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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第174页 > EVAL-AD7866CB
a
特点
双通道,12位,双通道ADC
高吞吐量
1 MSPS
指定V
DD
2.7 V至5.25 V
低功耗
11.4毫瓦最大的1 MSPS ,3 V电源
24毫瓦最大的1 MSPS ,5 V电源
宽输入带宽
70分贝信噪比在300 kHz的输入频率
板载参考2.5 V
灵活的功耗/呑吐量管理
同时转换/读
无流水线延迟
高速串行接口SPI
TM
/ QSPI
TM
/
微丝
TM
/ DSP兼容
关机模式
1 A最大
20引脚TSSOP封装
双通道1 MSPS , 12位,双通道
SAR ADC ,具有串行接口
AD7866
功能框图
V
REF
D
一个REF SELECT
AV
DD
DV
DD
2.5V
REF
V
A1
V
A2
BUF
12-BIT
逐次
近似
ADC
AD7866
产量
DRIVERS
D
OUT
A
MUX
T / H
控制
逻辑
A0
范围
SCLK
CS
V
DRIVE
V
B1
V
B2
MUX
T / H
12-BIT
逐次
近似
ADC
产量
DRIVERS
D
OUT
B
BUF
AGND
AGND
D
B
DGND
概述
该AD7866是一款双通道12位高速,低功耗,逐次
逼近型ADC 。该器件采用2.7 V至5.25 V
电源供电,最高吞吐量可达1 MSPS 。该
器件包含两个ADC ,两者之前的低噪声,宽带
宽采样/保持放大器,可处理的输入频率
超过10兆赫。
转换过程和数据采集控制
使用标准控制输入,可轻松连接
微处理器或DSP 。所述输入信号进行采样的
的下降沿
CS
并且也开始在这一点上的转换。
转换时间取决于SCLK的频率来确定。
有该器件无流水线延迟。
在AD7866采用先进的设计技术,以实现极低的
功耗在高吞吐量。采用3 V电源
1 MSPS吞吐速率,功耗为最大
3.8毫安。与5 V电源, 1 MSPS ,电流消耗
是最大值为4.8毫安。该器件还提供灵活的功耗/
在睡眠模式下运行时的吞吐率管理。
模拟输入范围为部分可以被选择为在0 V
到V
REF
范围或2-
×
V
REF
范围与标准二进制或
二进制补码输出编码。在AD7866具有
片上2.5 V基准电压源,可如果外部过驱动
参考是优选的。每个上ADC也可以被提供
有独立的单个外部参考。
在AD7866可在一个20引脚超薄紧缩小型
( TSSOP )封装。
产品亮点
1. AD7866有两个完整的ADC功能,允许
同时采样和转换两个通道。每
ADC具有一个2通道输入多路复用器。转换
这两个信道的结果是可同时在不同的
数据线,或两者都可以采取一条数据线,如果只有一个
串行端口可用。
2.高吞吐量,低功耗,该
AD7866提供1 MSPS吞吐量11.4毫瓦
最大功耗为3 V时运行
3.灵活的功耗/吞吐量管理 -
转换速率由串行时钟允许确定
的功率消耗被减少了转换时间
通过一个SCLK的频率的增加减少。动力
效率能够以较低的吞吐速率,如果最大化
部分在转换期间进入睡眠。
4.无流水线延迟,该器件采用两个标准逐次
逼近型ADC的采样的精确控制
通过瞬间
CS
输入和一次性转换控制。
SPI和QSPI是摩托罗拉公司的商标。
MICROWIRE是美国国家半导体公司的商标。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 2002年
AD7866–SPECIFICATIONS
参数
动态性能
信号与噪声+失真比(SINAD )
2
总谐波失真( THD )
2
峰值谐波或杂散噪声( SFDR )
2
互调失真( IMD )
2
二阶条款
三阶条款
通道间隔离
采样和保持
孔径延迟
3
孔径抖动
3
孔径延迟匹配
3
全功率带宽
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
0 V至V
REF
输入范围
偏移误差
偏移误差匹配
增益误差
增益误差匹配
2
×
V
REF
输入范围
正增益误差
零代码错误
零代码误差匹配
负增益误差
模拟量输入
输入电压范围
直流漏电流
输入电容
参考输入/输出
参考输入电压
参考输入电压范围
4
直流漏电流
输入电容
参考输出电压
5
V
REF
输出阻抗
6
参考温度系数
REF OUT错误(T
给T
最大
)
逻辑输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
IN
输入电容,C
IN3
逻辑输出
输出高电压,V
OH
输出低电压,V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
3
输出编码
68
–75
–76
–88
–88
–88
10
50
200
12
2
12
±
1.5
1
(T
A
= T
给T
最大
, V
DD
= 2.7 V至5.25 V ,V
DRIVE
= 2.7 V至5.25 V ,参考= 2.5 V
外界对D-
A和D
B,F
SCLK
= 20MHz时,除非另有说明。 )
B版本
1
68
–75
–76
–88
–88
–88
10
50
200
12
2
单位
分贝分钟
最大分贝
最大分贝
dB典型值
dB典型值
dB典型值
ns(最大值)
ps的典型值
PS最大
兆赫(典型值)
兆赫(典型值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
LSB(最大值)
V
V
nA的最大
pF的典型值
pF的典型值
V
V MIN / V最大
A
最大
A
最大
pF的典型值
V MIN / V最大
典型值
典型值
PPM /°C的典型值
mV的典型
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
–V
REF
到+ V
REF
偏置在V
REF
二进制补码输出编码
测试条件/评论
f
IN
= 300 kHz正弦波,女
S
= 1 MSPS
f
IN
= 300 kHz正弦波,女
S
= 1 MSPS
f
IN
= 300 kHz正弦波,女
S
= 1 MSPS
A版
1
@ 3分贝
@ 0.1分贝
12
±
1
±
1.5
–0.95/+1.25 –0.95/+1.25
±
8
±
1.2
±
2.5
±
0.2
±
2.5
±
8
±
0.2
±
2.5
0到V
REF
0-2
×
V
REF
±
500
30
10
2.5
2/3
±
30
±
160
20
2.45/2.55
25
45
50
±
15
0.7 V
DRIVE
0.3 V
DRIVE
±
1
10
B级, 0 V至V
REF
只有范围;
±0.5
LSB (典型值)
0 V至2
×
V
REF
范围内;
±
0.5 LSB (典型值)
保证无漏码至12位
直接二进制输出编码
±
8
±
1.2
±
2.5
±
0.2
±
2.5
±
8
±
0.2
±
2.5
0到V
REF
0-2
×
V
REF
±
500
30
10
2.5
2/3
±
30
±
160
20
2.45/2.55
25
45
50
±
15
0.7 V
DRIVE
0.3 V
DRIVE
±
1
10
RANGE引脚低电平时
CS
下降沿
层峦高脚
CS
下降沿
当轨道
当保持
±
对于指定的性能1 %
REF SELECT引脚接高电平
V
REF
销;
D
A,D
B引脚;
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
通常情况下15 nA的,V
IN
= 0 V或V
DRIVE
V
DRIVE
– 0.2 V
DRIVE
– 0.2
0.4
0.4
±
1
±
1
10
10
直(自然科学)二进制
二进制补码
–2–
I
来源
= 200
A
I
SINK
= 200
A
V
DD
= 2.7 V至5.25 V
选择与任一输入范围
第0版
AD7866
参数
转化率
转换时间
采样/保持捕获时间
3
吞吐率
电源要求
V
DD
V
DRIVE
I
DD7
正常模式(静态)
A版
1
16
300
1
2.7/5.25
2.7/5.25
3.1
2.8
操作中,f
S
= 1 MSPS
4.8
3.8
部分掉电模式
部分掉电模式
完全关断模式
功耗
7
正常模式(工作)
部分断电(静态)
完全掉电(静态)
1.6
560
1
24
11.4
2.8
1.68
5
3
B版本
1
16
300
1
2.7/5.25
2.7/5.25
3.1
2.8
4.8
3.8
1.6
560
1
24
11.4
2.8
1.68
5
3
单位
测试条件/评论
SCLK周期800 ns的与SCLK = 20 MHz的
ns(最大值)
MSPS最高
见串行接口部分
V最小/最大
V最小/最大
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
A
最大
A
最大
毫瓦MAX
毫瓦MAX
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
最大
W
最大
数字I / PS = 0 V或V
DRIVE
V
DD
= 4.75 V至5.25 V添加0.5毫安
一般如果使用内部参考
V
DD
= 2.7 V至3.6 V.添加0.35毫安
一般如果使用内部参考
V
DD
= 4.75 V至5.25 V添加0.5毫安
一般如果使用内部参考
V
DD
= 2.7 V至3.6 V.添加0.5毫安
一般如果使用内部参考
f
S
= 100 kSPS时,女
SCLK
= 20 MHz的
添加0.2毫安典型值,如果使用内部参考
(静态)添加100
A
典型的,如果使用内部
参考
SCLK的打开或关闭。
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V SCLK开启或关闭。
V
DD
= 3 V SCLK开启或关闭。
V
DD
= 5 V SCLK开启或关闭。
V
DD
= 3 V SCLK开启或关闭。
笔记
1
温度范围如下:A ,B版本: -40 ° C至+ 85°C 。
2
参见术语部分。
3
样品测试@ 25°C ,以确保合规性。
4
可以在V被施加的外部基准范围
REF
, D
A,或D
B.
5
涉及到引脚V
REF
, D
A,或D
B.
6
请参阅参考一节
A,D
B输出阻抗。
7
见功率与吞吐率部分。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
第0版
–3–
AD7866
时序特定网络阳离子
1
(V
参数
f
SCLK 2
t
兑换
t
安静
t
2
t
3 3
t
4 3
t
5
t
6
t
7
t
8 4
t
9 4
在极限
T
, T
最大
10
20
16
×
t
SCLK
800
50
10
25
40
0.4 t
SCLK
0.4 t
SCLK
10
25
10
50
单位
千赫分钟
兆赫最大
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
DD
= 2.7 V至5.25 V ,V
DRIVE
= 2.7 V至5.25 V ,V
REF
= 2.5 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
描述
t
SCLK
= 1/f
SCLK
f
SCLK
= 20 MHz的
串行读取和一个下降沿结束之间的最小时间
CS
CS
到SCLK建立时间
从延迟
CS
直到
OUT
A和D
OUT
B三态禁用
SCLK下降沿后的数据访问时间。 V
DRIVE
3 V ,C
L
= 50 pF的;
V
DRIVE
< 3 V ,C
L
= 25 pF的
SCLK低脉冲宽度
SCLK高脉冲宽度
SCLK到数据有效保持时间
CS
上升沿到D
OUT
A,D
OUT
B,高阻抗
SCLK下降沿到D
OUT
A,D
OUT
B,高阻抗
SCLK下降沿到D
OUT
A,D
OUT
B,高阻抗
笔记
1
在25℃下的样品进行测试,以确保遵守。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10%的规定( 90 %V的
DRIVE
),并定时从1.6 V的电压电平
2
马克/空间比CLK输入为40/60至60/40 。
3
测定图1和德音响的定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.0V。负载电路
4
t
8,
t
9
从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1中的电路测量的数目,然后外推
背面去除的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t
8
和T
9
在时序特性所是真正的公交车
放弃的部分的时间和独立的总线负载的。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
200 A
I
OL
TO
产量
1.6V
C
L
50pF
200 A
I
OH
图1.负载电路的数字输出
时序特定网络阳离子
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
AV
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
DV
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
DRIVE
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
V
DRIVE
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
AV
DD
以DV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
模拟输入电压至AGND 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
REF
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
数字输出电压DGND 。 。 0.3 V到V
DRIVE
+ 0.3 V
输入电流到任何引脚除外用品
2
. . . . . . . .
±
10毫安
工作温度范围
商业( A,B版本) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
TSSOP封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 143℃ / W ( TSSOP )
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 ℃/ W( TSSOP )
焊接温度,焊接
气相( 60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5千伏
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力只有额定值。该装置的功能操作
在这些或以上的在这个业务部门所列出的条件
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
2
高达100 mA以下的瞬态电流不会造成SCR闩锁。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
在AD7866具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能发生
器件经受高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
–4–
第0版
AD7866
订购指南
模型
AD7866ARU
AD7866BRU
EVAL-AD7866CB
1
EVAL -CONTROL BRD2
2
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
评估板
控制器板
决议
(比特)
12
12
包装说明
薄型缩小SO ( TSSOP )
薄型缩小SO ( TSSOP )
( TSSOP )
选项
RU-20
RU-20
笔记
1
这可以作为一个独立的评估板或与评估板控制器,用于评估/演示相结合。
2
该评估板控制器是一个完整的单元,从而使一台PC来控制,并与CB标志后缀的ADI评估板进行通信。
引脚配置
REF SELECT
1
D
B
2
AGND
3
V
B2 4
V
B1 5
V
A2 6
20
A0
19
CS
18
SCLK
17
V
DRIVE
AD7866
16
D
OUT
B
顶视图
15
D
OUT
A
(不按比例)
V
A1 7
14
DGND
AGND
8
D
A
9
V
REF 10
13
DV
DD
12
AV
DD
11
范围
引脚功能描述
PIN号
1
助记符
REF SELECT
功能
内部/外部基准选择引脚。逻辑输入。如果此引脚连接到GND ,片上
2.5 V基准电压源作为参考源为ADC A和ADC B.另外,引脚V
REF
,
D
A,和D
B必须连接到去耦电容。如果REF SELECT引脚连接到一个
逻辑高,外部参考可以通过V被提供给AD7866
REF
销,其中
案例去耦电容必须对D-
A和D
B.但是,如果在V
REF
引脚连接到
AGND而REF SELECT被绑定到逻辑低,个别外部基准可以应用
通过这两个引脚ADC A和ADC B D
A和D
B中。请参阅参考一节。
去耦电容连接到这些引脚的去耦基准电压缓冲对于每个相应
ADC。芯片上的参考,可以从这些管脚和外部施加到的其余部分
系统。根据REF SELECT引脚的极性和V的结构
REF
销,
这些引脚还可以用于输入一个单独的外部参照每个ADC 。的范围
外部基准依赖于所选择的模拟输入范围。请参阅参考一节。
模拟地。接地参考点,在AD7866上所有模拟电路。所有模拟输入
信号和外部基准信号,应参考此AGND电压。这两种
引脚应该连接到系统的AGND平面。 AGND和DGND电压应
理想的是在相同的电位,而且必须不大于0.3伏相距甚至在瞬态。
B. ADC的模拟输入单端模拟输入通道。每个通道的输入范围为0 V
到V
REF
或2-
×
V
REF
取决于RANGE引脚的时的下降沿的极性范围
CS 。
的ADC A.单端模拟输入通道模拟输入。每个通道的输入范围为0 V
到V
REF
或2-
×
V
REF
取决于RANGE引脚的时的下降沿的极性范围
CS 。
参考去耦引脚与外部参考选择引脚。该引脚被连接到互
最终的参考,需要一个去耦电容。标称参考电压为2.5 V,这
出现在销;然而,如果该内部基准是在外部使用的系统中,它必须是
无论从D截取
A或D
B引脚。该引脚也可以配合使用的REF SELECT
引脚上施加一个外部参考AD7866的时候。见REF SELECT引脚说明。
2, 9
D
B,D
A
3, 8
AGND
4, 5
6, 7
10
V
B2
, V
B1
V
A2
, V
A1
V
REF
第0版
–5–
双通道1 MSPS , 12位,双通道
SAR ADC ,具有串行接口
AD7866
特点
双通道,12位,双通道ADC
高吞吐量: 1 MSPS
指定V
DD
2.7 V至5.25 V
低功耗
11.4毫瓦最大的1 MSPS ,3 V电源
24毫瓦最大的1 MSPS ,5 V电源
宽输入带宽
70分贝信噪比在300 kHz的输入频率
板载参考2.5 V
-40°C至+ 125 C操作
灵活的功耗/呑吐量管理
同时转换/读
无流水线延迟
高速串行接口SPI
TM
/ QSPI
TM
/
微丝
TM
/ DSP兼容
关断模式: 1 A最大
20引脚TSSOP封装
概述
功能框图
V
REF
D
一个REF SELECT
AV
DD
DV
DD
2.5V
REF
V
A1
V
A2
BUF
12-BIT
连续
近似
ADC
AD7866
产量
DRIVERS
D
OUT
A
MUX
T / H
控制
逻辑
A0
范围
SCLK
CS
V
DRIVE
V
B1
V
B2
MUX
T / H
12-BIT
连续
近似
ADC
产量
DRIVERS
D
OUT
B
BUF
AGND
AGND
D
B
DGND
该AD7866是一款双通道12位高速,低功耗,逐次
逼近型ADC 。该器件采用2.7 V至工作
5.25 V电源供电,最高吞吐量可达1 MSPS 。
该器件内置两个ADC ,两者之前均配有一个低噪声,
宽带宽采样保持放大器,可处理
输入频率超过10 MHz的。
转换过程和数据采集控制
通过标准控制输入,可轻松连接
微处理器或DSP 。所述输入信号进行采样的
的下降沿
CS ;
转换也开始在这一点上。
转换时间取决于SCLK的频率来确定。
有该器件无流水线延迟。
在AD7866采用先进的设计技术来实现
极低的功耗在高吞吐量。与3 V
耗材及1 MSPS吞吐速率,功耗为一
最大3.8毫安。采用5 V电源和1 MSPS时,
电流消耗是一个最大为4.8毫安。该器件还
提供灵活的功耗/吞吐量管理时,
在睡眠模式下工作。
模拟输入范围为部分可以被选择为在0 V
到V
REF
范围或2V的
REF
范围与标准二进制或
二进制补码输出编码。在AD7866具有一个片上
2.5 V基准电压源,可如果一个外部参考过驱动
是优选的。每个上ADC也可以与一个供给
独立的单个外部参考。
在AD7866可在一个20引脚超薄紧缩小型
( TSSOP )封装。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标是其各自公司的财产。
产品亮点
1. AD7866有两个完整的ADC功能,可以让
同时采样和转换两个通道。每
ADC具有一个2通道输入多路复用器。转换结果
两个通道的同时可在单独的数据
行,或者可以采取一个数据行,如果只有一个串行端口
是可用的。
2.高吞吐量,低功耗,该
AD7866提供1 MSPS吞吐量11.4毫瓦
最大功耗为3 V时运行
3.灵活的功耗/呑吐量管理,将转换
锡永速率由串行时钟确定,因此电源
消耗将减少作为转换时间减小
通过SCLK的频率增加。功率效率可
最大吞吐量较低时,如果一部分进入睡眠
在转换期间。
4.无流水线延迟,该器件采用两个标准逐次
逼近型ADC的采样的精确控制
通过瞬间
CS
输入和一次性转换控制。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
AD7866–SPECIFICATIONS
参数
动态性能
信号与噪声+失真比(SINAD )
2
总谐波失真( THD )
2
峰值谐波或杂散噪声( SFDR )
2
互调失真( IMD )
2
二阶条款
三阶条款
通道到通道隔离
采样和保持
孔径延迟
3
孔径抖动
3
孔径延迟匹配
3
全功率带宽
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
0 V至V
REF
输入范围
偏移误差
偏移误差匹配
增益误差
增益误差匹配
2 V
REF
输入范围
正增益误差
零代码错误
零代码误差匹配
负增益误差
模拟量输入
输入电压范围
直流漏电流
输入电容
参考输入/输出
参考输入电压
参考输入电压范围
4
直流漏电流
输入电容
参考输出电压
5
V
REF
输出阻抗
6
参考温度系数
REF OUT错误(T
给T
最大
)
逻辑输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
IN
输入电容,C
IN3
逻辑输出
输出高电压,V
OH
输出低电压,V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
3
输出编码
68
–75
–76
–88
–88
–88
10
50
200
12
2
12
±
1.5
(T
A
= T
给T
最大
, V
DD
= 2.7 V至5.25 V ,V
DRIVE
= 2.7 V至5.25 V ,参考= 2.5 V
外界对D-
A和D
B,F
SCLK
= 20MHz时,除非另有说明。 )
B版本
1
68
–75
–76
–88
–88
–88
10
50
200
12
2
12
±
1
±
1.5
–0.95/+1.25
±
8
±
1.2
±
2.5
±
0.2
±
2.5
±
8
±
0.2
±
2.5
0到V
REF
0至2 V
REF
±
500
1
30
10
2.5
2/3
±
30
±
160
20
2.45/2.55
25
45
50
±
15
0.7 V
DRIVE
0.3 V
DRIVE
±
1
10
A版
1
单位
分贝分钟
最大分贝
最大分贝
dB典型值
dB典型值
dB典型值
ns(最大值)
ps的典型值
PS最大
兆赫(典型值)
兆赫(典型值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
LSB(最大值)
V
V
nA的最大
A
最大
pF的典型值
pF的典型值
V
V MIN / V最大
A
最大
A
最大
pF的典型值
V MIN / V最大
典型值
典型值
PPM /°C的典型值
mV的典型
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
测试条件/评论
f
IN
= 300 kHz正弦波,女
S
= 1 MSPS
f
IN
= 300 kHz正弦波,女
S
= 1 MSPS
f
IN
= 300 kHz正弦波,女
S
= 1 MSPS
@ 3分贝
@ 0.1分贝
–0.95/+1.25
±
8
±
1.2
±
2.5
±
0.2
±
2.5
±
8
±
0.2
±
2.5
0到V
REF
0至2 V
REF
±
500
1
30
10
2.5
2/3
±
30
±
160
20
2.45/2.55
25
45
50
±
15
0.7 V
DRIVE
0.3 V
DRIVE
±
1
10
B级, 0 V至V
REF
只有范围;
±0.5
LSB (典型值)
0 V至2 V
REF
范围内;
±
0.5 LSB (典型值)
保证无漏码至12位
直接二进制输出编码
–V
REF
到+ V
REF
偏置在V
REF
二进制补码输出编码
RANGE引脚低电平时
CS
下降沿
层峦高脚
CS
下降沿
T
A
= -40°C到+ 85℃
85 C <牛逼
A
125 C
当轨道
当保持
±
对于指定的性能1 %
REF SELECT引脚接高电平
V
REF
D
A,D
B引脚
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
通常情况下15 nA的,V
IN
= 0 V或V
DRIVE
V
DRIVE
– 0.2
V
DRIVE
– 0.2
0.4
0.4
±
1
±
1
10
10
直(自然科学)二进制
二进制补码
I
来源
= 200
A
I
SINK
= 200
A
V
DD
= 2.7 V至5.25 V
选择与任一输入范围
–2–
REV 。一
AD7866
参数
转化率
转换时间
采样/保持捕获时间
3
吞吐率
电源要求
V
DD
V
DRIVE
I
DD7
正常模式(静态)
A版
1
16
300
1
2.7/5.25
2.7/5.25
3.1
2.8
B版本
1
16
300
1
2.7/5.25
2.7/5.25
3.1
2.8
4.8
3.8
1.6
单位
SCLK周期
ns(最大值)
MSPS最高
V最小/最大
V最小/最大
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
A
最大
A
最大
A
最大
毫瓦MAX
毫瓦MAX
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
最大
W
最大
测试条件/评论
800 NS与SCLK = 20 MHz的
见串行接口部分
操作中,f
S
= 1 MSPS
4.8
3.8
部分掉电模式
1.6
部分掉电模式
完全关断模式
功耗
7
正常模式(工作)
部分断电(静态)
完全掉电(静态)
560
1
2
24
11.4
2.8
1.68
5
3
560
1
2
24
11.4
2.8
1.68
5
3
数字I / PS = 0 V或V
DRIVE
V
DD
= 4.75 V至5.25 V添加0.5毫安
一般如果使用内部参考。
V
DD
= 2.7 V至3.6 V.添加0.35毫安
一般如果使用内部参考。
V
DD
= 4.75 V至5.25 V添加0.5毫安
一般如果使用内部参考。
V
DD
= 2.7 V至3.6 V.添加0.5毫安
一般如果使用内部参考。
f
S
= 100 kSPS时,女
SCLK
= 20 MHz的
添加0.2毫安典型值,如果使用内部
参考。
(静态)添加100
A
一般如果使用
内部参考。
SCLK开启或关闭。牛逼
A
= -40°C到+ 85℃
SCLK开启或关闭。 85 C <牛逼
A
125 C
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V SCLK开启或关闭。
V
DD
= 3 V SCLK开启或关闭。
V
DD
= 5 V SCLK开启或关闭。
V
DD
= 3 V SCLK开启或关闭。
笔记
1
温度范围如下:A ,B版本: -40 ° C至+ 125°C 。
2
参见术语部分。
3
样品测试@ 25°C ,以确保合规性。
4
可以在V被施加的外部基准范围
REF
, D
A,或D
B.
5
涉及到引脚V
REF
, D
A,或D
B.
6
请参阅参考一节
A,D
B输出阻抗。
7
请参阅电源与吞吐率部分。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
–3–
AD7866
时序特定网络阳离子
1
(V
参数
f
SCLK 2
t
兑换
t
安静
t
2
t
3 3
t
4 3
t
5
t
6
t
7
t
8 4
t
9 4
在极限
T
, T
最大
10
20
16
800
50
10
25
40
0.4 t
SCLK
0.4 t
SCLK
10
25
10
50
t
SCLK
DD
= 2.7 V至5.25 V ,V
DRIVE
= 2.7 V至5.25 V ,V
REF
= 2.5 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
单位
千赫分钟
兆赫最大
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
描述
t
SCLK
= 1/f
SCLK
f
SCLK
= 20 MHz的
串行读取和一个下降沿结束之间的最小时间
CS
CS
到SCLK建立时间
从延迟
CS
直到
OUT
A和D
OUT
B三态禁用
SCLK下降沿后的数据访问时间。 V
DRIVE
3 V ,C
L
= 50 pF的;
V
DRIVE
< 3 V ,C
L
= 25 pF的
SCLK低脉冲宽度
SCLK高脉冲宽度
SCLK到数据有效保持时间
CS
上升沿到D
OUT
A,D
OUT
B,高阻抗
SCLK下降沿到D
OUT
A,D
OUT
B,高阻抗
SCLK下降沿到D
OUT
A,D
OUT
B,高阻抗
笔记
1
在25℃下的样品进行测试,以确保遵守。所有输入信号均采用t指定
R
= t
F
= 5纳秒(10% 90 %的V
DRIVE
),并定时从1.6 V的电压电平
2
马克/空间比CLK输入为40/60至60/40 。
3
测定图1和德音响的定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.0V。负载电路
4
t
8,
t
9
从采取的数据输出时,装载有图1的电路所测得的数是然后改变0.5V的所测量的时间外推而得
迟来回除去的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t
8
和T
9
在时序特性所是真正的
巴士放弃一部分的时候,独立的总线负载。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
200 A
I
OL
TO
产量
1.6V
C
L
50pF
200 A
I
OH
图1.负载电路的数字输出时序规范
–4–
REV 。一
AD7866
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25℃,除非另有说明。 )
o
AV
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
DV
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
DRIVE
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
V
DRIVE
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
AV
DD
以DV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
模拟输入电压至AGND 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
REF
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
数字输出电压DGND 。 。 。 0.3 V到V
DRIVE
+ 0.3 V
输入电流到任何引脚除外用品
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
工作温度范围
商业( A,B版本) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40°C至+ 125
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65℃至+ 150℃
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
TSSOP封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
JA
热阻抗( TSSOP ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 143℃ / W
JC
热阻抗( TSSOP ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5千伏
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
高达100 mA以下的瞬态电流不会造成SCR闩锁。
订购指南
模型
AD7866ARU
AD7866BRU
EVAL-AD7866CB
1
EVAL -CONTROL BRD2
2
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
决议
(比特)
12
12
包装说明
薄型缩小SOC ( TSSOP )
薄型缩小SOC ( TSSOP )
评估板
控制器板
选项
RU-20
RU-20
笔记
1
这可以作为一个独立的评估板,或与评估电路板控制器,用于评估/演示相结合。
2
该评估板控制器是一个完整的单元,从而使一台PC来控制并与CB设计ators后缀的ADI评估板进行通信。
要订购一个完整的评估套件,具体的ADC评估板,如EVAL- AD7866CB的EVAL -CONTROL BRD2和12 V的变压器必须是
订购。请参阅相关的评估板技术说明以获取更多信息。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
AD7866具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
REV 。一
–5–
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    EVAL-AD7866CB
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