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PLL频率合成器
ADF4108
特点
8.0 GHz带宽
3.2 V至3.6 V电源供电
独立的电荷泵电源(V
P
)允许扩展的调谐
电压在3.3 V系统
可编程双模预分频器8/9 , 16/17 , 32/33 ,或
64/65
可编程电荷泵电流
可编程反冲防回差脉冲宽度
3线串行接口
模拟和数字锁定检测
硬件和软件省电模式
环路滤波器的设计可以利用ADIsimPLL
概述
该ADF4108频率合成器可以用于实现
在上变频和下变频的本地振荡器
无线接收机和发射机的部分。它包括一个
低噪声数字PFD (相位频率检测器),精密
电荷泵,可编程参考分频器,可编程
A和B计数器以及双模预分频器(P / P + 1) 。该
A( 6位)和B ( 13位)计数器,与双联
预置分频器(P / P + 1 ) ,实现N分频器(N =
BP + A) 。此外, 14位参考分频器(R计数器)
允许可选择REFIN频率在PFD输入端。一
完整的锁相环( PLL ),可如果实施
合成器与外部环路滤波器和电压
控制振荡器(VCO ) 。其非常高的带宽的手段
该倍频器可以在很多高被淘汰
高频系统,简化了系统结构和
降低了成本。
应用
宽带无线接入
卫星系统
仪器仪表
无线局域网
基站无线电台
AV
DD
DV
DD
功能框图
V
P
CPGND
参考
REF
IN
14-BIT
v计数器
14
v计数器
LATCH
CLK
数据
LE
24位输入
注册
功能
LATCH
A, B计数器
LATCH
13
13-BIT
B计数器
负载
负载
6-BIT
计数器
M3 M2 M1
SD
OUT
LOCK
检测
当前
设置1
CPI3 CPI2 CPI1,判断
当前
设置2
CPI6 CPI5 CPI4
高Z
19
AV
DD
MUX
MUXOUT
频率
探测器
R
SET
收费
CP
22
SD
OUT
功能
LATCH
N = BP + A
RF
IN
A
RF
IN
B
预分频器
P/P + 1
ADF4108
06015-001
6
CE
AGND
DGND
图1 。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113
2006年ADI公司保留所有权利。
ADF4108
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
时序特性................................................ ..................... 5
绝对最大额定值............................................... .............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
工作原理............................................... ......................... 9
参考输入级............................................... .................... 9
RF输入级............................................... ................................ 9
预分频器(P / P + 1 ) .......................................... .............................. 9
A和B计数器.............................................. ........................... 9
v计数器................................................ ...................................... 9
鉴频鉴相器和充电泵........................... 9
MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 10
输入移位寄存器............................................... ..................... 10
锁存摘要................................................ ........................... 11
引用计数器锁存地图.............................................. .... 12
AB计数器锁存地图.............................................. ............... 13
功能锁存地图............................................... .................... 14
初始化锁存地图............................................... ............. 15
功能锁存................................................ ............................ 16
初始化锁存................................................ ..................... 17
电源注意事项............................................... .... 17
接口................................................. ...................................... 18
ADuC812的接口................................................ .................... 18
ADSP- 2181接口.............................................. ................... 18
对于芯片级封装PCB设计指南......................... 19
外形尺寸................................................ ....................... 20
订购指南................................................ .......................... 20
修订历史
4月6日 - 修订版0 :初始版
第0版|第20页2
ADF4108
特定网络阳离子
AV
DD
DV
DD
= 3.3 V± 2 % , AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5 V , AGND = DGND = CPGND = 0 V ,R
SET
= 5.1 kΩ的, dBm的简称50 Ω ,T
A
= T
to
T
最大
中,除非另有说明。
表1中。
参数
射频特性
RF输入频率( RF
IN
)
RF输入灵敏度
最大允许预分频器
输出频率
3
REF
IN
特征
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
4
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
6
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏
漏极和源极电流
匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
IH
,输入高电压
V
IL
,输入低电压
I
INH
, I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OH
,输出电压高
I
OH
V
OL
,输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
P
I
DD
( AI
DD
+ DI
DD
)
7
I
P
掉电模式( AI
DD
+ DI
DD
)
8
B版本
1.0/8.0
5/+5
300
325
20/250
0.8/V
DD
10
±100
104
1
B芯片
2
(典型值)
1.0/8.0
5/+5
300
325
20/250
0.8/V
DD
10
±100
104
单位
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
兆赫最大
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
pF的最大
μA(最大值)
兆赫最大
测试条件/评论
参见图12,用于输入电路
对于较低频率确保摆率( SR), > 320伏/微秒
P=8
P = 16
对于f < 20兆赫,确保SR > 50 V / μs的
偏置AV
DD
/2
5
可编程;参见图19
5
625
2.5
3.0/11
1
2
1.5
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
V
DD
0.4
100
0.4
3.2/3.6
AV
DD
AV
DD
/5.5
17
0.4
10
5
625
2.5
3.0/11
1
2
1.5
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
V
DD
0.4
100
0.4
3.2/3.6
AV
DD
AV
DD
/5.5
17
0.4
10
毫安(典型值)
μA (典型值)
% (典型值)
千欧(典型值)
nA的典型值
% (典型值)
% (典型值)
% (典型值)
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的最大
V分钟
V分钟
μA(最大值)
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
最大mA
μA (典型值)
AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5 V
15毫安(典型值)
T
A
= 25°C
漏极开路输出选择; 1 kΩ的上拉电阻为1.8 V
CMOS输出选择
I
OL
= 500 μA
有R
SET
= 5.1 kΩ
有R
SET
= 5.1 kΩ
见图19
1 nA的典型;牛逼
A
= 25°C
0.5 V ≤ V
CP
≤ V
P
– 0.5 V
0.5 V ≤ V
CP
≤ V
P
– 0.5 V
V
CP
= V
P
/2
第0版|第20页3
ADF4108
参数
噪声特性
归一化相位噪声楼
9
相位噪声性能
10
7900 MHz输出
11
杂散信号
7900 MHz输出
11
1
2
B版本
1
219
81
–61
B芯片
2
(典型值)
219
81
–61
单位
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的典型值
测试条件/评论
@ VCO输出
@ 1 kHz偏置和1 MHz PFD频率
@ 1 MHz偏移和1 MHz PFD频率
工作温度范围(B版)是-40 ° C至+ 85°C 。
在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。
3
这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保RF输入进行分频,其频率
小于该值。
4
AV
DD
DV
DD
= 3.3 V.
5
AC耦合确保AV
DD
/ 2偏置。
6
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
7
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3.3 V ; P = 32 ; RF
IN
= 8 GHz的,女
PFD
= 200 kHz时, REF
IN
= 10兆赫。
8
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3.3 V ; R = 16383 ; A = 63 ; B = 891 ; P = 32 ; RF
IN
= 7.0千兆赫。
9
这个值可以被用来计算相位噪声的任何应用程序。用公式-219 + 10日志(F
PFD
)+上20 logN向看去计算的带内相位噪声性能
在VCO的输出。给出的值是最低的噪声模式。
10
相位噪声测量与EVAL- ADF4108EB1评估板,与赫梯HMC506LP4 VCO 。频谱分析仪提供了REFIN为
合成器(F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的) 。
11
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 1 MHz的; F
RF
= 7900 MHz的; N = 7900 ;环路B / W = 50 kHz时, VCO = HMC506LP4 ,马刺是的调谐端口上占主导地位的漏电流
HMC506LP4 VCO。
第0版|第20页4
ADF4108
时序特性
AV
DD
DV
DD
= 3.3 V± 2 % , AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5 V , AGND = DGND = CPGND = 0 V ,R
SET
= 5.1 kΩ的, dBm的简称50 Ω ,T
A
= T
to
T
最大
中,除非另有说明。
表2中。
参数
1
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
1
2
极限
2
(B版)
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉冲宽度
通过设计保证,但未经生产测试。
工作温度范围(B版)是-40 ° C至+ 85°C 。
t
3
时钟
t
4
t
1
数据
DB23 (MSB)
DB22
t
2
DB2
DB1 ( CONTROL
BIT C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
6
LE
t
5
LE
06015-002
图2.时序图
第0版|第20页5
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