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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第394页 > EVAL-ADF4360-8EB1
集成的合成器和VCO
ADF4360-8
特点
输出频率范围: 65 MHz至400 MHz的
3.0 V至3.6 V电源供电
1.8 V逻辑兼容
整数N分频合成器
可编程输出功率水平
3线串行接口
数字锁定检测
硬件和软件省电模式
概述
该ADF4360-8是一款集成的整数N合成器和
压控振荡器(VCO) 。该ADF4360-8中心
频率由外部电感设置。这允许频率
范围之间的65兆赫至400兆赫。
所有片内寄存器均通过简单的3线
界面。该器件工作的电源电压范围为
3.0 V至3.6 V和可以关断不使用的时候。
应用
系统时钟发生器
测试设备
无线局域网
有线电视设备
功能框图
AV
DD
DV
DD
R
SET
CE
ADF4360-8
多路复用器
REF
IN
14位R
计数器
LOCK
检测
CLK
数据
LE
24-BIT
数据寄存器
24-BIT
功能
LATCH
比较
MUTE(静音)
MUXOUT
收费
CP
V
VCO
V
TUNE
L1
L2
C
C
C
N
RF
OUT
A
13位乙
计数器
N = B
VCO
CORE
产量
舞台
RF
OUT
B
AGND
DGND
CPGND
图1 。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是,没有责任承担由Analog Devices供其使用,也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利,可能导致其使用的。
规格如有变更,恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.326.8703
2005 ADI公司保留所有权利。
04763-001
ADF4360-8
目录
规格................................................. .................................... 3
时序特性................................................ ................ 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
晶体管数量................................................ ........................... 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
电路说明................................................ ......................... 10
参考输入部分............................................... .............. 10
N计数器................................................ .................................... 10
v计数器................................................ .................................... 10
PFD和电荷泵.............................................. ................ 10
MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 10
输入移位寄存器............................................... ...................... 11
VCO ................................................. ............................................. 11
输出级................................................ ................................ 12
锁存结构................................................ ........................... 13
上电............................................... ...................................... 17
控制锁存................................................ .............................. 19
N计数器锁存............................................... .......................... 20
v计数器锁存............................................... .......................... 20
应用................................................. .................................... 21
选择................................. 21正确的电感值
固定频率LO ............................................... .................... 21
接口................................................. .................................. 22
PCB设计指南芯片级封装........................... 22
输出匹配................................................ ........................ 23
外形尺寸................................................ ....................... 24
订购指南................................................ .......................... 24
修订历史
01/05 - 修订版0至修订版A
更改表1 .............................................. .............................. 3
更改表2 .............................................. .............................. 5
图20 ..............................................变化........................ 12
新增上电科............................................. ................. 17
删除加电科............................................. ............... 22
更新的外形尺寸............................................... ........ 24
更改订购指南.............................................. ............ 24
10月4日 - 修订版0 :初始版
版本A |页24 2
ADF4360-8
特定网络阳离子
1
AV
DD
DV
DD
= V
VCO
= 3.3 V± 10 % ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
中,除非另有说明。
表1中。
参数
REF
IN
特征
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
2
电荷泵
I
CP
吸入/源
3
高价值
低价值
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
,输入高电压
V
INL
,输入低电压
I
INH
/I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
I
OH
,高输出电流
V
OL
,输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
VCO
AI
DD4
DI
DD4
I
VCO4 , 5
I
RFOUT4
低功耗睡眠模式
4
RF输出特性
5
最大的VCO输出频率
最小的VCO输出频率
VCO的输出频率
VCO频率范围
VCO灵敏度
锁定时间
6
频推(开环)
频率牵引(开环)
谐波含量(二)
B版本
10/250
0.7/AV
DD
0至AV
DD
5.0
±60
8
单位
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
V最大
pF的最大
μA(最大值)
兆赫最大
有R
SET
= 4.7 k
2.5
0.312
2.7/10
0.2
2
1.5
2
1.5
0.6
±1
3.0
DV
DD
– 0.4
500
0.4
3.0/3.6
AV
DD
AV
DD
5
2.5
12.0
3.5至11.0
7
400
65
88/108
1.2
2
400
0.24
10
16
毫安(典型值)
毫安(典型值)
k
nA的典型值
% (典型值)
% (典型值)
% (典型值)
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的最大
V分钟
μA(最大值)
V最大
V MIN / V最大
CMOS输出选择
I
OL
= 500 A
条件/评论
对于f < 10兆赫,采用直流耦合的CMOS兼容的方波,
压摆率> 21 V / μs的。
AC耦合
CMOS兼容
1.25 V ≤ V
CP
≤ 2.5 V
1.25 V ≤ V
CP
≤ 2.5 V
V
CP
= 2.0 V
毫安(典型值)
毫安(典型值)
毫安(典型值)
毫安(典型值)
μA (典型值)
兆赫
兆赫
MHz的最小/最大
兆赫/ V (典型值)
微秒(典型值)
兆赫/ V (典型值)
赫兹(典型值)
dBc的典型值
I
CORE
= 5毫安
RF输出级是可编程
I
CORE
= 5毫安。根据L.见
选择正确的电感值部分。
L 1 ,L 2 = 270 nH的。见选择正确的电感值
部分,用于其他频率值。
F
最大
/ F
L 1 ,L 2 = 270 nH的。见选择正确的电感值
部分其他的灵敏度值。
要在最终的频率为10赫兹
到2.00负载VSWR
版本A |第24 3
ADF4360-8
参数
谐波含量(三)
输出功率
5, 7
输出功率
5, 8
输出功率变化
VCO调谐范围
噪声特性
5
VCO相位噪声性能
9
B版本
21
9/0
14/9
±3
1.25/2.5
120
139
140
142
160
150
142
215
102
0.09
75
70
单位
dBc的典型值
dBm的典型值
dBm的典型值
dB典型值
V最小/最大
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
度(典型值)
dBc的典型值
dBm的典型值
条件/评论
通过调整负载,可编程3 dB步长;见表7
采用50 Ω电阻, V
VCO
可编程3 dB步长;见表7
合成器的相位噪声层
10
@ 100千赫从载波偏移
@ 800千赫从载波偏移
@ 3兆赫的载波偏移
@ 10兆赫的载波偏移
@ 200kHz的PFD频率
@ 1 MHz的PFD频率
@ 8 MHz的PFD频率
@ 1 kHz的从载波偏移
100赫兹至100千赫兹
优异的相位噪声图
10
在带内相位噪声
11, 12
RMS集成相位误差
13
由于PFD杂散信号
频率
12, 14
解锁信号与水平
MTLD启用
1
2
工作温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
3
I
CP
在内部修改,以维持恒定环路增益的频率范围内。
4
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= V
VCO
= 3.3 V.
5
除非另有说明,这些特性保证VCO核功率= 5毫安。 L1, L2 = 270 nH的, 470 Ω电阻到GND与L1,L2平行。
6
跳88 MHz到108 MHz的。 PFD频率为200千赫;环路带宽= 10 kHz的。
7
有关使用调整负载更多详细信息,请参阅输出匹配部分。
8
采用50 Ω电阻, V
VCO
,到50Ω负载。
9
VCO的噪声测量的是开环的条件。
10
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去20的日志
N
(其中
N
是N分频值) 。该
优点相位噪声系数减去10日志( PFD频率) 。
11
相位噪声测量与EVAL- ADF4360 - xEB1评估板和HP 8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REF
IN
对于
合成;偏移频率= 1千赫。
12
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫; N = 1000;环路B / W = 10千赫。
13
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 1 MHz的; N = 120 ;环路B / W = 100千赫。
14
杂散信号测量与EVAL- ADF4360 - xEB1评估板和HP 8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REF
IN
用于合成; F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的。
版本A |第24 4
ADF4360-8
时序特性
1
AV
DD
DV
DD
= V
VCO
= 3.3 V± 10 % ; AGND = DGND = 0 V ; 1.8 V和3 V逻辑电平使用;牛逼
A
= T
给T
最大
中,除非另有说明。
表2中。
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
1
在T限制
给T
最大
(B版)
20
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
LE建立时间
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉冲宽度
请参考此设备的推荐的上电过程中的加电部分。
t
4
时钟
t
5
t
2
数据
DB23 (MSB)
DB22
t
3
DB2
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
7
LE
t
1
LE
t
6
04763-002
图2.时序图
版本A |第24 5
集成的合成器和VCO
ADF4360-8
特点
输出频率范围: 65 MHz至400 MHz的
3.0 V至3.6 V电源供电
1.8 V逻辑兼容
整数N分频合成器
可编程输出功率水平
3线串行接口
数字锁定检测
硬件和软件省电模式
概述
该ADF4360-8是一款集成的整数N合成器和
电压控制振荡器(VCO ) 。该ADF4360-8中心
频率由外部电感设置。这允许频率
范围之间的65兆赫至400兆赫。
所有片内寄存器均通过简单的3线
界面。该器件工作的电源电压范围为
3.0 V至3.6 V和可以关断不使用的时候。
应用
系统时钟发生器
测试设备
无线局域网
有线电视设备
功能框图
AV
DD
DV
DD
R
SET
CE
ADF4360-8
多路复用器
REF
IN
14位R
计数器
LOCK
检测
CLK
数据
LE
24-BIT
数据寄存器
24-BIT
功能
LATCH
比较
MUTE(静音)
MUXOUT
收费
CP
V
VCO
V
TUNE
L1
L2
C
C
C
N
RF
OUT
A
13位乙
计数器
N = B
VCO
CORE
产量
舞台
RF
OUT
B
AGND
DGND
CPGND
图1 。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是,没有责任承担由Analog Devices供其使用,也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利,可能导致其使用的。
规格如有变更,恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
04763-001
ADF4360-8
目录
规格................................................. .................................... 3
时序特性................................................ ..................... 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
晶体管数量................................................ ........................... 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
电路说明................................................ ......................... 10
参考输入部分............................................... .............. 10
N计数器................................................ .................................... 10
v计数器................................................ .................................... 10
PFD和电荷泵.............................................. ................ 10
MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 10
输入移位寄存器............................................... ...................... 11
VCO ................................................. ............................................ 11
输出级................................................ ................................ 12
锁存结构................................................ ........................... 13
控制锁存................................................ .............................. 17
N计数器锁存............................................... .......................... 18
v计数器锁存............................................... .......................... 18
选择................................. 19正确的电感值
固定频率LO ............................................... .................... 19
上电............................................... ...................................... 20
接口................................................. .................................. 20
PCB设计指南芯片级封装........................... 20
输出匹配................................................ ........................ 21
外形尺寸................................................ ....................... 22
订购指南................................................ .......................... 22
修订历史
10月4日 - 修订版0 :初始版
第0版|第24 2
ADF4360-8
特定网络阳离子
1
AV
DD
DV
DD
= V
VCO
= 3.3 V± 10 % ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
中,除非另有说明。
表1中。
参数
REF
IN
特征
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
2
电荷泵
I
CP
吸入/源
3
高价值
低价值
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
,输入高电压
V
INL
,输入低电压
I
INH
/I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
I
OH
,高输出电流
V
OL
,输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
VCO
AI
DD4
DI
DD4
I
VCO4 , 5
I
RFOUT4
低功耗睡眠模式
4
规格接下页。
脚注下页。
B版本
10/250
0.7/AV
DD
0至AV
DD
5.0
±60
8
单位
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
V最大
pF的最大
μA(最大值)
兆赫最大
条件/评论
对于f < 10兆赫,采用直流耦合的CMOS兼容
方波,转换速率> 21 V / μs的。
AC耦合。
CMOS兼容。
有R
SET
= 4.7 k.
2.5
0.312
2.7/10
0.2
2
1.5
2
1.5
0.6
±1
3.0
DV
DD
– 0.4
500
0.4
3.0/3.6
AV
DD
AV
DD
5
2.5
12.0
3.5至11.0
7
毫安(典型值)
毫安(典型值)
k
nA的典型值
% (典型值)
% (典型值)
% (典型值)
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的最大
V分钟
μA(最大值)
V最大
V MIN / V最大
CMOS输出选择。
I
OL
= 500 A.
1.25 V ≤ V
CP
≤ 2.5 V.
1.25 V ≤ V
CP
≤ 2.5 V.
V
CP
= 2.0 V.
毫安(典型值)
毫安(典型值)
毫安(典型值)
毫安(典型值)
μA (典型值)
I
CORE
= 5毫安。
RF输出级是可编程的。
第0版|第24 3
ADF4360-8
参数
RF输出特性
5
最大的VCO输出频率
最小的VCO输出频率
VCO的输出频率
VCO频率范围
VCO灵敏度
锁定时间
6
频推(开环)
频率牵引(开环)
谐波含量(二)
谐波含量(三)
输出功率
5, 7
输出功率
5, 8
输出功率变化
VCO调谐范围
噪声特性
5
VCO相位噪声性能
9
B版本
400
65
88/108
1.2
2
400
0.24
10
16
21
9/0
14/9
±3
1.25/2.5
120
139
140
142
160
150
142
209
102
0.09
75
70
单位
兆赫
兆赫
MHz的最小/最大
兆赫/ V (典型值)
微秒(典型值)
兆赫/ V (典型值)
赫兹(典型值)
dBc的典型值
dBc的典型值
dBm的典型值
dBm的典型值
dB典型值
V最小/最大
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
度(典型值)
dBc的典型值
dBm的典型值
条件/评论
I
CORE
= 5毫安。根据L.见
选择正确的电感值部分。
L 1 ,L 2 = 270 nH的。见选择正确的电感值
部分,用于其他频率值。
F
最大
/ F
L 1 ,L 2 = 270 nH的。见选择正确的电感值
部分其他的灵敏度值。
要在最终的频率为10赫兹。
到2.00 VSWR负载。
3 dB步长调校使用负载,可编程。见表7 。
采用50 Ω电阻, V
VCO
可编程3 dB的步长。见表7 。
合成器的相位噪声层
10
@ 100千赫从载波偏移。
@ 800千赫从载波偏移。
@ 3兆赫的载波偏移。
@ 10兆赫的载波偏移。
@ 200kHz的PFD频率。
@ 1 MHz的PFD频率。
@ 8 MHz的PFD频率。
@ 1 kHz的从载波偏移。
100赫兹至100千赫兹。
优异的相位噪声图
10
在带内相位噪声
11, 12
RMS集成相位误差
13
由于PFD杂散信号
频率
12, 14
解锁信号与水平
MTLD启用
工作温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
3
I
CP
在内部修改,以维持恒定环路增益的频率范围内。
4
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= V
VCO
= 3.3 V.
5
除非另有说明,这些特性保证VCO核功率= 5毫安。 L1, L2 = 270 nH的, 470 Ω电阻到GND与L1,L2平行。
6
跳88 MHz到108 MHz的。 PFD频率为200千赫;环路带宽= 10 kHz的。
7
有关使用调整负载更多详细信息,请参阅输出匹配部分。
8
采用50 Ω电阻, V
VCO
,到50Ω负载。
9
VCO的噪声测量的是开环的条件。
10
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去20的日志
N
(其中
N
是N分频值) 。该
优点相位噪声系数减去10日志( PFD频率) 。
11
相位噪声测量与EVAL- ADF4360 - xEB1评估板和HP 8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REFIN为
合成;偏移频率= 1千赫。
12
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫; N = 1000;环路B / W = 10千赫。
13
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 1 MHz的; N = 120 ;环路B / W = 100千赫。
14
杂散信号测量与EVAL- ADF4360 - xEB1评估板和HP 8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REFIN
用于合成; F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的。
2
1
第0版|第24 4
ADF4360-8
时序特性
AV
DD
DV
DD
= V
VCO
= 3.3 V± 10 % ; AGND = DGND = 0 V ; 1.8 V和3 V逻辑电平使用;牛逼
A
= T
给T
最大
中,除非另有说明。
表2中。
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
在T限制
给T
最大
(B版)
20
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
LE建立时间
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉冲宽度
t
4
时钟
t
5
t
2
数据
DB23 (MSB)
DB22
t
3
DB2
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
7
LE
t
1
LE
t
6
04763-002
图2.时序图
第0版|第24 5
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