英寸磅最大。力矩
DE系列
MOSFET
贝氏垫圈
印刷的
电路
板
散热器
SIDE VIEW
热
复合
金属的
基板
散热器
结束查看从漏极侧
图2 - EVDD415侧视图显示DE系列电源
设备安装在高功耗配置
(2)
输入
J1 （ SMB）的
E2, E4, E5, E8, E10
E9
E1
功能
控制输入 - 3V到1K欧姆
地
启用， LOW =真正的高=三态模式
VCC输入 - 8V至25V
图3 - 输入引脚分配表
订购信息
产品型号
安装的设备
EVDD415
可容纳DEI DE- 150和
DE -275系列MOSFET器件
(1)
在IXDD415的每个输出可以提供15A的电流，而
当两个输出端同时被驱动，与
EVDD415 ，最大输出电流应限制为20A 。
(2)
对于其他设备的安装说明，请参见技术
注意"DE系列
MOSFET安装&安装Instructions"
on
在DEI网站www.directedenergy.com/apptech.htm 。
首次发行
EVDD415
图4 - EVDD415原理图和电路板布局
注意事项：
1）示意性示出了DE275的MOSFET ，但是一个DEI的DE- 150或DE- 275包类型可在安装
EVDD415 。设置在EVDD415没有的MOSFET ，从而用户可以安装相应的MOSFET对他们的
应用程序。
图5 - EVDD415 2.2ns
（ 2V到12V）门上升时间
CL=1000pF
图6 - EVDD415典型
门波形
CL=1000pF
图7 - EVDD415典型
输出波形
F = 50MHz的脉冲串， CL = 1000pF的
额外的性能数据和电波形，请参阅DEI或IXYS网站的IXDD415SI数据表。
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