a

2.7 V至5.25 V ，微功耗， 8通道，

125 kSPS时， 12位ADC，采用16引脚TSSOP

AD7888

功能框图

AIN1

AIN8

2.5V

REF

REF IN / REF OUT

BUF

特点

指定V

DD

2.7 V至5.25 V

灵活的功耗/呑吐量管理

关断模式： 1 A最大

8个单端输入

串行接口： SPI / QSPI / MICROWIRE / DSP

兼容

16引脚窄体SOIC和TSSOP封装

应用

电池供电系统（个人数字助理，

医疗器械，移动通信）

仪表和控制系统

高速调制解调器

AD7888

I / P

MUX

T / H

V

DD

COMP

收费

再分配

DAC

SAR ADC +

控制逻辑

概述

AGND

SPORT

AGND

该AD7888是一款高速，低功耗， 12位ADC，能操作

阿泰从单一2.7 V至5.25 V单电源供电。该AD7888是

能的一个125 kSPS的吞吐速率。在输入采样和 -

持有收购了500 ns的信号，并采用单端

抽样方案。该AD7888包含八个单端

模拟量输入， AIN1通过AIN8 。每个模拟输入

这些信道是从0到V

REF

。该器件能够CON-的

verting全功率信号高达2.5兆赫。

在AD7888具有一个片上2.5 V基准电压源，可以

作为基准源的A / D转换器。在REF

IN / REF OUT引脚允许该参考用户访问。替代方案

本身，这个引脚可以过驱动，以提供一个外部基准

EnCE的电压为AD7888 。电压范围为这个外部

参考是从1.2 V至V

DD

.

CMOS结构确保了典型的低功耗

2 mW的正常运行和3

W

在掉电模式。

该器件采用16引脚窄体小外形

（ SOIC）;以及16引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）封装。

CS

DIN

DOUT

SCLK

产品亮点

1.最小的12位8通道ADC ; 16引脚TSSOP封装是一样的

面积为8引脚SOIC和不到一半的高度。

2.功耗最低的12位8通道ADC 。

3.灵活的电源管理选项，包括自动

转换后掉电。

4.模拟输入范围为0 V至V

REF

(V

DD

).

5.通用串行I / O端口（ SPI / QSPI / MICROWIRE / DSP

兼容）。

SPI和QSPI是Motorola，Inc.的商标。

MICROWIRE是美国国家半导体公司的商标。

版本B

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2001

5.25 REFIN / REFOUT

AD7888–SPECIFICATIONS

T = （ VT = to2.7T V tounlessV ，另有说明。 ） = 2.5 V外部/内部参考，除非

另有说明; F = 2兆赫（V = 2.7 V至5.25 V ） ;

,

DD

SCLK

DD

A

民

最大

参数

动态性能

信号与噪声+失真比

2, 3

（SNR）的

总谐波失真

2

（ THD ）

峰值谐波或杂散噪声

2

互调失真

2

（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

通道到通道隔离

2

全功率带宽

DC精度

决议

积分非线性

2

微分非线性

2

偏移误差

偏移误差匹配

2

增益误差

2

增益误差匹配

2

模拟量输入

输入电压范围

漏电流

输入电容

参考输入/输出

REFIN输入电压范围

输入阻抗

REFOUT输出电压

REFOUT温度系数

逻辑输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

IN

输入电容，C

IN4

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

5

输出编码

转化率

生产时间

采样/保持捕获时间

2

转换时间

A版

1

71

–80

–80

–78

–78

–80

2.5

12

±

2

±

2

±

6

±

4.5

2

±

2

3

0到V

REF

±

1

38

4

2.5/V

DD

5

2.45/2.55

±

50

2.4

2.1

0.8

±

10

10

B版本

1

71

–80

–80

–78

–78

–80

2.5

12

±

1

–1/+1.5

±

6

±

4.5

2

±

2

3

0到V

REF

±

1

38

4

2.5/V

DD

5

2.45/2.55

±

50

2.4

2.1

0.8

±

10

10

单位

dB典型值

dB典型值

dB典型值

dB典型值

dB典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

位

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

伏

A

最大

pF的典型值

pF的典型值

V最小/最大

千欧（典型值）

V最小/最大

PPM /°C的典型值

V分钟

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

测试条件/评论

f

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 125 kSPS时

f

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 125 kSPS时

f

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 125 kSPS时

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 125 kSPS时

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 125 kSPS时

f

IN

= 25千赫

@ 3分贝

任何通道

保证无漏码为11位（ A级）

保证无漏码为12位（ B级）

V

DD

= 4.75 V至5.25 V （典型

±

3 LSB ）

V

DD

= 2.7 V至3.6 V （典型

±

2 LSB ）

一般为30 LSB ，内置电压基准

当轨道

当保持

从1.2伏官能

如果内部参考禁用阻抗非常高

V

DD

= 4.75 V至5.25 V

V

DD

= 2.7 V至3.6 V

V

DD

= 2.7 V至5.25 V

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

V

DD

– 0.5

V

DD

– 0.5

0.4

0.4

±

10

±

10

10

10

直（自然科学）二进制

16

1.5

14.5

16

1.5

14.5

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

I

来源

= 200

A

V

DD

= 2.7 V至5.25 V

I

SINK

= 200

A

SCLK周期

SCLK周期

SCLK周期

转换时间+采集时间。 125 kSPS的用

2 MHz的时钟

7.25

s

（ 2 MHz时钟）

–2–

版本B

AD7888

参数

电源要求

V

DD

I

DD

普通模式

5

（静态）

正常模式（工作）

使用待机模式

使用关断模式

待机模式

6

关断模式

6

正常模式功耗

关机功耗

待机功耗

A版

1

2.7/5.25

700

700

450

80

12

200

2

1

3.5

2.1

10

3

1

600

B版本

1

2.7/5.25

700

700

450

80

12

200

2

1

3.5

2.1

10

3

1

600

单位

V最小/最大

A

最大

A

典型值

A

典型值

A

典型值

A

典型值

A

最大

A

最大

A

最大

毫瓦MAX

毫瓦MAX

W

最大

W

最大

毫瓦MAX

W

最大

测试条件/评论

f

样品

= 125 kSPS时

f

样品

= 50 kSPS时

f

样品

= 10 kSPS时

f

样品

= 1 kSPS时

V

DD

= 2.7 V至5.25 V

V

DD

= 4.75 V至5.25 V （ 0.5

A

典型值）

V

DD

= 2.7 V至3.6 V

V

DD

= 5 V

V

DD

= 3 V

V

DD

= 5 V

V

DD

= 3 V

V

DD

= 5 V

V

DD

= 3 V

笔记

1

温度范围如下：A版本： -40°C至+ 105°C ; B版本： -40°C至+ 105°C 。

2

参见术语。

3

SNR计算包含失真和噪声分量。

4

样品测试@ 25°C ，以确保合规性。

5

所有数字输入@ GND除

CS

@ V

DD

。在数字输出无负载。模拟输入@ GND 。

6

SCLK @ GND时， SCLK关闭。所有数字输入@ GND除

CS

@ V

DD

。在数字输出无负载。模拟输入@ GND 。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

订购指南

线性

错误

包

1

（ LSB ）

描述

±

2

±

1

±

2

±

1

SOIC

SOIC

TSSOP

TSSOP

包

选项

R-16A

R-16A

RU-16

RU-16

V

DD

到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V

模拟输入电压至AGND 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

数字输入电压至AGND 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

数字输出电压至AGND 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

REFIN / REFOUT至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

输入电流到任何引脚除外用品

2

. . . . . . . .

±

10毫安

工作温度范围

广告

（A版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 105°C

（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 105°C

存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C

结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃

SOIC ， TSSOP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦

θ

JA

热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 124.9 ℃/ W（ SOIC ）

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150.4 ℃/ W（ TSSOP ）

θ

JC

热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42.9 ℃/ W（ SOIC ）

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27.6 ℃/ W（ TSSOP ）

焊接温度，焊接

气相（ 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃

红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃

ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1千伏

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

2

高达100 mA的瞬态电流不会造成SCR闩锁。

模型

AD7888AR

AD7888BR

AD7888ARU

AD7888BRU

EVAL-AD7888CB

2

EVAL -CONTROL BRD2

3

笔记

1

在这里线性误差是指积分线性误差。

2

这可以作为一个独立的评估板，或与结合

EVAL-管制局评估/演示。

3

该板是一个完整的单元，允许一台PC来控制，并与所有沟通

ADI公司评估板的CB标志后缀。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然AD7888具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

版本B

–3–

AD7888

时序特定网络阳离子

1

(T = T

A

民

给T

最大

中，除非另有说明）

参数

f

SCLK2

t

兑换

t

ACQ

t

1

t

2 3

t

3 3

t

4

t

5

t

6

t

7

t

8 4

t

9

在T限制

民

, T

最大

（ A，B版本）

4.75 V至5.25 V

2.7 V至3.6 V

2

14.5 t

SCLK

1.5 t

SCLK

10

30

75

20

20

0.4 t

SCLK

0.4 t

SCLK

80

5

2

14.5 t

SCLK

1.5 t

SCLK

10

60

100

20

20

0.4 t

SCLK

0.4 t

SCLK

80

5

单位

兆赫最大

描述

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最大值）

s

典型值

生产时间= T

兑换

+ t

ACQ

= 16 t

SCLK

CS

到SCLK建立时间

从延迟

CS

直到DOUT三州残疾人

数据访问时间SCLK下降沿后

数据建立时间之前SCLK上升沿

数据有效到SCLK保持时间

SCLK高脉冲宽度

SCLK低脉冲宽度

CS

上升沿到DOUT高阻

从关机开机时间

笔记

1

在25℃下的样品进行测试，以确保遵守。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的

DD

），并定时从1.6 V的电压电平

2

马克/空间比SCLK输入是40/60至60/40 。见串行接口部分。

3

测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V时采用V

DD

= 5 V

±

为输出到10％和时间

跨越0.4 V或2.0 V与V

DD

= 3 V

±

10%.

4

t

8

从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1中的电路测量的数目，然后外推

背面去除的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t

8

在时序特性所是真正的总线释放

的部分和的时间是独立的总线负载的。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

200 A

I

OL

TO

产量

针

1.6V

C

L

50pF

200 A

I

OH

图1.负载电路的数字输出时序规范

–4–

版本B

AD7888

销刀豆网络gurations

SOIC和TSSOP

CS

1

16

SCLK

15

DOUT

14

DIN

REF IN / REF OUT

2

V

DD 3

AGND

4

AIN1

AD7888

13

AGND

顶视图

5

（不按比例）

12

AIN8

11

AIN7

10

AIN6

9

AIN2

6

AIN3

7

AIN4

8

AIN5

引脚功能描述

针

号

1

2

助记符

CS

REF IN / REF OUT

功能

片选。低电平有效逻辑输入。该输入提供了启动转换的双重功能

的AD7888和也帧的串行数据传输。

基准输入/输出。片上基准可在此引脚用于外部的AD7888 。

可选地，内部基准可以被禁用和外部基准施加到该输入端。

电压范围为外部参考是从1.2 V至V

DD

.

电源输入。在V

DD

范围为AD7888的2.7 V至5.25 V

模拟地。接地参考点上的AD7888的所有电路。所有的模拟输入信号和

任何外部参考信号，应参考此AGND电压。这两个引脚应

连接到系统的AGND平面。

模拟输入1到模拟输入8 8个单端模拟输入通道，复用

成片上采样/保持。模拟输入信道转换被选择使用ADD0

通过对控制寄存器ADD2位。输入范围为所有输入通道为0至V

REF

。任何

未使用的输入通道应连接到AGND ，以避免噪声干扰。

数据输入。逻辑输入。数据被写入到AD7888的控制寄存器被设置在该输入

并移入在SCLK的上升沿寄存器（见控制寄存器部分） 。

数据输出。逻辑输出。来自AD7888的转换结果被设置在该输出作为串行

数据流。该位同步输出输入SCLK的下降沿。该数据流包括

四个前导零后跟的12比特的转换数据，这是第一个提供的MSB 。

串行时钟。逻辑输入。 SCLK提供串行时钟用于从所述部件和写入访问数据

串行数据到控制寄存器。此时钟输入也被用作时钟源为AD7888的

转换过程。

3

4, 13

V

DD

AGND

5–12

AIN1–AIN8

14

15

DIN

DOUT

16

SCLK

版本B

–5–

a

特点

快速12位ADC，具有1.47的转化。时间

600 kSPS的吞吐速率（ AD7892-3 ）

500 kSPS的吞吐速率（ AD7892-1 ， AD7892-2 ）

单电源供电

片内采样/保持放大器

选择输入范围：

10 V或5 V的AD7892-1

0 V至+ 2.5V为AD7892-2

2.5 V的AD7892-3

高速串行和并行接口

低功耗， 60毫瓦（典型值）

过压保护的模拟输入（ AD7892-1

和AD7892-3 ）

2k

LC

2

MOS单电源，

12位600 kSPS的ADC

AD7892

功能框图

REF OUT / REF IN

V

DD

+2.5V

参考

DB0

DB2

DB3/RFS

12-BIT

V

IN1

V

IN2

ADC

信号

缩放

采样/保持

时钟

控制逻辑

DB4/SCLK

DB5/SDATA

DB10/LOW

DB11/LOW

AD7892

模式

CS

RD

EOC CONVST

AGND DGND

待机

概述

该AD7892是一款高速，低功耗， 12位A / D转换器

即采用单+ 5V电源。该器件内置一个

1.47

s

逐次逼近型ADC ，一个片内采样/保持

放大器，一个内部+2.5 V基准电压源和片上通用的

接口结构，允许串行和并行连接

化到一个微处理器。该器件可接受的模拟输入范围

of

±

10 V或

±

5 V （ AD7892-1 ） ， 0 V至+2.5 V（ AD7892-2 ）和

±

2.5 V （ AD7892-3 ） 。在模拟输入过压保护

对于AD7892-1和AD7892-3允许输入电压去

to

±

17 V或

±

7 V分别不损坏端口。

AD7892提供两种数据输出格式可供选择：

单个并行12位字或串行数据。快速总线访问时间

和标准控制输入，可确保轻松并行接口

微处理器和数字信号处理器。一种高速

串行接口可直接连接到串行端口

微控制器和数字信号处理器。

除了传统直流精度规格，如

线性度，满量程和偏移误差，该部分也被用于指定

动态性能参数，包括谐波失真

和信号噪声比。

该AD7892是制作ADI公司线性相容

IBLE CMOS （ LC

2

MOS ）工艺，混合技术工艺

它结合了低功耗CMOS精密的双极性电路

逻辑。它采用24引脚，宽0.3" ，塑料或密封

DIP或24引脚SOIC封装。

产品亮点

1. AD7892-3的特点是1.47的转换时间

s

AND A

200 ns的跟踪/保持捕获时间。这允许一个吞吐量

放率的部分高达600 kSPS的。该AD7892-1和

AD7892-2操作与500 kSPS的吞吐速率。

2.从AD7892采用+5 V单电源和反对工作

sumes 60毫瓦（典型值） ，非常适合低功耗和便携

应用程序。

3.部分提供了一个高速，灵活的接口布局

以方便连接到并行和串行接口

微处理器，微控制器和数字信号

处理器。

版本C

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2000

AD7892–SPECIFICATIONS

参数

动态性能

AD7892-1 ， AD7892-2

信号（噪声+失真）比

3

总谐波失真

3

峰值谐波或杂散噪声

3

互调失真

3

二阶条款

三阶条款

AD7892-3

信号（噪声+失真）比

3

总谐波失真

3

峰值谐波或杂散噪声

3

互调失真

3

二阶条款

三阶条款

DC精度

决议

最小分辨率为其中没有

失码的保证

相对精度

3

微分非线性

3

AD7892-1

正满量程误差

3

负满量程误差

3

双极性零误差

3

AD7892-3

正满量程误差

3

负满量程误差

3

双极性零误差

3

AD7892-2

正满量程误差

3

单极性偏移误差

3

模拟量输入

AD7892-1

输入电压范围

输入电压范围

输入阻抗

AD7892-2

在V输入电压范围

IN1

输入电流

在V输入电压范围

IN2

AD7892-3

在V输入电压范围

IN1

输入阻抗

参考输出/输入

REF IN输入电压范围

输入阻抗

输入电容

4

REF OUT输出电压

REF OUT错误@ + 25°C

T

民

给T

最大

REF OUT温度系数

REF OUT输出阻抗

逻辑输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

IN

输入电容，C

IN4

一个版本

1

70

–78

–79

–78

–78

70

–78

–79

–78

–78

12

12

±

1.5

±

1

±

4

±

4

±

3

±

4

±

4

±

4

±

5

±

4

(V

DD

= + 5V 5 ％ ， AGND = DGND = 0 V ， REF IN = 2.5 V.所有规格牛逼

民

给T

最大

除非另有说明）。

S版

2

单位

测试条件/评论

f

IN

= 100千赫。 F

样品

= 500 kSPS时

B版本

70

–78

–79

–78

–78

70

–78

–79

–78

–78

12

12

±

1

±

1

±

4

±

4

±

2

±

4

±

4

±

3

±

5

±

3

70

–78

–79

–78

–78

分贝分钟

最大分贝

最大分贝

最大分贝

最大分贝

分贝分钟

最大分贝

最大分贝

典型值-84分贝

FA = 49 kHz时， FB = 50千赫

典型值-84分贝

典型值-84分贝

f

IN

= 100千赫。 F

样品

= 600 kSPS时

FA = 49 kHz时， FB = 50千赫

最大分贝

最大分贝

12

12

±

1

±

1

±

5

±

5

±

3

位

位

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

±

5

±

4

LSB（最大值）

LSB（最大值）

±

10

±

5

8

0至+2.5

10

±

50

±

2.5

2

2.375/2.625

1.6

10

2.5

±

10

±

20

25

5.5

2.4

0.8

±

10

10

±

10

±

5

8

0至+2.5

10

±

50

±

2.5

2

2.375/2.625

1.6

10

2.5

±

10

±

20

25

5.5

2.4

0.8

±

10

10

±

10

±

5

8

0至+2.5

50

±

50

伏

伏

kΩ的分

伏

nA的最大

毫伏最大

伏

kΩ的分

输入应用到V

IN1

随着V

IN2

接地

输入应用到V

IN1

和V

IN2

输入应用到V

IN1

随着V

IN2

接地

输入应用到V

IN1

输入应用到V

IN1

2.375/2.625

1.6

10

2.5

±

10

±

25

25

5.5

2.4

0.8

±

10

10

V MIN / V最大

kΩ的分

pF的最大

V NOM

毫伏最大

毫伏最大

PPM /°C的典型值

kΩ的NOM

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

2.5 V

±

5%

电阻连接到内部参考节点

V

DD

= 5 V

±

5%

V

DD

= 5 V

±

5%

V

IN

= 0 V到V

DD

–2–

版本C

AD7892

参数

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

DB11–DB0

浮态泄漏电流

浮态电容

4

输出编码

AD7892-1和AD7892-3

AD7892-2

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

3

转换时间

采样/保持捕获时间

3

电源要求

V

DD

I

DD5

正常工作

待机模式

6

AD7892-2

AD7892-3 ， AD7892-1

功耗

5

正常工作

待机模式

6

AD7892-2

AD7892-3 ， AD7892-1

一个版本

1

4.0

0.4

±

10

15

B版本

4.0

0.4

±

10

15

S版

2

4.0

0.4

±

10

15

单位

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

测试条件/评论

I

来源

= 200

A

I

SINK

= 1.6毫安

二进制补码

直（自然科学）二进制

1.47

0.2

1.6

0.4

+5

18

250

80

90

1.25

400

1.47

0.2

1.6

0.4

+5

18

250

80

90

1.25

400

s

最大

s

最大

s

最大

s

最大

V NOM

最大mA

A

典型值

A

最大

毫瓦MAX

毫瓦（典型值）

W

最大

AD7892-3

AD7892-3

AD7892-1和AD7892-2

AD7892-1和AD7892-2

±

对于指定的性能5 ％

1.68

0.32

+5

19

100

95

典型值15

A

V

DD

= + 5V通常为60毫瓦

500

V

DD

= + 5V通常75

W

笔记

1

温度范围如下： A，B版本： -40 ° C至+ 85°C ; S版： -55 ° C至+ 125°C 。

2

S版提供AD7892-1和AD7892-2只。

3

参见术语。

4

样品测试@ + 25°C ，以确保合规性。

5

这些正常模式和待机模式电流与电阻器来实现（在范围为10千欧至100千欧）来完成DGND或V

DD

在销8 ，9，16和17 。

6

A转换不应该在30以内的部分开始

s

对退出待机模式。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

绝对最大额定值*

(T

A

= + 25 ° C除非另有说明）

V

DD

到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V

V

DD

到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V

模拟输入电压至AGND

AD7892-1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±

17 V

AD7892-2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V

DD

AD7892-3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±

7 V

基准输入电压至AGND 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

数字输出电压DGND 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

工作温度范围

商业（ A，B版本） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C

扩展（S版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C

存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C

结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C

塑料DIP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦

θ

JA

热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 105 ° C / W

引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃

CERDIP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦

θ

JA

热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 ° C / W

引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃

SOIC封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦

θ

JA

热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃

红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃

*注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

版本C

–3–

AD7892

时序特性

1, 2

(V

参数

t

CONV

t

ACQ

并行接口

t

1

t

2

t

3

t

4

t

5

t

6 3

t

7 4

t

8

t

9

串行接口

t

10

t

113

t

12

t

13

t

143

t

153

t

16

t

174

t

17A4

A，B

版本

1.47

1.6

200

400

35

60

0

0

35

35

5

30

0

200

30

25

25

25

5

25

20

0

30

0

30

DD

= +5 V

5 ％ ， AGND = DGND = 0 V ， REF IN = + 2.5V ）

单位

s

最大

s

最大

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

测试条件/评论

转换时间为AD7892-3

转换时间为AD7892-1 ， AD7892-2

采集时间为AD7892-3

采集时间为AD7892-1 ， AD7892-2

CONVST

脉宽

EOC

脉宽

EOC

下降沿到

CS

下降沿建立时间

CS

to

RD

建立时间

阅读脉宽

数据访问时间的下降沿后

RD

总线释放时间的上升沿之后

RD

CS

to

RD

保持时间

RD

to

CONVST

建立时间

RFS

低到SCLK下降沿建立时间

RFS

低到数据有效延迟

SCLK高脉冲宽度

SCLK低脉冲宽度

SCLK上升沿到数据有效保持时间

SCLK上升沿到数据有效延迟

RFS

到SCLK下降沿保持时间

总线释放时间的上升沿之后

RFS

总线释放时间SCLK的上升沿之后

S

VERSION

1.68

320

45

60

0

0

45

40

5

40

0

200

35

30

25

25

5

30

30

0

30

0

30

笔记

1

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有的输入信号被测量与指定tR = tF = 1纳秒（10％至90％的+ 5V）和定时从1.6 V的电压电平

2

参见图2和3 。

3

测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。

4

上述时间是从由所述数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1的电路所测得的数是然后

外推回除去的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着，在时序特性所给出的时间是真正的公交车

放弃部分的时间，因此是独立的外部总线负载电容。

5

假定对数据比特的CMOS负载。用TTL负载，更大的电流，从上述数据线和所述吸入

RD

to

CONVST

时间需要延长至400 ns（最小值） 。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

1.6mA

TO

产量

针

50pF

+1.6V

200 A

图1.负载电路的访问时间和总线释放时间

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然AD7892具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

–4–

版本C

AD7892

订购指南

模型

AD7892AN-1

AD7892BN-1

AD7892AR-1

AD7892BR-1

AD7892SQ-1

AD7892AN-2

AD7892BN-2

AD7892AR-2

AD7892BR-2

AD7892AN-3

AD7892BN-3

AD7892AR-3

AD7892BR-3

EVAL-AD7892-2CB

2

EVAL-AD7892-3CB

2

EVAL -CONTROL BOARD

3

输入

范围

±

5 V或

±

10 V

±

5 V或

±

10 V

±

5 V或

±

10 V

±

5 V或

±

10 V

±

5 V或

±

10 V

0 V至+2.5 V

0 V至+2.5 V

0 V至+2.5 V

0 V至+2.5 V

±

2.5 V

±

2.5 V

±

2.5 V

±

2.5 V

评估板

评估板

控制器板

样品

率

500 ksps的

500 ksps的

500 ksps的

500 ksps的

500 ksps的

500 ksps的

500 ksps的

500 ksps的

500 ksps的

600 kSPS时

600 kSPS时

600 kSPS时

600 kSPS时

相对的

准确性

±

1 LSB

±

1 LSB

±

1 LSB

±

1 LSB

±

1 LSB

±

1 LSB

±

1 LSB

温度

范围

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 85°C

包

选项

1

N-24

N-24

R-24

R-24

Q-24

N-24

N-24

R-24

R-24

N-24

N-24

R-24

R-24

笔记

1

N =塑料DIP ; Q = CERDIP ; R = SOIC 。

2

这些电路板可以作为独立的评估板，或与EVAL -CONTROL BOARD配合用于评估/演示。

3

该板是一个完整的单元，允许一台PC来控制并与CB标志后缀的ADI公司评估板通信。

版本C

–5–

a

+2.7 V至5.25 V，微功耗， 8通道，

125 kSPS时， 12位ADC，采用16引脚TSSOP

AD7888

功能框图

AIN1

AIN8

2.5V

REF

REF IN / REF OUT

BUF

特点

指定V

DD

为+2.7 V至5.25 V

灵活的功耗/呑吐量管理

关断模式： 1 A最大

8个单端输入

串行接口： SPI / QSPI / MICROWIRE / DSP

兼容

16引脚窄体SOIC和TSSOP封装

应用

电池供电系统（个人数字助理，

医疗器械，移动通信）

仪表和控制系统

高速调制解调器

AD7888

I / P

MUX

T / H

V

DD

COMP

收费

再分配

DAC

SAR ADC +

控制逻辑

概述

AGND

SPORT

AGND

该AD7888是一款高速，低功耗， 12位ADC，能操作

阿泰从单一的+2.7 V至5.25 V电源。在AD7888

时能够产生125 kSPS的吞吐速率。在输入采样和 -

持有收购了500 ns的信号，并采用单端

抽样方案。该AD7888包含八个单端

模拟量输入， AIN1通过AIN8 。每个模拟输入

这些信道是从0到V

REF

。该器件能够CON-的

verting全功率信号高达2.5兆赫。

在AD7888具有一个片上2.5 V基准电压源，可以

作为基准源的A / D转换器。在REF

IN / REF OUT引脚允许该参考用户访问。替代方案

本身，这个引脚可以过驱动，以提供一个外部基准

EnCE的电压为AD7888 。电压范围为这个外部

参考是从1.2 V至V

DD

.

CMOS结构确保了典型的低功耗

2 mW的正常运行和3

W

在掉电模式。

该器件采用16引脚窄体小外形

（ SOIC）;以及16引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）封装。

CS

DIN

DOUT

SCLK

产品亮点

1.最小的12位8通道ADC ; 16引脚TSSOP封装是一样的

面积为8引脚SOIC和不到一半的高度。

2.功耗最低的12位8通道ADC 。

3.灵活的电源管理选项，包括自动

转换后掉电。

4.模拟输入范围为0 V至V

REF

(V

DD

).

5.通用串行I / O端口（ SPI / QSPI / MICROWIRE / DSP

兼容）。

SPI和QSPI是Motorola，Inc.的商标。

MICROWIRE是美国国家半导体公司的商标。

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 1999

5.25 V， REFIN / REFOUT

AD7888–SPECIFICATIONS

T（ VT = 2.7 V， tounless另有说明） = 2.5 V外部/内部参考，除非

另有说明; F

= 2兆赫（V = 2.7 V至5.25 V） ; =

给T

DD

SCLK

DD

A

民

最大

参数

动态性能

信号与噪声+失真比

2, 3

（SNR）的

总谐波失真

2

（ THD ）

峰值谐波或杂散噪声

2

互调失真

2

（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

通道到通道隔离

2

全功率带宽

DC精度

决议

积分非线性

2

微分非线性

2

偏移误差

偏移误差匹配

2

增益误差

2

增益误差匹配

2

模拟量输入

输入电压范围

漏电流

输入电容

参考输入/输出

REFIN输入电压范围

输入阻抗

REFOUT输出电压

REFOUT温度系数

逻辑输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

IN

输入电容，C

IN4

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

5

输出编码

转化率

生产时间

采样/保持捕获时间

2

转换时间

A版

1

71

–80

–80

–78

–78

–80

2.5

12

±

2

±

2

±

6

±

4.5

2

±

2

2

0到V

REF

±

1

38

4

2.5/V

DD

5

2.45/2.55

±

50

2.4

2.1

0.8

±

10

10

B版本

1

71

–80

–80

–78

–78

–80

2.5

12

±

1

±

1

±

6

±

4.5

2

±

2

2

0到V

REF

±

1

38

4

2.5/V

DD

5

2.45/2.55

±

50

2.4

2.1

0.8

±

10

10

单位

dB典型值

dB典型值

dB典型值

dB典型值

dB典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

位

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

伏

A

最大

pF的典型值

pF的典型值

V最小/最大

千欧（典型值）

V最小/最大

PPM /°C的典型值

V分钟

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

测试条件/评论

f

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 125 kSPS时

f

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 125 kSPS时

f

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 125 kSPS时

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 125 kSPS时

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 125 kSPS时

f

IN

= 25千赫

@ 3分贝

任何通道

保证无漏码为11位（ A级）

保证无漏码为12位（ B级）

V

DD

= 4.75 V至5.25 V （典型

±

3 LSB ）

V

DD

= 2.7 V至3.6 V （典型

±

2 LSB ）

一般为30 LSB ，内置电压基准

当轨道

当保持

从1.2伏官能

如果内部参考禁用阻抗非常高

V

DD

= 4.75 V至5.25 V

V

DD

= + 2.7V至+ 3.6V

V

DD

= +2.7 V至5.25 V

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

V

DD

– 0.5

V

DD

– 0.5

0.4

0.4

±

10

±

10

10

10

直（自然科学）二进制

16

1.5

14.5

16

1.5

14.5

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

I

来源

= 200

A

V

DD

= +2.7 V至5.25 V

I

SINK

= 200

A

SCLK周期

SCLK周期

SCLK周期

转换时间+采集时间。 125 kSPS的用

2 MHz的时钟

7.25

s

（ 2 MHz时钟）

–2–

第0版

AD7888

参数

电源要求

V

DD

I

DD

普通模式

5

（静态）

正常模式（工作）

使用待机模式

使用关断模式

待机模式

6

关断模式

6

正常模式功耗

关机功耗

待机功耗

A版

1

+2.7/+5.25

700

700

450

80

12

200

2

1

3.5

2.1

10

3

1

600

B版本

1

+2.7/+5.25

700

700

450

80

12

200

2

1

3.5

2.1

10

3

1

600

单位

V最小/最大

A

最大

A

典型值

A

典型值

A

典型值

A

典型值

A

最大

A

最大

A

最大

毫瓦MAX

毫瓦MAX

W

最大

W

最大

毫瓦MAX

W

最大

测试条件/评论

f

样品

= 125 kSPS时

f

样品

= 50 kSPS时

f

样品

= 10 kSPS时

f

样品

= 1 kSPS时

V

DD

= +2.7 V至5.25 V

V

DD

= 4.75 V至5.25 V（ 0.5

A

典型值）

V

DD

= + 2.7V至+ 3.6V

V

DD

= +5 V

V

DD

= +3 V

V

DD

= +5 V

V

DD

= +3 V

V

DD

= +5 V

V

DD

= +3 V

笔记

1

温度范围如下：A版本： -40°C至+ 105°C ; B版本： 0 ° C至+ 105°C 。

2

参见术语。

3

SNR计算包含失真和噪声分量。

4

样品测试@ + 25°C ，以确保合规性。

5

所有数字输入@ GND除

CS

@ V

DD

。在数字输出无负载。模拟输入@ GND 。

6

SCLK @ GND时， SCLK关闭。所有数字输入@ GND除

CS

@ V

DD

。在数字输出无负载。模拟输入@ GND 。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

绝对最大额定值

1

(T

A

= + 25 ° C除非另有说明）

订购指南

线性

错误

包

包

1

（ LSB ）

说明选项

±

2

±

1

±

2

±

1

SOIC

SOIC

TSSOP

TSSOP

R-16A

R-16A

RU-16

RU-16

V

DD

到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V

模拟输入电压至AGND 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

数字输入电压至AGND 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

数字输出电压至AGND 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

REFIN / REFOUT至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

输入电流到任何引脚除外用品

2

. . . . . . . .

±

10毫安

工作温度范围

广告

（A版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 105°C

（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 105°C

存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C

结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C

SOIC ， TSSOP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦

θ

JA

热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 124.9 ℃/ W（ SOIC ）

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150.4 ℃/ W（ TSSOP ）

θ

JC

热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42.9 ℃/ W（ SOIC ）

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27.6 ℃/ W（ TSSOP ）

焊接温度，焊接

气相（ 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃

红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃

ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5千伏

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

2

高达100 mA的瞬态电流不会造成SCR闩锁。

模型

AD7888AR

AD7888BR

2

AD7888ARU

AD7888BRU

2

EVAL-AD7888CB

3

EVAL -CONTROL BOARD

4

笔记

1

在这里线性误差是指积分线性误差。

2

联系厂方。

3

这可以作为一个独立的评估板，或与结合

EVAL-管制局评估/演示。

4

该板是一个完整的单元，允许一台PC来控制，并与所有沟通

ADI公司评估板的CB标志后缀。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然AD7888具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

第0版

–3–

AD7888

时序特定网络阳离子

1

(T = T

A

民

给T

最大

中，除非另有说明）

参数

f

SCLK2

t

兑换

t

ACQ

t

1

t

2 3

t

3 3

t

4

t

5

t

6

t

7

t

8 4

t

9

在T限制

民

, T

最大

（ A，B版本）

4.75 V至5.25 V +2.7 V至3.6 V

2

14.5 t

SCLK

1.5 t

SCLK

10

30

75

20

20

0.4 t

SCLK

0.4 t

SCLK

80

5

2

14.5 t

SCLK

1.5 t

SCLK

10

60

100

20

20

0.4 t

SCLK

0.4 t

SCLK

80

5

单位

兆赫最大

描述

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最大值）

s

典型值

生产时间= T

兑换

+ t

ACQ

= 16 t

SCLK

CS

到SCLK建立时间

从延迟

CS

直到DOUT三州残疾人

数据访问时间SCLK下降沿后

数据建立时间之前SCLK上升沿

数据有效到SCLK保持时间

SCLK高脉冲宽度

SCLK低脉冲宽度

CS

上升沿到DOUT高阻

从关机开机时间

笔记

1

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的

DD

），并定时从1.6 V的电压电平

2

马克/空间比SCLK输入是40/60至60/40 。

3

测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V时采用V

DD

= 5 V

±

为输出到10％和时间

跨越0.4 V或2.0 V与V

DD

= 3 V

±

10%.

4

t

8

从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1中的电路测量的数目，然后外推

背面去除的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t

8

在时序特性所是真正的总线释放

的部分和的时间是独立的总线负载的。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

200 A

I

OL

TO

产量

针

+1.6V

C

L

50pF

200 A

I

OH

图1.负载电路的数字输出时序规范

–4–

第0版

AD7888

销刀豆网络gurations

SOIC和TSSOP

CS

1

16

15

14

SCLK

DOUT

DIN

AGND

REF IN / REF OUT

2

V

DD 3

AGND

4

AIN1

AD7888

13

顶视图

5

（不按比例）

12

AIN8

11

10

9

AIN2

6

AIN3

7

AIN4

8

AIN7

AIN6

AIN5

引脚功能描述

针

号

1

2

针

助记符

CS

REF IN / REF OUT

功能

片选。低电平有效逻辑输入。该输入提供了启动转换的双重功能

的AD7888和也帧的串行数据传输。

基准输入/输出。片上基准可在此引脚用于外部的AD7888 。

可选地，内部基准可以被禁用和外部基准施加到该输入端。

电压范围为外部参考是从1.2 V至V

DD

.

电源输入。在V

DD

范围为AD7888是+2.7 V至5.25 V.

模拟地。接地参考点上的AD7888的所有电路。所有的模拟输入信号和

任何外部参考信号，应参考此AGND电压。这两个引脚应

连接到系统的AGND平面。

模拟输入1到模拟输入8 8个单端模拟输入通道，复用

成片上采样/保持。模拟输入信道转换被选择使用ADD0

通过对控制寄存器ADD2位。输入范围为所有输入通道为0至V

REF

。任何

未使用的输入通道应连接到AGND ，以避免噪声干扰。

数据输入。逻辑输入。数据被写入到AD7888的控制寄存器被设置在该输入

并移入在SCLK的上升沿寄存器（见控制寄存器部分） 。

数据输出。逻辑输出。来自AD7888的转换结果被设置在该输出作为串行

数据流。该位同步输出输入SCLK的下降沿。该数据流包括

四个前导零后跟的12比特的转换数据，这是第一个提供的MSB 。

串行时钟。逻辑输入。 SCLK提供串行时钟用于从所述部件和写入访问数据

串行数据到控制寄存器。此时钟输入也被用作时钟源为AD7888的

转换过程。

3

4, 13

V

DD

AGND

5–12

AIN1–AIN8

14

15

DIN

DOUT

16

SCLK

第0版

–5–

a

+2.7 V至5.25 V，微功耗，双通道，

125 kSPS时， 12位ADC，采用8引脚SOIC

AD7887

功能框图

AIN0

特点

指定V

DD

为+2.7 V至5.25 V

灵活的功耗/呑吐量管理

关断模式： 1 A最大

单/双单端输入

串行接口： SPI / QSPI / MICROWIRE / DSP

兼容

8引脚窄体SOIC和SOIC封装

应用

电池供电系统（个人数字助理，

医疗器械，移动通信）

仪表和控制系统

高速调制解调器

AD7887

I / P

MUX

T / H

V

REF

/

AIN1

V

REF

/AIN1

V

DD

软件

控制

LATCH

BUF

2.5V

REF

COMP

收费

再分配

DAC

GND

SAR ADC +

控制逻辑

概述

该AD7887是一款高速，低功耗， 12位ADC，能操作

阿泰从单一的+2.7 V至5.25 V电源。在AD7887

能125 kSPS的吞吐速率。在输入采样和 -

持有收购了500 ns的信号，并采用单端

抽样方案。输出编码为AD7887是直

二进制和器件能够转换满功率信号最多的

2.5兆赫。

在AD7887可以为单通道或双信配置

NEL操作中，通过芯片上的控制寄存器。有一

默认单通道模式下，AD7887是

操作为只读型ADC。在单通道操作，

有一个模拟输入（ AIN0 ）与V

REF

/ AIN1引脚AS-i

花费许多的V

REF

功能。这款V

REF

引脚允许用户访问

在零件的内部+2.5 V基准，或在V

REF

引脚可

由外部参考，以提供参考过驱动

电压的一部分。该外部参考电压的范围

+2.5 V到V的

DD

。在AIN0模拟输入范围为0 + V

REF

.

在双通道操作，在V

REF

/ AIN1引脚假定其AIN1

功能，提供了一个第二模拟输入通道。在这种情况下，

基准电压为一部分经由V提供

DD

引脚。如

其结果，无论是AIN0和AIN1上的输入电压范围

输入为0至V

DD

.

SPORT

DIN

CS

DOUT

SCLK

CMOS结构确保了典型的低功耗

2 mW的正常运行和3

W

在掉电模式。

该器件采用8引脚， 0.15英寸宽的窄体

SOIC和8引脚

μSOIC

封装。

产品亮点

1.最小的12位双/单声道ADC ; 8引线

μSOIC

封装。

2.功耗最低的12位双/单声道ADC。

3.灵活的电源管理选项，包括自动

转换后掉电。

4.只读ADC功能。

5.模拟输入范围为0 V至V

REF

.

6.通用串行I / O端口（ SPI / QSPI / MICROWIRE / DSP

兼容）。

SPI和QSPI是Motorola，Inc.的商标。

MICROWIRE是美国国家半导体公司的商标。

版本B

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 1999

AD7887–SPECIFICATIONS

参数

动态性能

信号与噪声+失真

比

2, 3

（SNR）的

总谐波失真

2

（ THD ）

峰值谐波或杂散噪声

2

互调失真

2

（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

通道到通道隔离

2

全功率带宽

DC精度

决议

积分非线性

2

微分非线性

2

偏移误差

2

71

–80

–80

–80

–80

–80

2.5

12

±

2

±

2

±

3

±

4

±

6

0.5

±

2

±

1

±

6

2

0到V

REF

±

5

20

2.5/V

DD

10

2.45/2.55

±

50

2.4

2.1

0.8

±

1

10

1

(V

DD

= +2.7 V至5.25 V ，V

REF

= + 2.5V外部/内部参考，除非另有

指出，女

SCLK

= 2 MHz的;牛逼

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

B版本

1

单位

测试条件/评论

A版

1

71

–80

–80

–80

–80

–80

2.5

12

±

1

±

1

±

3

±

4

±

6

0.5

±

2

±

1

±

6

2

0到V

REF

±

5

20

2.5/V

DD

10

2.45/2.55

±

50

2.4

2.1

0.8

±

1

10

dB典型值

dB典型值

dB典型值

dB典型值

dB典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

位

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

伏

A

最大

pF的典型值

V最小/最大

千欧（典型值）

V最小/最大

PPM /°C的典型值

V分钟

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

f

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 125 kSPS时

f

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 125 kSPS时

f

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 125 kSPS时

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 125 kSPS时

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 125 kSPS时

f

IN

= 25千赫

@ 3分贝

任何通道

保证无失码为11位（ A级）

V

DD

= 5V ，双通道模式

V

DD

= 3V ，双通道模式

单通道模式

双通道模式

单通道模式下，外部参考

单通道模式下，内部参考

偏移误差匹配

2

增益误差

2

增益误差匹配

2

模拟量输入

输入电压范围

漏电流

输入电容

参考输入/输出

REF

IN

输入电压范围

输入阻抗

REF

OUT

输出电压

REF

OUT

温度系数

逻辑输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

IN

输入电容，C

IN4

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

5

输出编码

转化率

生产时间

采样/保持捕获时间

2

转换时间

从1.2伏官能

如果内部参考禁用阻抗非常高

V

DD

= 4.75 V至5.25 V

V

DD

= + 2.7V至+ 3.6V

V

DD

= +2.7 V至5.25 V

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

V

DD

– 0.5

V

DD

– 0.5

0.4

0.4

±

1

±

1

10

10

直（自然科学）二进制

16

1.5

14.5

16

1.5

14.5

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

I

来源

= 200

A

V

DD

= +2.7 V至5.25 V

I

SINK

= 200

A

SCLK周期

SCLK周期

SCLK周期

转换时间+采集时间125 kSPS时

与2 MHz的时钟

7.25

s

（ 2 MHz时钟）

–2–

版本B

AD7887

参数

A版

1

B版本

1

+2.7/+5.25

单位

V最小/最大

A

最大

A

典型值

A

典型值

A

典型值

A

典型值

A

典型值

A

最大

A

最大

A

最大

毫瓦MAX

毫瓦MAX

W

最大

W

最大

毫瓦MAX

W

最大

测试条件/评论

电源要求

+2.7/+5.25

V

DD

I

DD

普通模式

5

（模式2）

STATIC

700

运营（F

样品

= 125 kSPS时） 850

700

使用待机模式（模式4 ）

450

使用关断模式（模式1 ， 3 ） 120

12

6

待机模式

210

6

1

关断模式

2

正常模式功耗

3.5

2.1

关机功耗

5

3

待机功耗

1.05

630

700

850

700

450

120

12

210

1

2

3.5

2.1

5

3

1.05

630

内部参考启用

内部参考禁用

f

样品

= 50 kSPS时

f

样品

= 10 kSPS时

f

样品

= 1 kSPS时

V

DD

= +2.7 V至5.25 V

V

DD

= + 2.7V至+ 3.6V

V

DD

= 4.75 V至5.25 V

V

DD

= +5 V

V

DD

= +3 V

V

DD

= +5 V

V

DD

= +3 V

V

DD

= +5 V

V

DD

= +3 V

笔记

1

温度范围如下：A ，B版本： -40 ° C至+ 125°C 。

2

参见术语。

3

SNR计算包含失真和噪声分量。

4

样品测试@ + 25°C ，以确保合规性。

5

所有数字输入@ GND除

CS

@ V

DD

。在数字输出无负载。模拟输入@ GND 。

6

SCLK @ GND时， SCLK关闭。所有数字输入@ GND除

CS

@ V

DD

。在数字输出无负载。模拟输入@ GND 。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

绝对最大额定值

1

(T

A

= + 25 ° C除非另有说明）

V

DD

到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V

模拟输入电压至AGND 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

数字输入电压至AGND 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

数字输出电压至AGND 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

REF

IN

/ REF

OUT

到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

输入电流到任何引脚除外用品

2

. . . . . . .

±

10毫安

工作温度范围

广告

A，B版本。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C

存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C

结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C

SOIC ，

μSOIC

封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦

θ

JA

热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 157℃ / W （ SOIC ）

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 205.9 ℃/ W（ μSOIC ）

θ

JC

热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56 ℃/ W（ SOIC ）

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43.74 ℃/ W（ μSOIC ）

焊接温度，焊接

气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃

红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃

ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5千伏

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

2

高达100 mA的瞬态电流不会造成SCR闩锁。

订购指南

模型

AD7887AR

AD7887ARM

AD7887BR

EVAL-AD7887CB

3

EVAL -CONTROL BOARD

4

线性误差（ LSB ）

1

±

2

±

2

±

1

评估板

控制器板

封装选项

2

SO-8

RM-8

SO-8

BRANDING

AD7887AR

C5A

AD7887BR

笔记

1

在这里线性误差是指积分线性误差。

2

SO = SOIC ; RM =

μSOIC 。

3

这可以作为一个独立的评估板，或与EVAL -控制板配合用于评估/演示。

4

该板是一个完整的单元，允许一台PC来控制，并与CB标志后缀的ADI评估板进行通信。

版本B

–3–

AD7887

时序特定网络阳离子

1

参数

f

SCLK2

t

兑换

t

ACQ

t

1

t

2 3

t

3 3

t

4

t

5

t

6

t

7

t

8 4

t

9

在T限制

民

, T

最大

（ A，B版本）

4.75 V至5.25 V

+2.7 V至3.6 V

2

14.5 t

SCLK

1.5 t

SCLK

10

30

75

20

20

0.4 t

SCLK

0.4 t

SCLK

80

5

2

14.5 t

SCLK

1.5 t

SCLK

10

60

100

20

20

0.4 t

SCLK

0.4 t

SCLK

80

5

单位

兆赫最大

生产时间= T

兑换

+ t

ACQ

= 16 t

SCLK

CS

到SCLK建立时间

从延迟

CS

直到DOUT三州残疾人

数据访问时间SCLK下降沿后

数据建立时间之前SCLK上升沿

数据有效到SCLK保持时间

SCLK高脉冲宽度

SCLK低脉冲宽度

CS

上升沿到DOUT高阻

从关机开机时间

描述

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最大值）

s

典型值

笔记

1

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的

DD

）和定时从1.6伏的电压电平。

2

马克/空间比SCLK输入是40/60至60/40 。

3

测定图1和德音响的定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.0V。负载电路

4

t

8

从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1中的电路测量的数目，然后外推回

以除去的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t

8

在时序特性所是真正的总线释放时间

的一部分，并且是独立的总线负载的。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

200 A

I

OL

TO

产量

针

+1.6V

C

L

50pF

200 A

I

OH

图1.负载电路的数字输出时序规范

–4–

版本B

AD7887

引脚配置

CS

1

V

DD 2

8

SCLK

7

DOUT

AD7887

顶视图

GND

3

（不按比例）

6

DIN

AIN1/V

REF 4

5

AIN0

引脚功能描述

针

号

1

针

助记符

CS

功能

片选。低电平有效逻辑输入。该输入可对启动数据转换的双重功能

AD7887还帧的串行数据传输。当AD7887工作在它的默认模式时，在

CS

针

还用作关断引脚，使得与

CS

引脚为高电平时， AD7887处于掉电模式。

电源输入。在V

DD

范围为AD7887是+2.7 V至5.25 V.当AD7887所配置

想通了双通道运行时，此引脚还提供了基准源的一部分。

接地引脚。该引脚是对AD7887的所有电路的接地参考点。与独立的系统

AGND和DGND的飞机，这些飞机要绑在一起尽可能接近这个GND引脚。哪里

这是不可能的，这个GND引脚应连接到AGND平面。

模拟输入1 /参考电压输入。在单通道模式下，该引脚变为基准输入/

输出。在这种情况下，用户可以访问内部2.5 V基准或过载的内部参考

ENCE施加在该引脚上的电压。基准电压范围为从外部施加的基准是

1.2 V到V

DD

。在双通道模式下，该引脚提供第二个模拟输入通道AIN1 。输入

AIN1上的电压范围为0至V

DD

.

模拟输入0。在单声道模式中，这是在模拟输入和输入电压范围为0至V

REF

。在

双通道模式，它具有0至V的模拟输入范围

DD

.

数据输入。逻辑输入。数据被写入到AD7887的控制寄存器被设置在该输入和是

时钟在SCLK的上升沿寄存器（见控制寄存器部分） 。该AD7887可

操作为单通道只读由永久捆扎DIN线GND之间的ADC。

数据输出。逻辑输出。来自AD7887的转换结果被设置在该输出作为串行数据

流。该位同步输出输入SCLK的下降沿。该数据流包括四个

前导零后跟12比特的转换数据，这是第一个提供的MSB 。

串行时钟。逻辑输入。 SCLK提供串行时钟，用于从部分存取数据，以及串行写入

数据到控制寄存器。此时钟输入也被用作时钟源为AD7887的转换

流程。

2

3

V

DD

GND

4

AIN1/V

REF

5

6

AIN0

DIN

7

DOUT

8

SCLK

版本B

–5–

a

特点

指定V

DD

3 V至5.5 V

AD7859-200 kSPS时; AD7859L -100 kSPS时

系统和自校准

低功耗

正常工作

AD7859 ： 15毫瓦（V

DD

= 3 V)

AD7859L ： 5.5毫瓦（V

DD

= 3 V)

采用自动断电转换后（ 25 W）

AD7859 ： 1.3毫瓦（V

DD

= 3 V 10 kSPS时）

AD7859L ： 650 W（ V

DD

= 3 V 10 kSPS时）

灵活的并行接口：

16位并行/ 8位并行

44引脚PQFP和PLCC封装

应用

电池供电系统（个人数字助理，

医疗器械，移动通信）

笔计算机

仪表和控制系统

高速调制解调器

概述

3 V至5 V单电源， 200 kSPS时

8通道， 12位采样ADC

AD7859/AD7859L*

功能框图

AV

DD

AGND

AIN1

I / P

MUX

AIN8

2.5V

参考

COMP

REF

IN

/

REF

OUT

BUF

DGND

T / H

DV

DD

AD7859/AD7859L

C

REF1

收费

再分配

DAC

CLKIN

C

REF2

校准存储器

和

调节器

CAL

SAR ADC +

控制

CONVST

忙

睡觉

并行接口/控制寄存器

在AD7859 / AD7859L均为高速，低功耗， 8通道，

这从一个单一的3 V或5 V电源工作的12位ADC

供应， AD7859被用于速度和优化

AD7859L的低功耗。两款ADC都含有自校准

和系统校准选项，以确保操作精度

时间和温度，并具有许多掉电

选择低功耗应用。

的AD7859能够200 kHz，而该

AD7859L能够100kHz的通过速率。输入

跟踪和保持收购了500 ns的信号，并配有伪

差分采样方案。在AD7859和AD7859L输入

电压范围为0至V

REF

（单极）和-V

REF

/ 2到+ V

REF

/2

关于V

REF

/ 2 （双极）与直二进制和2S完井

彪分别输出编码。输入信号范围是至

电源和器件能够转换满功率信号的

为100kHz。

CMOS结构确保了典型的低功耗

5.4毫瓦用于正常操作和3.6

W

在掉电模式。

该器件提供44引脚塑料四方扁平封装

（ PQFP ）和塑料引线芯片载体（ PLCC ） 。

*专利

正在申请中。

请参阅数据表的索引第28页。

DB15 - DB0

RD

CS

WR

W / B

产品亮点

1.操作与3 V或5 V电源供电。

2.灵活的电源管理选项，包括自动

转换后掉电。

3.通过使用电源管理选项的卓越动力

可以实现性能的吞吐量较低。

AD7859 ： 1毫瓦（典型值） @ 10 kSPS时

AD7859L ： 1毫瓦（典型值） @ 20 kSPS时

4.进行操作以从1.2伏到电源的参考电压。

5.模拟输入范围为0 V至V

DD

.

6.自我和系统校准。

7.通用并行I / O口。

8.低功耗版本AD7859L 。

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

ADI公司， 1996年

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 617 / 329-4700

传真： 617 / 326-8703

（ AV

=

V,

AD7859/AD7859L–SPECIFICATIONS

1,

1

2

兆赫（ -40 = CDVto + 85 + 3.0 Vf的5.5 200REF / REF = 2.5 VkHz

外部基准，女

= 4兆赫（对于L版本： 1.8兆赫（ 0℃至+ 70℃ ）和

C));

=

千赫（ AD7859 ） 100

DD

DD

IN

OUT

CLKIN

样品

(AD7859L);

睡觉

=逻辑高电平;牛逼

A

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。 ）规格中（）应用到AD7859L 。

参数

动态性能

信号与噪声+失真比

3

（SNR）的

总谐波失真（ THD ）

峰值谐波或杂散噪声

互调失真（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

通道到通道隔离

DC精度

决议

积分非线性

微分非线性

单极性偏移误差

单极性偏移误差匹配

正满量程误差

负满量程误差

满量程误差匹配

双极性零误差

双极性零误差匹配

模拟量输入

输入电压范围

A版

1

B版本

1

单位

测试条件/评论

70

71

分贝分钟

–78

–78

–78

–78

最大分贝

最大分贝

通常，信噪比为72分贝

V

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫

（对于L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

V

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫

（对于L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

V

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫

（对于L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 200千赫

（对于L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 200千赫

（对于L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

V

IN

= 25千赫

–78

–78

–80

–78

–78

–80

dB典型值

dB典型值

dB典型值

12

±

1

±

1

±

5

±

2

2(3)

±

5

±

2

±

2

1

±

1

2

12

±

0.5

±

1

±

5

±

2

2

±

5

±

2

±

2

1

±

1

2

位

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB （典型值）

5 V基准电压V

DD

= 5 V

保证无漏码至12位

0到V

REF

±

V

REF

/2

±

1

20

0到V

REF

±

V

REF

/2

±

1

20

伏

伏

即，AlN （+） - AIN（ - ）= 0至V

REF

， AIN （ - ）可

偏颇了，但AIN （ + ）不能低于AIN （ - ）

即，AlN （+） - AIN（ - ） = -V

REF

/ 2到+ V

REF

/ 2 ，AlN （ - ）

应被偏置到+ V

REF

/ 2和AIN （ + ）可以去

下面AIN （ - ） ，但不能低于0 V.

漏电流

输入电容

参考输入/输出

REF

IN

输入电压范围

输入阻抗

REF

OUT

输出电压

REF

OUT

温度系数

逻辑输入

输入高电压，V

INH

CAL

针

输入低电压，V

INL

输入电流I

IN

输入电容，C

IN4

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

4

输出编码

A

最大

pF的典型值

2.3/V

DD

150

2.3/2.7

20

2.3/V

DD

150

2.3/2.7

20

V最小/最大

千欧（典型值）

V最小/最大

PPM /°C的典型值

从1.2伏官能

2.4

2.1

3

2.4

0.8

0.6

±

10

10

2.4

2.1

3

2.4

0.8

0.6

±

10

10

V分钟

V分钟

V分钟

V分钟

V最大

V最大

A

最大

pF的最大

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

4

2.4

0.4

±

10

10

4

V分钟

2.4

V分钟

0.4

V最大

±

10

A

最大

10

pF的最大

直（自然科学）二进制

二进制补码

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

I

SINK

= 1.6毫安

单极性输入范围

双极性输入范围

–2–

REV 。一

AD7859/AD7859L

参数

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

A版

1

B版本

1

单位

s

最大

s

民

测试条件/评论

t

CLKIN

×

18

（只有L版本， 0 ° C至+ 70 ° C， 1.8 MHz的CLKIN ）

（只有L版本， -40 ° C至+ 85°C ， 1.8 MHz的CLKIN ）

4.5 (10)

0.5 (1)

4.5

0.5

电源要求

AV

DD,

DV

DD

I

DD

普通模式

5

睡眠模式

6

随着外部时钟上

+3.0/+5.5

5.5 (1.95)

5.5 (1.95)

10

400

+3.0/+5.5

5.5

5.5

10

400

5

200

30 (10)

20 (6.5)

55

36

27.5

18

V最小/最大

最大mA

最大mA

A

典型值

A

典型值

A

最大

A

典型值

毫瓦MAX

毫瓦MAX

W

典型值

W

典型值

W

最大

W

最大

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V.典型4.5毫安

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V.典型4.0毫安

完全掉电。电源管理位控制

寄存器设置为PMGT1 = 1， PMGT0 = 0 。

局部断电。电源管理位

控制寄存器设定为PMGT1 = 1， PMGT0 = 1 。

通常情况下1

A.

完全掉电。电源管理

位控制寄存器设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 0 。

局部断电。电源管理位

控制寄存器设定为PMGT1 = 1， PMGT0 = 1 。

V

DD

= 5.5 V ：通常情况下25毫瓦（ 8 ）

睡觉

= V

DD

V

DD

= 3.6 V ：通常情况下15毫瓦（ 5.4 ） ;

睡觉

= V

DD

V

DD

= 5.5 V;

睡觉

= 0 V

V

DD

= 3.6 V;

睡觉

= 0 V

V

DD

= 5.5 V ：通常5.5

W;

睡觉

= 0 V

V

DD

= 3.6 V ：通常3.6

W;

睡觉

= 0 V

允许的偏移电压量程标定

许满量程电压量程标定

随着外部时钟关闭

5

200

正常模式功耗

休眠模式下功耗

随着外部时钟上

随着外部时钟关闭

30 (10)

20 (6.5)

55

36

27.5

18

系统校准

偏移校准跨度

7

增益校准跨度

7

+0.05

×

V

REF

/–0.05

×

V

REF

V MAX / MIN

+1.025

×

V

REF

/–0.975

×

V

REF

V MAX / MIN

笔记

1

温度范围如下：A ，B版本， -40 ° C至+ 85°C 。

2

校准后的规格适用。

3

SNR计算包含失真和噪声分量。

4

未经过生产测试，以鉴定产品初始发布保障。

5

所有数字输入@ DGND除

CONVST ，睡眠， CAL ，

和

SYNC

@ DV

DD

。在数字输出无负载。模拟输入@ AGND 。

6

CLKIN @ DGND时，外部时钟关闭。所有数字输入@ DGND除

CONVST ，睡眠， CAL ，

和

SYNC

@ DV

DD

。在数字输出无负载。

模拟输入@ AGND 。

7

偏移和增益校准跨度定义为偏移和增益误差的AD7859 / AD7859L可以校准的范围。还认为这些都是电压跨度注

并没有绝对的电压（即允许系统失调电压为系统偏移误差提出了在AIN （ + ），以调整出将AIN （ - ）

±

0.05

×

V

REF

,

和AIN （ + ）和AIN之间施加的允许系统满量程电压（ - ）的系统满量程电压误差进行调整出来将是V

REF

±

0.025

×

V

REF

).

此进行更详细的解释在数据表中的校正部分。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

–3–

AD7859/AD7859L

时序特定网络阳离子

参数

f

CLKIN2

t

1

t

2

t

兑换

t

3

t

4

t

5

t

6

t

7

t

8 4

t

9 5

t

10

t

11

t

12

t

13

t

14

t

15

t

16

t

17

t

184

t

19

t

CAL6

t

CAL16

t

CAL26

3

1

（ AV

DD

DV

DD

= + 3.0V至+ 5.5V ; F

CLKIN

= 4兆赫的AD7859和1.8兆赫的AD7859L ;

T

A

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明）

5V

在T限制

民

, T

最大

（ A，B版本）

3V

500

4

1.8

100

90

4.5

10

15

5

0

0

55

50

5

40

70

0

5

0

0

70

10

5

1/2 t

CLKIN

2.5 t

CLKIN

31.25

27.78

3.47

单位

千赫分钟

兆赫最大

兆赫最大

ns（最小值）

ns（最大值）

s

最大

s

最大

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最大值）

毫秒（典型值）

毫秒（典型值）

毫秒（典型值）

描述

主时钟频率

L型

CONVST

脉冲宽度

CONVST

忙

↑

传播延迟

转换时间= 18吨

CLKIN

L型1.8 MHz的CLKIN 。转换时间= 18吨

CLKIN

HBEN到RD建立时间

HBEN到RD保持时间

CS

to

RD

要建立时间

CS

to

RD

保持时间

RD

脉冲宽度

数据访问时间后，

RD

总线释放时间后，

RD

总线释放时间后，

RD

最小间隔时间读取

HBEN到

WR

建立时间

HBEN到

WR

保持时间

CS

to

WR

建立时间

CS

to

WR

保持时间

WR

脉冲宽度

WR之前的数据建立时间

数据保持时间WR后

新的数据有效之前下降的BUSY边缘

CS

↑

忙

↑

在校准过程

全自校准时间，主时钟依赖（ 125013

t

CLKIN

)

内部DAC Plus系统满量程校准时间，主时钟

依赖（ 111124吨

CLKIN

)

系统失调校准时间，主时钟依赖

(13889 t

CLKIN

)

500

4

1.8

100

50

4.5

10

15

5

0

0

55

50

5

40

60

0

5

0

0

55

10

5

1/2 t

CLKIN

2.5 t

CLKIN

31.25

27.78

3.47

笔记

1

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的

DD

），并定时从1.6 V的电压电平

2

马克/空间比主时钟输入为40/60至60/40 。

3

该

CONVST

脉冲宽度将在这里仅适用于正常操作。当器件处于关断模式下，不同的

CONVST

脉冲宽度将适用（见电源 -

下节） 。

4

测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。

5

t

9

当装载有图1的电路所测得的数，然后外推导出形式采取的数据输出改变0.5 V的测量时间

背面去除的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t

9

在时序特性所是真正的总线释放

的部分和的时间是独立的总线负载的。

6

为校准时间指定的典型时间为4MHz的主时钟。对于L版的校准时间将长于这里列出因

1.8 MHz的主时钟。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–4–

REV 。一

AD7859/AD7859L

绝对最大额定值

1

1.6mA

I

OL

(T

A

= + 25 ° C除非另有说明）

输出

针

50pF

+2.1V

200A

I

OH

图1.负载电路的数字输出定时

特定网络阳离子

订购指南

模型

线性

错误

（ LSB ）

1

动力

耗散封装

（ mW）的

选项

2

15

15

15

5.5

P-44A

S-44

S-44

S-44

AD7859AP

±

1

AD7859AS

±

1

AD7859BS

±

1/2

3

AD7859LAS

±

1

EVAL-AD7859CB

4

EVAL -CONTROL BOARD

5

笔记

1

线性误差指的是积分线性误差。

2

P = PLCC ; S = PQFP 。

3

L表示低功耗版本。

4

这可以作为一个独立的评估板，或与结合

EVAL-管制局评估/演示。

5

该板是一个完整的单元，允许一台PC来控制和通讯

所有的ADI公司评估板的CB标志后缀。

关于ADI公司的产品和评估板，请访问更多信息

我们的万维网网页， http://www.analog.com 。

AV

DD

到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V

DV

DD

到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V

AV

DD

以DV

DD

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V

模拟输入电压至AGND 。 。 。 。 -0.3 V至AV

DD

+ 0.3 V

数字输入电压至DGND 。 。 。 。 -0.3 V到DV

DD

+ 0.3 V

数字输出电压DGND 。 。 。 -0.3 V到DV

DD

+ 0.3 V

REF

IN

/ REF

OUT

到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV

DD

+ 0.3 V

输入电流到任何引脚除外用品

2

. . . . . . . .

±

10毫安

工作温度范围

商业（ A，B版本） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C

存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C

结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C

PQFP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦

θ

JA

热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 95 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃

红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃

PLCC封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦

θ

JA

热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃

红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃

ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >1500千伏

笔记

1

条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致

永久损坏设备。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以上的任何其他条件，在上市运作

本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

2

高达100 mA的瞬态电流不会造成SCR闭锁。

引脚排列PLCC

CONVST

CLKIN

忙

引脚排列PQFP

CONVST

忙

CLKIN

DB15

DB14

DB13

DB15

DB14

DB13

DB12

WR

DB12

35

RD

CS

WR

CS

RD

44

43

42

39

38

36

41

NC

W / B

REF

IN

/ REF

OUT

7

8

9

39

NC

38

DB11

NC

W / B

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

40

37

34

6

5

4

3

2

1

44

43

42

41 40

NC

NC

33

32

31

30

引脚号1 Identi连接器

NC

DB11

DB10

DB9

DB8/HBEN

DGND

DV

DD

DB7

DB6

DB5

DB4

37

DB10

36

DB9

AV

DD

10

AGND

11

C

REF1

12

C

REF2

13

AIN0

14

AIN1

15

AIN2

16

AIN3

17

18

19

20

21

22 23

24

25

26

27 28

REF

IN

/ REF

OUT

AV

DD

AGND

C

REF1

C

REF2

AIN0

AIN1

AIN2

AIN3

AD7859

顶视图

（不按比例）

35

DB8/HBEN

34

DGND

33

DV

DD

32

DB7

31

DB6

30

DB5

29

DB4

AD7859

顶视图

（不按比例）

29

28

27

26

25

24

23

AIN6

AIN7

DB1

DB2

DB0

DB3

AIN4

AIN5

睡觉

CAL

NC

15

14

16

20

12

17

21

13

18

AIN6

AIN7

DB0

DB1

19

DB2

DB3

AIN4

AIN5

REV 。一

–5–

睡觉

CAL

NC

22

a

特点

指定V

DD

3 V至5.5 V

AD7858-200 kSPS时; AD7858L -100 kSPS时

系统和自校准用的自动校准

上电

8个单端或4个伪差分输入

低功耗

AD7858 ： 12毫瓦（V

DD

= 3 V)

AD7858L ： 4.5毫瓦（V

DD

= 3 V)

自动断电转换后（ 25 W）

灵活的串行接口：

8051 / SPI / QSPI / P兼容

24引脚DIP ，SOIC和SSOP封装

应用

电池供电系统（个人数字助理，

医疗器械，移动通信）

笔计算机

仪表和控制系统

高速调制解调器

概述

3 V至5 V单电源， 200 kSPS时

8通道， 12位采样ADC

AD7858/AD7858L*

功能框图

AV

DD

AGND

AIN1

I / P

MUX

AIN8

2.5V

参考

T / H

AD7858/

AD7858L

DV

DD

COMP

REF

IN

/ REF

OUT

C

REF1

收费

再分配

DAC

CLKIN

C

REF2

校准

内存和

调节器

SAR ADC和

控制

CONVST

忙

睡觉

BUF

DGND

CAL

串行接口/控制寄存器

在AD7858 / AD7858L是高速，低功耗， 12位

从单一的3 V或5 V电源供电的ADC时，

AD7858的速度和所述AD7858L为低被优化

力。 ADC的权力了一组默认条件

该时间可为只读的ADC来操作。该ADC

包含自校准和系统校准选项，以恩

确保操作精度不受时间和温度，并有

对于低功耗应用省电选项数量。

的部分上电时，一组默认条件和罐

作为一个只读型ADC。

的AD7858能够200 kHz，而该

AD7858L能够100kHz的通过速率。输入

跟踪和保持收购了500 ns的信号，并配有

伪差分采样方案。在AD7858 / AD7858L

电压范围为0至V

REF

与直接二进制输出编码。

输入信号范围的电源和部件能够CON-的

verting全功率信号到100千赫。

CMOS结构确保了典型的低功耗

4.5毫瓦的正常运行和1.15 mW的功率下

以10 kSPS时（一个吞吐量速率V模式

DD

= 3V） 。部分

可在24引脚， 0.3英寸宽的双列直插式封装

（ DIP ） ， 24引脚小外形封装（SOIC ）和24引脚小缩水

纲要（ SSOP ）封装。

SYNC

DIN

DOUT

SCLK

产品亮点

1.指定为3 V和5 V电源。

2.自动校准上电。

3.灵活的电源管理选项，包括自动

转换后掉电。

4.工作在基准电压从1.2 V到V

DD

.

5.模拟输入范围为0 V至V

DD

.

6.八个单端或四个伪差分输入通道。

7.系统和自校准。

8.通用串行I / O端口（ SPI / QSPI / 8051 / μP） 。

9.低功率版本AD7858L 。

*专利

正在申请中。

请参阅数据表的索引第31页。

SPI和QSPI是Motorola，Inc.的商标。

版本B

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2000

DV

+3.0至

REF

= 2.5

AD7858/AD7858L–SPECIFICATIONS

1,

C),

2

1 （ AV A =和B = GradesV （ -40 + 5.5toV ， + 85℃ ） / REFL版） ; V外部

参考，除非另有说明中，f

= 4兆赫（ 1.8 MHz的B级（ 0℃至+ 70

兆赫

C

为

f

=

DD

DD

IN

OUT

200千赫兹（ AD7858 ），100千赫（ AD7858L ） ;

睡觉

=逻辑高电平;牛逼

A

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。 ）规格中（）应用到AD7858L 。

参数

动态性能

信号与噪声+失真比

3

（SNR）的

总谐波失真（ THD ）

峰值谐波或杂散噪声

互调失真（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

通道到通道隔离

DC精度

决议

积分非线性

A版

1

B版本

1

70

–78

–78

–78

–78

–90

12

±

1

±

1

(± 1)

±

1

±

1

±

5

±

2.5

(± 3)

(± 1.5)

1.5

±

4

±

1.5

1

0到V

REF

±

1

20

2.3/V

DD

150

2.3/2.7

20

2.4

2.1

0.8

0.6

±

10

10

71

–78

–78

–80

–80

–90

12

±

1

±

0.5

(± 1)

±

1

±

1

±

5

±

2.5

(± 3)

(± 1.5)

1.5

±

4

±

1.5

1

0到V

REF

±

1

20

2.3/V

DD

150

2.3/2.7

20

2.4

2.1

0.8

0.6

±

10

10

单位

分贝分钟

最大分贝

最大分贝

dB典型值

dB典型值

dB典型值

位

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

伏

A

最大

pF的典型值

V最小/最大

千欧（典型值）

V最小/最大

PPM /°C的典型值

V分钟

V分钟

V最大

V最大

A

最大

pF的最大

从1.2伏官能

测试条件/评论

通常，信噪比为72分贝

V

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫（ 100千赫）

V

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫（ 100千赫）

V

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫（ 100千赫）

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 200千赫（ 100千赫）

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 200千赫（ 100千赫）

V

IN

= 25千赫

任何通道

2.5 V外部基准电压V

DD

= 3 V, V

DD

= 5 V （B级专用）

5 V外部基准电压V

DD

= 5 V

（L版， 5 V外部基准电压，V

DD

= 5 V)

（L版）

保证无漏码为12位。 2.5 V外部

参考V

DD

= 3 V ， 5 V外部基准电压，V

DD

= 5 V

通常

±

2个LSB

5 V外部基准电压，V

DD

= 5 V

（L版）

（L版， 5 V外部基准电压，V

DD

= 5 V)

CLKIN

样品

微分非线性

总非调整误差

单极性偏移误差

单极性偏移误差匹配

正满量程误差

正满量程误差匹配

模拟量输入

输入电压范围

漏电流

输入电容

参考输入/输出

REF

IN

输入电压范围

输入阻抗

REF

OUT

输出电压

REF

OUT

温度系数

逻辑输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

IN

输入电容，C

IN4

逻辑输出

输出高电压，V

OH

5 V外部基准电压，V

DD

= 5 V

即，AlN （+） - AIN（ - ）= 0至V

REF

，AlN （ - ）可以被偏置

上升，但AIN （ + ）不能低于AIN （ - ）

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

4

输出编码

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

4

4

2.4

2.4

0.4

0.4

±

10

±

10

10

10

直（自然科学）二进制

4.6 (18)

0.4 (1)

4.6

(10)

0.4 (1)

V分钟

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

I

来源

= 200

A

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

I

SINK

- 0.8毫安

s

最大

s

最大

s

民

（只有L版本， -40 ° C至+ 85°C ， 1 MHz的CLKIN ）

（只有L版本， 0 ° C至+ 70 ° C， 1.8 MHz的CLKIN ）

（仅L版本）

–2–

版本B

AD7858/AD7858L

参数

动态性能

AV

DD,

DV

DD

I

DD

普通模式

5

睡眠模式

6

随着外部时钟上

A版

1

+3.0/+5.5

6 (1.9)

5.5 (1.9)

10

400

随着外部时钟关闭

5

B版本

1

+3.0/+5.5

6 (1.9)

5.5 (1.9)

10

400

5

单位

V最小/最大

最大mA

最大mA

A

典型值

A

典型值

A

最大

A

典型值

毫瓦MAX

毫瓦MAX

W

典型值

W

典型值

W

最大

W

最大

V MAX / MIN

V MAX / MIN

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V.通常为4.5 MA（ 1.5 ）

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V.典型4.0毫安（1.5 mA）的

完全掉电。电源管理位控制

注册设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 0

局部断电。电源管理位

控制寄存器设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 1

通常情况下1

A.

完全掉电。电源管理位

在控制

注册设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 0

部分断电。电源管理中的位控制

注册设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 1

V

DD

= 5.5 V.典型的25兆瓦（ 8 ）

睡觉

= V

DD

V

DD

= 3.6 V.一般为15毫瓦（ 5.4 ） ;

睡觉

= V

DD

V

DD

= 5.5 V.

睡觉

= 0 V

V

DD

= 3.6 V.

睡觉

= 0 V

V

DD

= 5.5 V.通常为5.5

W;

睡觉

= 0 V

V

DD

= 3.6 V.通常3.6

W;

睡觉

= 0 V

允许的偏移电压量程标定

许满量程电压量程标定

测试条件/评论

200

正常模式功耗

休眠模式下功耗

随着外部时钟上

随着外部时钟关闭

系统校准

偏移校准跨度

7

增益校准跨度

7

33 (10.5)

20 (6.85)

55

36

27.5

18

200

33 (10.5)

20 (6.85)

55

36

27.5

18

+0.05

×

V

REF

/–0.05

×

V

REF

+1.025

×

V

REF

/–0.975

×

V

REF

笔记

1

温度范围如下：A ，B版本： -40 ° C至+ 85°C 。对于L版本， A和B版本F

CLKIN

= 1兆赫在-40 ° C至+ 85 ° C的温度范围内，

B F版

CLKIN

= 1.8兆赫在0 ° C至+ 70 °C温度范围。

2

校准后的规格适用。

3

SNR计算包含失真和噪声分量。

4

样品测试@ + 25°C ，以确保合规性。

5

所有数字输入@ DGND除

CONVST ，睡眠， CAL ，

和

SYNC

@ DV

DD

。在数字输出无负载。模拟输入@ AGND 。

6

CLKIN @ DGND时，外部时钟关闭。所有数字输入@ DGND除

CONVST ，睡眠， CAL ，

和

SYNC

@ DV

DD

。上的数字无负载

输出。模拟输入@ AGND 。

7

偏移和增益校准跨度定义为偏移和增益误差的AD7858 / AD7858L可以校准的范围。还请注意，这些电压

跨度并没有绝对的电压（即允许系统失调电压为系统偏移误差提出了在AIN （ + ），以调整出将AIN （ - ）

±

0.05

×

V

REF

和AIN （ + ）和AIN之间施加的允许系统满量程电压（ - ）的系统满量程电压误差进行调整出来会

V

REF

±

0.025

×

V

REF

） 。此进行更详细的解释在数据表中的校准部分。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

–3–

AD7858/AD7858L

定时

参数

f

CLKIN2

DD

DD

CLKIN

1

T =至T ，除非另有说明）

特定网络阳离子

A起价MAX

（ AV = DV = + 3.0V至+ 5.5V ; F

= 4兆赫的AD7858和1.8 / 1兆赫AD7858L ;

在T限制

民

, T

最大

（ A，B版本）

5V

3V

500

4

1.8

1

4

100

50

4.6

10 (18)

–0.4 t

SCLK

0.4 t

SCLK

50

50

75

40

20

0.4 t

SCLK

0.4 t

SCLK

30

30/0.4 t

SCLK

50

90

50

2.5 t

CLKIN

2.5 t

CLKIN

31.25

27.78

3.47

500

4

1.8

1

4

100

90

4.6

10 (18)

–0.4 t

SCLK

0.4 t

SCLK

90

90

115

60

30

0.4 t

SCLK

0.4 t

SCLK

50

50/0.4 t

SCLK

50

130

90

2.5 t

CLKIN

2.5 t

CLKIN

31.25

27.78

3.47

单位

千赫分钟

兆赫最大

兆赫最大

兆赫最大

兆赫最大

ns（最小值）

ns（最大值）

s

最大

s

最大

ns（最小值）

ns的最小/最大

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns的最小/最大

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最大值）

毫秒（典型值）

毫秒（典型值）

毫秒（典型值）

描述

主时钟频率

L型， 0 ° C至+ 70 ° C， B级只

L型， -40 ° C至+ 85°C

CONVST

脉宽

CONVST ↓

忙↑传播延迟

转换时间= 18吨

CLKIN

L型1.8 （ 1 ） MHz的CLKIN 。转换时间= 18吨

CLKIN

同步？

到SCLK ↓建立时间（非连续的SCLK输入）

同步？

到SCLK ↓建立时间（连续输入SCLK ）

从延迟

同步？

直到DOUT三州残疾人

从延迟

同步？

直到DIN三态禁用

数据访问时间SCLK ↓后

数据建立时间之前SCLK ↑

数据有效到SCLK保持时间

SCLK高脉冲宽度

SCLK低脉冲宽度

SCLK ↑到

同步？

保持时间（非连续SCLK ）

（连续SCLK ）

从延迟

同步？

直到DOUT三态启用

延迟从SCLK ↑到DIN被配置为输出

延迟从SCLK ↑到DIN被配置为输入

CAL ↑

忙↑延迟

CONVST ↓

忙↑延迟校准序列

全自校准时间，主时钟依赖

(125013 t

CLKIN

)

内部DAC Plus系统满量程校准时间，主

时钟属（ 111114吨

CLKIN

)

系统失调校准时间，主时钟依赖

(13899 t

CLKIN

)

f

SCLK

t

1 3

t

2

t

兑换

t

3

t

4 4

t

5 4

t

6 4

t

7

t

8

t

9

t

10

t

11

t

125

t

13

t

146

t

15

t

16

t

CAL7

t

CAL17

t

CAL27

笔记

1

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的

DD

），并定时从1.6 V的电压电平

请参阅表XI和时序图不同的接口模式和校准。

2

马克/空间比主时钟输入为40/60至60/40 。

3

该

CONVST

脉冲宽度将在这里只适用于正常操作。当器件处于关断模式下，不同的

CONVST

脉宽适用

（见掉电部分） 。

4

测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。

5

t

12

当装载有图1的电路所测得的数，然后外推导出形式采取的数据输出改变0.5 V的测量时间

背面去除的充电或放电的100pF的电容的影响。这意味着该时间t

12

在时序特性所是真正的公交车

放弃部分的时间，并且独立于总线负载的。

6

t

14

当装载有图1的电路被衍生形式采取的数据输出改变0.5 V的测量的时间测量的数目是再

外推回除去的充电或放电的100pF的电容的影响。这意味着，在时序特性所引述的时间是

该部分在关闭输出驱动器和配置DIN线作为输入的真实延迟。一旦这段时间过去之后，用户可以驱动DIN线

明知不会发生总线冲突。

7

为校准时间指定的典型时间为4MHz的主时钟。对于L版的校准时间将长于这里列出因

1.8 / 1 MHz的主时钟。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–4–

版本B

AD7858/AD7858L

典型时序图

图2和图3显示了典型的读出和写入的有关时序图

2.阅读和写作发生后串行接口模式

转化率在图2中，并在转换于图3中为了

达到100千赫（ AD7858L ）或最大采样率

200千赫（ AD7858 ） ，阅读和写作必须执行

转换为图3中至少有400纳秒采集过程中

时间必须被允许（从BUSY下降沿时间

到的下一个上升沿

CONVST ）

下一次转换前

开始，以确保该部分结算到12位的水平。如果

用户不希望提供

CONVST

信号，所述转换

锡永可以在软件中写入控制寄存器进行初始化。

1.6mA

I

OL

TO

产量

针

+2.1V

C

L

100pF

200 A

I

OH

图1.负载电路的数字输出定时

特定网络阳离子

t

兑换

= 4.6秒以内， 10秒以内L型

t

1

= 100ns的MIN ，

t

4

= 50 / MAX为90ns 5V / 3V ，

t

7

= 40 / 60ns的最小5V / 3V

t

1

CONVST

（I / P）的

t

2

BUSY （O / P）

t

兑换

SYNC

（I / P）的

t

3

SCLK （I / P）的

1

5

t

9

6

16

t

11

t

10

t

12

DB0

三

状态

t

4

DOUT （O / P）

三态

t

6

DB15

t

6

DB11

t

7

DIN（ I / P）

DB15

t

8

DB11

DB0

图2. AD7858 / AD7858L时序图接口模式2 （读/写转换后）

t

兑换

= 4.6秒以内， 10秒以内L型

t

1

= 100ns的MIN ，

t

4

= 50 / MAX为90ns 5V / 3V ，

t

7

= 40 / 60ns的最小5V / 3V

t

1

CONVST

（I / P）的

t

2

BUSY （O / P）

t

兑换

SYNC

（I / P）的

t

3

SCLK （I / P）的

1

5

t

9

6

16

t

11

t

10

t

12

DB0

三

状态

t

4

DOUT （O / P）

三态

t

6

DB15

t

6

DB11

t

7

DIN（ I / P）

DB15

t

8

DB11

DB0

图3. AD7858 / AD7858L时序图接口模式2 （读/写的过程中转换）

版本B

–5–

a

特点

5 V单电源

285 kSPS的吞吐速率

自校准和系统校准用的自动校准

上电

8个单端或4个伪差分输入

低功耗： 60 mW的典型值

自动断电转换后（ 2.5瓦典型值）

灵活的串行接口： 8051 / SPI / QSPI / P兼容

24引脚DIP ， SOIC和SSOP封装

应用

电池供电系统（个人数字助理，

医疗器械，移动通信）

笔计算机

仪表和控制系统

高速调制解调器

5 V单电源，8通道

14位285 kSPS的采样ADC

AD7856

功能框图

AV

DD

AGND

DV

DD

AIN1

AIN8

....

I / P

MUX

T / H

AD7856

.....

4.096V

参考

COMP

REF

IN

/ REF

OUT

C

REF1

收费

再分配

DAC

CLKIN

C

REF2

CAL

校准

内存和

调节器

SAR ADC +

控制

CONVST

忙

睡觉

BUF

DGND

概述

该AD7856是一款高速，低功耗， 14位ADC，能操作

阿泰从5 V单电源供电。 ADC的权力与

一组默认条件，此时它可以作为一个被操作

只读ADC 。两款ADC都含有自校准和系统

校准选项，可确保操作精度不受时间和

温度，它有许多用于低省电选项

电源应用。

的AD7856能够285 kHz的吞吐率。输入

跟踪和保持收购了500 ns的信号，并配有伪

差分采样方案。的AD7856电压范围为0至

V

REF

与直接二进制输出编码。输入信号范围是

电源和器件能够转换充满力量显

的NAL至10兆赫。

CMOS结构确保了典型的低功耗

60 mW的正常运转和5.1毫瓦在掉电模式

在10 kSPS的吞吐速率。的部分是在24引脚，

0.3英寸宽双列直插式封装（ DIP ） ， 24引脚小外形

（ SOIC ）和24引脚小外形收缩（ SSOP ）封装。

请查看数据表索引31页。

串行接口/控制寄存器

SYNC

DIN

DOUT

SCLK

产品亮点

1. 5 V单电源。

2.自动校准上电。

3.灵活的电源管理选项，包括自动

转换后掉电。

4.工作在基准电压从1.2 V到V

DD

.

5.模拟输入范围为0 V至V

DD

.

6.八个单端或四个伪差分输入通道。

7.自我和系统校准。

8.通用串行I / O端口（ SPI / QSPI / 8051 / μP） 。

SPI和QSPI是Motorola，Inc.的商标。

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 1998年

A级：F

CLKIN

= 6兆赫（ -40 ℃至+ 105 ℃） ，女

样品

= 285千赫; 等级：

f

CLKIN

= 4 MHz时， （ 0℃至+ 105 ℃） ，女

样品

= 102千赫; （ AV

DD

DV

DD

= +5.0 V 5%,

REF

IN

/ REF

OUT

= 4.096 V外部基准，除非另有说明，

睡觉

=逻辑高电平;牛逼

A

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。 ）规格

系统蒸发散申请模式2操作，标准的3线SPI接口;请参考模式1规范的详细时序部分。

AD7856–SPECIFICATIONS

参数

动态性能

信号与噪声+失真比

3

（SNR）的

总谐波失真（ THD ）

峰值谐波或杂散噪声

互调失真（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

通道到通道隔离

DC精度

决议

积分非线性

微分非线性

±

2

偏移误差

±

10

偏移误差匹配

正满量程误差

±

10

正满量程误差匹配

模拟量输入

输入电压范围

漏电流

输入电容

参考输入/输出

REF

IN

输入电压范围

输入阻抗

REF

OUT

输出电压

REF

OUT

温度系数

逻辑输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

IN

输入电容，C

IN4

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

4

输出编码

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

1, 2

A版

1

78

–86

–87

–86

–86

–90

14

±

2

K版

1

78

–86

–87

–90

–90

–90

14

±

2

±

2

±

10

±

5

±

3

±

10

±

2

0到V

REF

±

1

20

2.3/V

DD

150

3.696/4.496

20

V

DD

– 1.0

0.4

±

1

10

单位

分贝分钟

最大分贝

最大分贝

dB典型值

dB典型值

dB典型值

位

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

伏

A

最大

pF的典型值

V最小/最大

千欧（典型值）

V最小/最大

PPM /°C的典型值

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

测试条件/评论

f

IN

= 10千赫

79.5分贝典型值

-95 dB典型值

-95 dB典型值

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫

V

IN

= 25千赫

任何通道

4.096 V外部基准电压，V

DD

= 5 V

保证无漏码为13位。

0到V

REF

±

1

20

4.096/V

DD

150

3.696/4.496

20

V

DD

– 1.0

0.4

±

1

10

即，AlN （+） - AIN（ - ）= 0至V

REF

， AIN （ - ）可

偏颇了，但AIN （ + ）不能低于AIN （ - ）

从1.2伏官能

电阻连接到内部参考节点

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

V

DD

– 0.4

V

DD

– 0.4

0.4

0.4

±

1

±

1

10

10

直（自然科学）二进制

3.5

0.33

5.25

0.5

I

来源

= 200

A

I

SINK

- 0.8毫安

s

最大

s

民

21 CLKIN周期

–2–

REV 。一

AD7856

参数

电源性能

AV

DD,

DV

DD

I

DD

普通模式

5

睡眠模式

6

随着外部时钟上

A版

1

+4.75/+5.25

17

30

400

随着外部时钟关闭

5

K版

1

+4.75/+5.25

17

10

500

5

单位

V最小/最大

最大mA

A

典型值

A

典型值

A

最大

AV

DD

DV

DD

= 4.75 V至5.25 V典型12毫安

完全掉电。电源管理位IN连接

控制寄存器设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 0

局部断电。电源管理位

控制寄存器设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 1

通常为0.5

A.

完全掉电。电源管理

换货。在控制寄存器设为PMGT1 = 1位，

PMGT0 = 0

局部断电。电源管理位

控制寄存器设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 1

V

DD

= 5.25 V.通常为60毫瓦;

睡觉

= V

DD

V

DD

= 5.25 V.

睡觉

= 0 V

V

DD

= 5.25 V典型5.25

W;

睡觉

= 0 V

允许的偏移电压量程标定

许满量程电压量程标定

测试条件/评论

200

正常模式功耗

休眠模式下功耗

随着外部时钟上

随着外部时钟关闭

系统校准

偏移校准跨度

7

增益校准跨度

7

89.25

52.5

26.25

200

89.25

52.5

26.25

A

典型值

毫瓦MAX

W

典型值

W

最大

V MAX / MIN

V MAX / MIN

+0.0375

×

V

REF

/–0.0375

×

V

REF

+1.01875

×

V

REF

/–0.98125

×

V

REF

笔记

1

温度范围如下：A版本： -40°C至+ 105°C 。 K版： 0 ° C至+ 105°C 。

2

校准后的规格适用。

3

SNR计算包含失真和噪声分量。

4

样品测试@ + 25°C ，以确保合规性。

5

所有数字输入@ DGND除

CONVST ，睡眠， CAL

和

SYNC

@ DV

DD

。在数字输出无负载。模拟输入@ AGND 。

6

CLKIN @ DGND时，外部时钟关闭。所有数字输入@ DGND除

CONVST ，睡眠， CAL ，

和

SYNC

@ DV

DD

。在数字输出无负载。

模拟输入@ AGND 。

7

偏移和增益校准跨度定义为偏移和增益误差的AD7856可以校准的范围。还请注意，这些电压的跨度和是

不是绝对的电压（即允许系统失调电压为系统偏移误差提出了在AIN （ + ），以调整出将AIN （ - ）

±

0.0375

×

V

REF

和

AIN （ + ）和AIN之间施加的允许系统满量程电压（ - ）的系统满量程电压误差进行调整出来将是V

REF

±

0.01875

×

V

REF

).

此进行更详细的解释在数据表中的校正部分。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

–3–

AD7856

时序特定网络阳离子

1

(V

参数

f

CLKIN2

f

SCLK

t

1 3

t

2

t

兑换

t

3

t

4 4

t

5 4

t

6 4

t

7

t

8

t

9

t

10

t

11

t

125

t

13

t

146

t

15

t

16

t

CAL

t

CAL1

t

CAL2

500

6

6

100

50

3.5

–0.4 t

SCLK

±

0.4 t

SCLK

30

30

45

30

20

0.4 t

SCLK

0.4 t

SCLK

30

30/0.4 t

SCLK

50

90

50

2.5 t

CLKIN

2.5 t

CLKIN

41.7

37.04

4.63

DD

= 5 V ;牛逼

A

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。 A级：F

CLKIN

= 6兆赫; 等级：F

CLKIN

= 4兆赫）。

单位

千赫分钟

兆赫最大

兆赫最大

ns（最小值）

ns（最大值）

s

最大

ns（最小值）

ns的最小/最大

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns（最小值）

ns的最小/最大

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最大值）

ns（最大值）

毫秒（典型值）

毫秒（典型值）

毫秒（典型值）

描述

主时钟频率

CONVST

脉宽

CONVST ↓

忙↑传播延迟

转换时间= 20吨

CLKIN

同步？

到SCLK ↓建立时间（非连续的SCLK输入）

同步？

到SCLK ↓建立时间（连续输入SCLK ）

从延迟

同步？

直到DOUT三州残疾人

从延迟

同步？

直到DIN三态禁用

数据访问时间SCLK ↓后

数据建立时间之前SCLK ↑

数据有效到SCLK保持时间

SCLK高脉冲宽度

SCLK低脉冲宽度

SCLK ↑到

同步？

保持时间（非连续SCLK ）

（连续SCLK ）

从延迟

同步？

直到DOUT三态启用

从延迟

SCLK ↓

根据DIN被配置为输出

从延迟

SCLK ↓

根据DIN被配置为输入

CAL ↑

忙↑延迟

CONVST ↓

忙↑延迟校准序列

全自校准时间，主时钟依赖

(250026 t

CLKIN

)

内部DAC Plus系统满量程校准时间，主

时钟属（ 222228吨

CLKIN

)

系统失调校准时间，主时钟依赖

(27798 t

CLKIN

)

在T限制

民

, T

最大

A版

K版

500

4

4

100

50

5.25

–0.4 t

SCLK

±

0.4 t

SCLK

50

50

75

40

20

0.4 t

SCLK

0.4 t

SCLK

30

30/0.4 t

SCLK

50

90

50

2.5 t

CLKIN

2.5 t

CLKIN

62.5

55.5

6.94

笔记

1

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的

DD

），并定时从1.6 V的电压电平

请参阅表X和时序图不同的接口模式和校准。

2

马克/空间比主时钟输入为40/60至60/40 。

3

该

CONVST

脉宽这里只适用于正常操作。当器件处于关断模式下，不同的

CONVST

脉宽适用

（见掉电部分） 。

4

测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。

5

t

12

当装载有图1的电路所测得的数，然后外推导出形式采取的数据输出改变0.5 V的测量时间

背面去除的充电或放电的100pF的电容的影响。这意味着该时间t

12

在时序特性所是真正的公交车

放弃部分的时间，并且独立于总线负载的。

6

t

14

当装载有图1的电路被衍生形式采取的数据输出改变0.5 V的测量的时间测量的数目是再

外推回除去的充电或放电的100pF的电容的影响。这意味着该时间t

14

在时序特性报价是

该部分在关闭输出驱动器和配置DIN线作为输入的真实延迟。一旦这段时间过去之后，用户可以驱动DIN线

明知不会发生总线冲突。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–4–

REV 。一

AD7856

典型时序图

1.6mA

图2和图3显示了典型的读出和写入的有关时序图

2.阅读和写作发生后串行接口模式

转化率在图2中，并在转换于图3中为了

达到285千赫，阅读和令状的最大采样率

荷兰国际集团必须在转换期间被执行，如图3所示。在

至少330 ns的采样时间必须被允许（从时间

对忙碌的一个上升沿下降沿

CONVST ）

之前的下一个转换开始，以确保部分是

结算到14位的水平。如果用户不希望提供

该

CONVST

信号，转换可以在软件启动

通过写入控制寄存器。

I

OL

输出

针

C

L

100pF

200 A

I

OL

+2.1V

图1.负载电路的数字输出定时

特定网络阳离子

t

兑换

= 3.5 s最大， 5.25秒以内K版

t

1

= 100ns的MIN ，

t

4

= 30 / 50ns的MAX A / K，

t

7

= 30 / 40ns的MIN A / K

t

1

CONVST

（I / P）的

t

2

BUSY （O / P）

t

兑换

SYNC

（I / P）的

t

3

SCLK （I / P）的

1

5

t

9

6

16

t

11

t

4

DOUT （O / P）

三态

t

6

DB15

t

6

DB11

t

10

t

12

DB0

三

状态

t

7

DIN（ I / P）

DB15

t

8

DB11

DB0

图2.时序图接口模式2 （读/写转换后）

t

兑换

= 3.5 s最大， 5.25秒以内K版

t

1

= 100ns的MIN ，

t

4

= 30 / 50ns的MAX A / K，

t

7

= 30 / 40ns的MIN A / K

t

1

CONVST

（I / P）的

t

2

BUSY （O / P）

t

兑换

SYNC

（I / P）的

t

3

SCLK （I / P）的

1

5

t

9

6

16

t

11

t

4

DOUT （O / P）

三态

t

6

DB15

t

6

DB11

t

10

t

12

DB0

三

状态

t

7

DIN（ I / P）

DB15

t

8

DB11

DB0

图3.时序图接口模式2 （读/写的过程中转换）

REV 。一

–5–

a

特点

指定V

DD

3 V至5.5 V

只读操作

AD7854-200 kSPS时; AD7854L -100 kSPS时

系统和自校准

低功耗

正常工作

AD7854 ： 15毫瓦（V

DD

= 3 V)

AD7854L ： 5.5毫瓦（V

DD

= 3 V)

自动断电转换后（ 25 W）

AD7854 ： 1.3毫瓦10 kSPS时

AD7854L ： 650 W 10 kSPS时

灵活的并行接口

12位并行/ 8位并行（ AD7854 ）

28引脚DIP ， SOIC和SSOP封装（ AD7854 ）

应用

电池供电系统（个人数字助理，

医疗器械，移动通信）

笔计算机

仪表和控制系统

高速调制解调器

3 V至5 V单电源， 200 kSPS时

12位采样ADC

AD7854/AD7854L*

功能框图

AV

DD

AGND

AIN（+ ）

T / H

AIN（ - ）

2.5V

参考

REF

IN

/

REF

OUT

COMP

BUF

DGND

C

REF1

收费

再分配

DAC

CLKIN

C

REF2

校准

内存

和控制器

SAR ADC +

控制

CONVST

忙

DV

DD

AD7854/AD7854L

并行接口/控制寄存器

DB11–DB0

CS

RD

WR

HBEN

概述

产品亮点

在AD7854 / AD7854L是一款高速，低功耗， 12位ADC

即采用单3 V或5 V电源供电，

AD7854的速度和所述AD7854L为低被优化

力。 ADC的权力了一组默认条件

该时间可为只读的ADC来操作。该ADC

包含自校准和系统校准选项，以恩

确保操作精度不受时间和温度，并具有

对于低功耗应用省电选项数量。

的AD7854能够200 kHz，而该

AD7854L能够100kHz的通过速率。输入

跟踪和保持收购了500 ns的信号，并配有伪

差分采样方案。在AD7854和AD7854L输入

电压范围为0至V

REF

（单极）和-V

REF

/ 2到+ V

REF

/2,

集中在V

REF

/ 2（双极性） 。编码为标准二进制中

单极模式和二进制补码双极性模式。输入

信号范围是到供给和零件能够变流的

荷兰国际集团的全功率信号到100千赫。

CMOS结构确保了典型的低功耗

5.4毫瓦用于正常操作和3.6

W

在掉电模式。

该器件提供28引脚， 0.6英寸宽的双列直插式封装

年龄（ DIP ） ， 28引脚小外形封装（ SOIC ）和28引脚小

收缩轮廓（ SSOP ）封装。

*专利

正在申请中。

请参见第27页的数据表的索引。

1.操作与3 V或5 V电源供电。

2.灵活的电源管理选项，包括自动

转换后掉电。使用电源管理

换货选项卓越的动力性能更慢

吞吐速率可达到：

AD7854 ： 1毫瓦（典型值） @ 10 kSPS时

AD7854L ： 1毫瓦（典型值） @ 20 kSPS时

3.工作在参考电压为1.2 V至AV

DD

.

4.模拟输入范围为0 V至AV

DD

.

5.自校准和系统校准。

6.通用并行I / O口。

7.低功耗版本AD7854L 。

版本B

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2000

=

V,

AD7854/AD7854L–SPECIFICATIONS

1,

1

2

（ AV （ -40 = CDVto + 85 + 3.0 Vf的5.5 200REF / REF = 2.5 V千赫

外部基准，女

= 4兆赫（对于L版本： 1.8兆赫（ 0℃至+ 70℃ ）和兆赫

C));

=

千赫（ AD7854 ） ， 100

DD

DD

IN

OUT

CLKIN

样品

（ AD7854L ） ;牛逼

A

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。 ）规格中（）应用到AD7854L 。

参数

动态性能

信号与噪声+失真比

3

（SNR）的

总谐波失真（ THD ）

峰值谐波或杂散噪声

互调失真（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

DC精度

决议

积分非线性

微分非线性

单极性偏移误差

单极性增益误差

双极正满量程误差

负满量程误差

双极性零误差

模拟量输入

输入电压范围

A版

1

70

B版本

1

71

S版

1

70

单位

分贝分钟

测试条件/评论

通常，信噪比为72分贝

V

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫

（L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

V

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫

（L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

V

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫

（L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 200千赫

（L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 200千赫

（L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

–78

–78

–78

–78

–78

–78

最大分贝

最大分贝

–78

–78

–78

–78

–78

–78

dB典型值

dB典型值

12

±

1

±

1

±

3

±

2

±

4

±

2

±

4

±

2

±

4

±

2

±

4

0到V

REF

±

V

REF

/2

±

1

20

2.3/V

DD

150

2.3/2.75

20

3

2.1

0.4

0.6

±

10

10

12

±

0.5

±

1

±

3

±

2

±

4

±

2

±

4

±

2

±

4

±

2

±

4

0到V

REF

±

V

REF

/2

±

1

20

2.3/V

DD

150

2.3/2.7

20

3

2.1

0.4

0.6

±

10

10

12

±

1

±

1

±

4

±

2

±

4

±

2

±

5

±

2

±

5

±

2

±

5

0到V

REF

±

V

REF

/2

±

1

20

2.3/V

DD

150

2.3/2.7

20

3

2.1

0.4

0.6

±

10

10

位

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

伏

伏

5 V基准电压V

DD

= 5 V

保证无漏码至12位

即，AlN （+） - AIN（ - ）= 0至V

REF

， AIN （ - ）可

偏了，但AIN （ + ）不能低于AIN （ - ） 。

即，AlN （+） - AIN（ - ） = -V

REF

/ 2到+ V

REF

/ 2 ，AlN （ - ）

应被偏置到+ V

REF

/ 2和AIN （ + ）可以去以下

AIN （ - ），但不能低于0 V.

漏电流

输入电容

参考输入/输出

REF

IN

输入电压范围

输入阻抗

REF

OUT

输出电压

REF

OUT

温度系数

逻辑输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

IN

输入电容，C

IN4

逻辑输出

输出高电压，V

OH

A

最大

pF的典型值

V最小/最大

千欧（典型值）

V最小/最大

PPM /°C的典型值

V分钟

V分钟

V最大

V最大

A

最大

pF的最大

从1.2伏官能

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

4

2.4

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

4

输出编码

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

0.4

±

10

10

4

2.4

4

2.4

V分钟

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

I

来源

= 200

A

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

I

SINK

- 0.8毫安

0.4

0.4

±

10

±

10

10

10

直（自然科学）二进制

二进制补码

4.6 (9)

0.5 (1)

4.6 (9)

0.5 (1)

单极性输入范围

双极性输入范围

s

最大

s

民

t

CLKIN

×

18

（只有L版本， 0 ° C至+ 70 ° C， 1.8 MHz的CLKIN ）

（只有L版本， -40 ° C至+ 85°C ， 1 MHz的CLKIN ）

4.6 (10)

0.5 (1)

–2–

版本B

AD7854/AD7854L

参数

A版

1

B版本

1

S版

1

单位

测试条件/评论

电源要求

AV

DD,

DV

DD

I

DD

普通模式

5

+3.0/+5.5

5.5 (1.8)

5.5 (1.8)

+3.0/+5.5

5.5 (1.8)

5.5 (1.8)

+3.0/+5.5

6 (1.8)

6 (1.8)

V最小/最大

最大mA

最大mA

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V.典型4.5毫安

（1.5 mA）的;

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V.典型4.0毫安

（1.5 mA）的。

完全掉电。电源管理位控制

寄存器设置为PMGT1 = 1， PMGT0 = 0 。

局部断电。电源管理位

控制寄存器设定为PMGT1 = 1， PMGT0 = 1 。

通常情况下1

A.

完全掉电。电源管理

控制寄存器位设置为PMGT1 = 1 ，

PMGT0 = 0 。

局部断电。电源管理位

控制寄存器设定为PMGT1 = 1， PMGT0 = 1 。

V

DD

= 5.5 V ：通常情况下25毫瓦（ 8 ）

V

DD

= 3.6 V ：通常情况下15毫瓦（ 5.4 ）

V

DD

= 5.5 V

V

DD

= 3.6 V

V

DD

= 5.5 V ：通常5.5

W

V

DD

= 3.6 V ：通常3.6

W

允许的偏移电压量程标定

许满量程电压量程标定

睡眠模式

6

随着外部时钟上

10

400

10

400

5

10

400

5

A

典型值

A

典型值

A

最大

A

典型值

毫瓦MAX

毫瓦MAX

W

典型值

W

典型值

W

最大

W

最大

V MAX / MIN

V MAX / MIN

随着外部时钟关闭

5

200

正常模式功耗

休眠模式下功耗

随着外部时钟上

随着外部时钟关闭

系统校准

偏移校准跨度

7

增益校准跨度

7

30 (10)

20 (6.5)

55

36

27.5

18

200

30 (10)

20 (6.5)

55

36

27.5

18

200

30 (10)

20 (6.5)

55

36

27.5

18

+0.05

×

V

REF

/–0.05

×

V

REF

+0.025

×

V

REF

/–0.025

×

V

REF

笔记

1

温度范围如下：A ，B版本， -40 ° C至+ 85°C ; S版， -55 ° C至+ 125°C 。

2

校准后的规格适用。

3

未经生产测试。经鉴定，在产品初始发行保证。

4

样品测试@ + 25°C ，以确保合规性。

5

所有数字输入@ DGND除

CONVST

@ DV

DD

。在数字输出无负载。模拟输入@ AGND 。

6

CLKIN @ DGND时，外部时钟关闭。所有数字输入@ DGND除