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EVB72001
315MHz的FSK发射器
评估板说明
概述
在TH72001评估板旨在演示了发射器IC的一个最佳性能
50欧姆环境与最少的外部元件。在TH72001板填充的FSK
传输。功率放大器的最佳匹配到50欧姆由天线匹配的方式
网为315兆赫的共振频率。
Gerber格式的电路板布局数据可应要求提供。
特点
!
!
!
!
完全集成的PLL , VCO稳定
频率范围从290 MHz到350 MHz的
单端RF输出
通过拉晶FSK调制可以从
DC到40 kbit / s的
!
高FSK偏差可能的宽带数据
传输
!
宽电源电压范围为1.9 V至5.5 V
!
低电压检测
订购信息
产品型号
P
L
E
R
IN
IM
!
高过所有的频率精度
!
FSK偏差和中心频率
独立可调
!
极低的待机电流
!
可调节的输出功率范围从
-15 dBm到+6 dBm的
!
可调电流消耗
3.5毫安到10.7毫安
!
符合EN 300 220和类似
标准
Y
R
A
EVB72001-315
应用
!
!
!
!
!
一般的数字数据传输
轮胎压力监测系统( TPMS )
遥控车门开关( RKE )
低功耗遥测
报警和安全系统
!
!
!
!
车库开门器
家庭自动化
遥控器
本地振荡信号的产生
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修订版002
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EVB说明
Oct/02
EVB72001
315MHz的FSK发射器
评估板说明
文档内容
1
1.1
1.2
理论Operation.....................................................................................................3
一般............................................................................................................................................... 3
框图................................................................................................................................... 3
2
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
功能说明................................................ ................................................ 4
水晶Oscillator............................................................................................................................... 4
FSK调制................................................................................................................................. 4
拉晶................................................................................................................................... 4
输出功率Selection....................................................................................................................五
锁Detection...................................................................................................................................五
低电压Detection......................................................................................................................五
模式控制Logic........................................................................................................................... 6
时序图............................................................................................................................... 6
3
4
4.1
电路图............................................................................................................7
PCB顶视图..............................................................................................................8
板连接............................................................................................................................. 8
5
6
7
主板元件值............................................... ............................................ 9
包Information..................................................................................................10
Disclaimer...................................................................................................................12
P
L
E
R
IN
IM
Y
R
A
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EVB说明
Oct/02
EVB72001
315MHz的FSK发射器
评估板说明
操作1理论
1.1
一般
如图所示1所示, TH72001发射器由一个完全集成的压控振荡器的
(VCO) ,一个除以32除法器( div32 ) ,一相位频率检测器(PFD )和电荷泵(CP) 。一
内部环路滤波器决定PLL的动态行为,并抑制参考杂散信号。一
的Colpitts晶体振荡器( XOSC )被用作一个锁相环路的基准振荡器(PLL)的
合成器。 VCO的输出信号反馈的功率放大器(PA ) 。的RF信号的功率P
OUT
可以
从P四步调整
OUT
= -15 dBm至6 dBm时,无论是通过改变电阻的RPS或由该值
变化的电压V
PS
引脚PSEL 。集电极开路输出(OUT)既可以用于直接驱动一个
环形天线或要被匹配到50欧姆负载。带隙偏置保证了集成电路中的一个稳定的操作
1.9 V至5.5 V的电源电压范围
1.2
框图
ENTX
4
XTAL
P
投资回报率
3
L
E
R
PLL
模式
控制
XOSC
XBUF
8
VEE
32
IN
IM
RPS
VCC
PSEL
Y
R
A
7
OUT
ASKDTA
6
5
1
PA
天线
匹配
PFD
CP
VCO
电压
探测器
CX1
2
图。 1 :与外部组件框图
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修订版002
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EVB说明
Oct/02
EVB72001
315MHz的FSK发射器
评估板说明
2功能描述
2.1
晶体振荡器
甲的Colpitts晶体振荡器和一个集成电容作为基准振荡器,该锁相环
合成器。由晶体振荡器输入引脚的投资回报率提供了等效输入电容CRO约
18pF之。晶体振荡器是为了有一个非常稳定的设置有一个幅度控制回路
频率在指定的电源电压和温度范围结合有短的启动时间。
2.2
FSK调制
图。 2 :水晶拉电路
投资回报率
VCC
FSK调制可以通过拉动来实现
晶体振荡器的频率。一个CMOS-
兼容的数据流施加在销
FSKDTA数字通过调制XOSC
集成NMOS开关。两个外部上拉
电容CX1和CX2让FSK
偏差
f
和中心频率f
c
独立地调节。在FSKDTA = 0, CX2是
并联连接到CX1导致低
FSK的频谱的频率分量
(f
) ;而在FSKDTA = 1, CX2被停用
和XOSC被置于其高频率f
最大
.
外部参考信号可以直接AC-
耦合到参考振荡器输入引脚
投资回报率。然后发射机使用未经
水晶。现在参考信号设置
载波频率,也可以含有将FSK
(或FM )调制。
XTAL
2.3
拉晶
晶体是由制造商对调谐
要求振荡频率f
0
在给定的负载
电容CL和在指定的
校准公差。拉的唯一途径
振荡频率,以改变有效载荷
电容CL
EFF
看到的晶体。
图3示出了振荡频率
晶体作为有效负载的函数
电容。该电容的变化
根据FSKDTA的逻辑电平
各地指定的负载电容。该
图说明之间的关系
外拉电容与频率
偏差。
它也可以看出,牵引灵敏度
增加了与CL的减少。因此,
以高频率偏差的应用程序
需要一个低的负载电容。对于窄
频带的FSK应用中,较高的负载
电容可以减少被选择
引起的误差的频率漂移
芯片和外拉电容。
P
L
E
R
IN
IM
FSKDTA
0
1
f
f
最大
f
o
CX1
Y
R
A
FSKSW
CX2
VEE
描述
f
= f
c
-
f
( FSK的开关是闭合的)
f
最大
= f
c
+
f
( FSK的开关是打开的)
XTAL
L1
C1
R1
C0
CL
EFF
f
CX1 CRO
CX1+CRO
CL
( CX1 + CX2 ) CRO
CX1+CX2+CRO
CL
EFF
图。 3 :水晶拉特点
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EVB说明
Oct/02
EVB72001
315MHz的FSK发射器
评估板说明
2.4
输出功率的选择
该发射机具有一个输出功率选择功能。有四种预定义的输出功率
步骤一过一步通过电源选择引脚PSEL访问。数字功率调节
因为它的高精确度和稳定性选择。的步骤和步长的数量,以及
对应的功率电平进行选择,以由不同的应用程序的范围。
输出功率控制的实施
逻辑如图4所示。有两种
同的量匹配的电流源
约8 μA 。一个电流源是直接
施加到PSEL引脚。另一电流
源是用于参考的代
电压与电阻梯形。这些参考
电压定义的阈值
电源的步骤。四个比较
根据温度计编码控制信号
关于在PSEL的电压电平。为了
有在一定量的脉动公差
嘈杂的环境比较有
设置有大约20 mV的小滞后。
用这些控制信号,加权电流
功率放大器的源被接通
或关断,设置所需的输出功率电平
(数控电流源) 。该
LOCK信号和所述低电压的输出
检测器选通该电流源。
RPS
PSEL
&放大器;
&放大器;
&放大器;
&放大器;
有两种方法来选择所需的输出功率的步骤。首先通过在PSEL施加直流电压,
那么这个电压直接选择所需的输出功率的步骤。这种功率选择,可如果使用
的发送功率,必须在运行期间改变。对于固定电源应用中的电阻可
使用这是从PSEL引脚与地相连。电阻两端的压降来选择
期望的输出功率电平。对于固定电源应用中的最高功率一步该电阻可
省略。销PSEL是在高阻抗状态中的“ TX待机”模式。
在T典型值
A
= 23 ° C和V
CC
4 V
功率步
P
OUT
/ dBm的
RPS /千欧
V
PS
/ V
0
P
L
E
R
& LT ; -70
& LT ; 10
0.1
IN
IM
1
-15
22
2
-6
47
0.28 0.51
图。 4 :输出功率控制电路的原理框图
Y
R
A
&放大器;
3
0
100
0.57 1.18
4
6
& GT ; 220
& GT ; 1.23
OUT
0.14 0.24
2.5
锁定检测
该锁定检测电路上只在PLL锁定之后的功率放大器。这可以防止不必要的
发射机如果PLL的发射被解锁。
2.6
低电压检测
电源电压是由一个低电压检测电路检测的。功率放大器关闭,如果供应
电压降到低于1.85伏值。这是为了防止不必要的辐射进行
发射机如果电源电压过低。
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