a
特点
指定V
DD
3 V至5.5 V
AD7858-200 kSPS时; AD7858L -100 kSPS时
系统和自校准用的自动校准
上电
8个单端或4个伪差分输入
低功耗
AD7858 ： 12毫瓦（V
DD
= 3 V)
AD7858L ： 4.5毫瓦（V
DD
= 3 V)
自动断电转换后（ 25 W）
灵活的串行接口：
8051 / SPI / QSPI / P兼容
24引脚DIP ，SOIC和SSOP封装
应用
电池供电系统（个人数字助理，
医疗器械，移动通信）
笔计算机
仪表和控制系统
高速调制解调器
概述
3 V至5 V单电源， 200 kSPS时
8通道， 12位采样ADC
AD7858/AD7858L*
功能框图
AV
DD
AGND
AIN1
I / P
MUX
AIN8
2.5V
参考
T / H
AD7858/
AD7858L
DV
DD
COMP
REF
IN
/ REF
OUT
C
REF1
收费
再分配
DAC
CLKIN
C
REF2
校准
内存和
调节器
SAR ADC和
控制
CONVST
忙
睡觉
BUF
DGND
CAL
串行接口/控制寄存器
在AD7858 / AD7858L是高速，低功耗， 12位
从单一的3 V或5 V电源供电的ADC时，
AD7858的速度和所述AD7858L为低被优化
力。 ADC的权力了一组默认条件
该时间可为只读的ADC来操作。该ADC
包含自校准和系统校准选项，以恩
确保操作精度不受时间和温度，并有
对于低功耗应用省电选项数量。
的部分上电时，一组默认条件和罐
作为一个只读型ADC。
的AD7858能够200 kHz，而该
AD7858L能够100kHz的通过速率。输入
跟踪和保持收购了500 ns的信号，并配有
伪差分采样方案。在AD7858 / AD7858L
电压范围为0至V
REF
与直接二进制输出编码。
输入信号范围的电源和部件能够CON-的
verting全功率信号到100千赫。
CMOS结构确保了典型的低功耗
4.5毫瓦的正常运行和1.15 mW的功率下
以10 kSPS时（一个吞吐量速率V模式
DD
= 3V） 。部分
可在24引脚， 0.3英寸宽的双列直插式封装
（ DIP ） ， 24引脚小外形封装（SOIC ）和24引脚小缩水
纲要（ SSOP ）封装。
SYNC
DIN
DOUT
SCLK
产品亮点
1.指定为3 V和5 V电源。
2.自动校准上电。
3.灵活的电源管理选项，包括自动
转换后掉电。
4.工作在基准电压从1.2 V到V
DD
.
5.模拟输入范围为0 V至V
DD
.
6.八个单端或四个伪差分输入通道。
7.系统和自校准。
8.通用串行I / O端口（ SPI / QSPI / 8051 / μP） 。
9.低功率版本AD7858L 。
*专利
正在申请中。
请参阅数据表的索引第31页。
SPI和QSPI是Motorola，Inc.的商标。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
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万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2000
DV
+3.0至
REF
= 2.5
AD7858/AD7858L–SPECIFICATIONS
1,
C),
2
1 （ AV A =和B = GradesV （ -40 + 5.5toV ， + 85℃ ） / REFL版） ; V外部
参考，除非另有说明中，f
= 4兆赫（ 1.8 MHz的B级（ 0℃至+ 70
兆赫
C
为
f
=
DD
DD
IN
OUT
200千赫兹（ AD7858 ），100千赫（ AD7858L ） ;
睡觉
=逻辑高电平;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。 ）规格中（）应用到AD7858L 。
参数
动态性能
信号与噪声+失真比
3
（SNR）的
总谐波失真（ THD ）
峰值谐波或杂散噪声
互调失真（ IMD ）
二阶条款
三阶条款
通道到通道隔离
DC精度
决议
积分非线性
A版
1
B版本
1
70
–78
–78
–78
–78
–90
12
±
1
±
1
(± 1)
±
1
±
1
±
5
±
2.5
(± 3)
(± 1.5)
1.5
±
4
±
1.5
1
0到V
REF
±
1
20
2.3/V
DD
150
2.3/2.7
20
2.4
2.1
0.8
0.6
±
10
10
71
–78
–78
–80
–80
–90
12
±
1
±
0.5
(± 1)
±
1
±
1
±
5
±
2.5
(± 3)
(± 1.5)
1.5
±
4
±
1.5
1
0到V
REF
±
1
20
2.3/V
DD
150
2.3/2.7
20
2.4
2.1
0.8
0.6
±
10
10
单位
分贝分钟
最大分贝
最大分贝
dB典型值
dB典型值
dB典型值
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB （典型值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
伏
A
最大
pF的典型值
V最小/最大
千欧（典型值）
V最小/最大
PPM /°C的典型值
V分钟
V分钟
V最大
V最大
A
最大
pF的最大
从1.2伏官能
测试条件/评论
通常，信噪比为72分贝
V
IN
= 10 kHz正弦波，女
样品
= 200千赫（ 100千赫）
V
IN
= 10 kHz正弦波，女
样品
= 200千赫（ 100千赫）
V
IN
= 10 kHz正弦波，女
样品
= 200千赫（ 100千赫）
FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女
样品
= 200千赫（ 100千赫）
FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女
样品
= 200千赫（ 100千赫）
V
IN
= 25千赫
任何通道
2.5 V外部基准电压V
DD
= 3 V, V
DD
= 5 V （B级专用）
5 V外部基准电压V
DD
= 5 V
（L版， 5 V外部基准电压，V
DD
= 5 V)
（L版）
保证无漏码为12位。 2.5 V外部
参考V
DD
= 3 V ， 5 V外部基准电压，V
DD
= 5 V
通常
±
2个LSB
5 V外部基准电压，V
DD
= 5 V
（L版）
（L版， 5 V外部基准电压，V
DD
= 5 V)
CLKIN
样品
微分非线性
总非调整误差
单极性偏移误差
单极性偏移误差匹配
正满量程误差
正满量程误差匹配
模拟量输入
输入电压范围
漏电流
输入电容
参考输入/输出
REF
IN
输入电压范围
输入阻抗
REF
OUT
输出电压
REF
OUT
温度系数
逻辑输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
IN
输入电容，C
IN4
逻辑输出
输出高电压，V
OH
5 V外部基准电压，V
DD
= 5 V
即，AlN （+） - AIN（ - ）= 0至V
REF
，AlN （ - ）可以被偏置
上升，但AIN （ + ）不能低于AIN （ - ）
AV
DD
DV
DD
= 4.5 V至5.5 V
AV
DD
DV
DD
= 3.0 V至3.6 V
AV
DD
DV
DD
= 4.5 V至5.5 V
AV
DD
DV
DD
= 3.0 V至3.6 V
通常情况下10 nA的，V
IN
= 0 V或V
DD
输出低电压，V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
4
输出编码
转化率
转换时间
采样/保持捕获时间
4
4
2.4
2.4
0.4
0.4
±
10
±
10
10
10
直（自然科学）二进制
4.6 (18)
0.4 (1)
4.6
(10)
0.4 (1)
V分钟
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
I
来源
= 200
A
AV
DD
DV
DD
= 4.5 V至5.5 V
AV
DD
DV
DD
= 3.0 V至3.6 V
I
SINK
- 0.8毫安
s
最大
s
最大
s
民
（只有L版本， -40 ° C至+ 85°C ， 1 MHz的CLKIN ）
（只有L版本， 0 ° C至+ 70 ° C， 1.8 MHz的CLKIN ）
（仅L版本）
–2–
版本B
AD7858/AD7858L
参数
动态性能
AV
DD,
DV
DD
I
DD
普通模式
5
睡眠模式
6
随着外部时钟上
A版
1
+3.0/+5.5
6 (1.9)
5.5 (1.9)
10
400
随着外部时钟关闭
5
B版本
1
+3.0/+5.5
6 (1.9)
5.5 (1.9)
10
400
5
单位
V最小/最大
最大mA
最大mA
A
典型值
A
典型值
A
最大
A
典型值
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
典型值
W
典型值
W
最大
W
最大
V MAX / MIN
V MAX / MIN
AV
DD
DV
DD
= 4.5 V至5.5 V.通常为4.5 MA（ 1.5 ）
AV
DD
DV
DD
= 3.0 V至3.6 V.典型4.0毫安（1.5 mA）的
完全掉电。电源管理位控制
注册设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 0
局部断电。电源管理位
控制寄存器设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 1
通常情况下1
A.
完全掉电。电源管理位
在控制
注册设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 0
部分断电。电源管理中的位控制
注册设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 1
V
DD
= 5.5 V.典型的25兆瓦（ 8 ）
睡觉
= V
DD
V
DD
= 3.6 V.一般为15毫瓦（ 5.4 ） ;
睡觉
= V
DD
V
DD
= 5.5 V.
睡觉
= 0 V
V
DD
= 3.6 V.
睡觉
= 0 V
V
DD
= 5.5 V.通常为5.5
W;
睡觉
= 0 V
V
DD
= 3.6 V.通常3.6
W;
睡觉
= 0 V
允许的偏移电压量程标定
许满量程电压量程标定
测试条件/评论
200
正常模式功耗
休眠模式下功耗
随着外部时钟上
随着外部时钟关闭
系统校准
偏移校准跨度
7
增益校准跨度
7
33 (10.5)
20 (6.85)
55
36
27.5
18
200
33 (10.5)
20 (6.85)
55
36
27.5
18
+0.05
×
V
REF
/–0.05
×
V
REF
+1.025
×
V
REF
/–0.975
×
V
REF
笔记
1
温度范围如下：A ，B版本： -40 ° C至+ 85°C 。对于L版本， A和B版本F
CLKIN
= 1兆赫在-40 ° C至+ 85 ° C的温度范围内，
B F版
CLKIN
= 1.8兆赫在0 ° C至+ 70 °C温度范围。
2
校准后的规格适用。
3
SNR计算包含失真和噪声分量。
4
样品测试@ + 25°C ，以确保合规性。
5
所有数字输入@ DGND除
CONVST ，睡眠， CAL ，
和
SYNC
@ DV
DD
。在数字输出无负载。模拟输入@ AGND 。
6
CLKIN @ DGND时，外部时钟关闭。所有数字输入@ DGND除
CONVST ，睡眠， CAL ，
和
SYNC
@ DV
DD
。上的数字无负载
输出。模拟输入@ AGND 。
7
偏移和增益校准跨度定义为偏移和增益误差的AD7858 / AD7858L可以校准的范围。还请注意，这些电压
跨度并没有绝对的电压（即允许系统失调电压为系统偏移误差提出了在AIN （ + ），以调整出将AIN （ - ）
±
0.05
×
V
REF
和AIN （ + ）和AIN之间施加的允许系统满量程电压（ - ）的系统满量程电压误差进行调整出来会
V
REF
±
0.025
×
V
REF
） 。此进行更详细的解释在数据表中的校准部分。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本B
–3–
AD7858/AD7858L
定时
参数
f
CLKIN2
DD
DD
CLKIN
1
T =至T ，除非另有说明）
特定网络阳离子
A起价MAX
（ AV = DV = + 3.0V至+ 5.5V ; F
= 4兆赫的AD7858和1.8 / 1兆赫AD7858L ;
在T限制
民
, T
最大
（ A，B版本）
5V
3V
500
4
1.8
1
4
100
50
4.6
10 (18)
–0.4 t
SCLK
0.4 t
SCLK
50
50
75
40
20
0.4 t
SCLK
0.4 t
SCLK
30
30/0.4 t
SCLK
50
90
50
2.5 t
CLKIN
2.5 t
CLKIN
31.25
27.78
3.47
500
4
1.8
1
4
100
90
4.6
10 (18)
–0.4 t
SCLK
0.4 t
SCLK
90
90
115
60
30
0.4 t
SCLK
0.4 t
SCLK
50
50/0.4 t
SCLK
50
130
90
2.5 t
CLKIN
2.5 t
CLKIN
31.25
27.78
3.47
单位
千赫分钟
兆赫最大
兆赫最大
兆赫最大
兆赫最大
ns（最小值）
ns（最大值）
s
最大
s
最大
ns（最小值）
ns的最小/最大
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns的最小/最大
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
毫秒（典型值）
毫秒（典型值）
毫秒（典型值）
描述
主时钟频率
L型， 0 ° C至+ 70 ° C， B级只
L型， -40 ° C至+ 85°C
CONVST
脉宽
CONVST ↓
忙↑传播延迟
转换时间= 18吨
CLKIN
L型1.8 （ 1 ） MHz的CLKIN 。转换时间= 18吨
CLKIN
同步？
到SCLK ↓建立时间（非连续的SCLK输入）
同步？
到SCLK ↓建立时间（连续输入SCLK ）
从延迟
同步？
直到DOUT三州残疾人
从延迟
同步？
直到DIN三态禁用
数据访问时间SCLK ↓后
数据建立时间之前SCLK ↑
数据有效到SCLK保持时间
SCLK高脉冲宽度
SCLK低脉冲宽度
SCLK ↑到
同步？
保持时间（非连续SCLK ）
（连续SCLK ）
从延迟
同步？
直到DOUT三态启用
延迟从SCLK ↑到DIN被配置为输出
延迟从SCLK ↑到DIN被配置为输入
CAL ↑
忙↑延迟
CONVST ↓
忙↑延迟校准序列
全自校准时间，主时钟依赖
(125013 t
CLKIN
)
内部DAC Plus系统满量程校准时间，主
时钟属（ 111114吨
CLKIN
)
系统失调校准时间，主时钟依赖
(13899 t
CLKIN
)
f
SCLK
t
1 3
t
2
t
兑换
t
3
t
4 4
t
5 4
t
6 4
t
7
t
8
t
9
t
10
t
11
t
125
t
13
t
146
t
15
t
16
t
CAL7
t
CAL17
t
CAL27
笔记
1
在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的
DD
），并定时从1.6 V的电压电平
请参阅表XI和时序图不同的接口模式和校准。
2
马克/空间比主时钟输入为40/60至60/40 。
3
该
CONVST
脉冲宽度将在这里只适用于正常操作。当器件处于关断模式下，不同的
CONVST
脉宽适用
（见掉电部分） 。
4
测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
5
t
12
当装载有图1的电路所测得的数，然后外推导出形式采取的数据输出改变0.5 V的测量时间
背面去除的充电或放电的100pF的电容的影响。这意味着该时间t
12
在时序特性所是真正的公交车
放弃部分的时间，并且独立于总线负载的。
6
t
14
当装载有图1的电路被衍生形式采取的数据输出改变0.5 V的测量的时间测量的数目是再
外推回除去的充电或放电的100pF的电容的影响。这意味着，在时序特性所引述的时间是
该部分在关闭输出驱动器和配置DIN线作为输入的真实延迟。一旦这段时间过去之后，用户可以驱动DIN线
明知不会发生总线冲突。
7
为校准时间指定的典型时间为4MHz的主时钟。对于L版的校准时间将长于这里列出因
1.8 / 1 MHz的主时钟。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
版本B
AD7858/AD7858L
典型时序图
图2和图3显示了典型的读出和写入的有关时序图
2.阅读和写作发生后串行接口模式
转化率在图2中，并在转换于图3中为了
达到100千赫（ AD7858L ）或最大采样率
200千赫（ AD7858 ） ，阅读和写作必须执行
转换为图3中至少有400纳秒采集过程中
时间必须被允许（从BUSY下降沿时间
到的下一个上升沿
CONVST ）
下一次转换前
开始，以确保该部分结算到12位的水平。如果
用户不希望提供
CONVST
信号，所述转换
锡永可以在软件中写入控制寄存器进行初始化。
1.6mA
I
OL
TO
产量
针
+2.1V
C
L
100pF
200 A
I
OH
图1.负载电路的数字输出定时
特定网络阳离子
t
兑换
= 4.6秒以内， 10秒以内L型
t
1
= 100ns的MIN ，
t
4
= 50 / MAX为90ns 5V / 3V ，
t
7
= 40 / 60ns的最小5V / 3V
t
1
CONVST
（I / P）的
t
2
BUSY （O / P）
t
兑换
SYNC
（I / P）的
t
3
SCLK （I / P）的
1
5
t
9
6
16
t
11
t
10
t
12
DB0
三
状态
t
4
DOUT （O / P）
三态
t
6
DB15
t
6
DB11
t
7
DIN（ I / P）
DB15
t
8
DB11
DB0
图2. AD7858 / AD7858L时序图接口模式2 （读/写转换后）
t
兑换
= 4.6秒以内， 10秒以内L型
t
1
= 100ns的MIN ，
t
4
= 50 / MAX为90ns 5V / 3V ，
t
7
= 40 / 60ns的最小5V / 3V
t
1
CONVST
（I / P）的
t
2
BUSY （O / P）
t
兑换
SYNC
（I / P）的
t
3
SCLK （I / P）的
1
5
t
9
6
16
t
11
t
10
t
12
DB0
三
状态
t
4
DOUT （O / P）
三态
t
6
DB15
t
6
DB11
t
7
DIN（ I / P）
DB15
t
8
DB11
DB0
图3. AD7858 / AD7858L时序图接口模式2 （读/写的过程中转换）
版本B
–5–
QQ：2880707522 复制
