【低功耗， 16位/ 24位Σ- Δ型ADC对于桥式传感器AD7796/AD7797特点RMS噪声：】,IC型号EVAL-AD7797EB,EVAL-AD7797EB PDF资料,EVAL-AD7797EB经销商,ic,电子元器件-51电子网

低功耗， 16位/ 24位Σ- Δ型ADC

对于桥式传感器

AD7796/AD7797

特点

RMS噪声： 65纳伏

仪表放大器

温度传感器

内部时钟振荡器

同时50赫兹/ 60 Hz抑制

更新速率： 4.17 Hz至123 Hz的

电流： 250 μA （典型值）

省电： 1 μA

电源： 2.7 V至5.25 V

-40 ° C至+ 85 °C温度范围

独立接口供电

16引脚TSSOP

概述

在AD7796 / AD7797是完整的，高模拟前端

精密，桥接传感器的应用，如电子秤。该

AD7796 / AD7797包含一个Σ -Δ型ADC能16位/ 24位

分辨率分别。芯片上的仪表放大器

具有128的固定增益，从而允许小幅度的信号，例如

来自桥式传感器可直接连接到ADC。

每个部分都有一个差分输入，并包含一个温度

传感器，其在内部连接到ADC。该传感器可

被用来执行电桥的温度补偿。

该装置可与内部时钟或操作

外部时钟。从部件的输出数据速率是软件 -

可编程的，并且可以改变从4.17 Hz至123赫兹。

在AD7796 / AD7797采用2.7 V电源供电

至5.25 V的每个部分消耗250 μA的电流典型的是

采用16引脚TSSOP封装。

接口

3线串行

SPI ， QSPI ， MICROWIRE 和DSP兼容

在SCLK施密特触发器

应用

电子秤

应变片

工业过程控制

仪器仪表

便携式仪表

功能框图

GND AV

AIN（+ ）

AIN（ - ）

REFIN （ + ）

REFIN （ - ）

AD7796 16位ADC

AD7797 24位ADC

串行

接口

和

控制

逻辑

DOUT / RDY

DIN

SCLK

MUX

×128

Σ-Δ

ADC

GND

参考

温度

传感器

国内

时钟

06083-001

AD7796/

AD7797

CLK

图1 。

REV 。一

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AD7796/AD7797

特点................................................. ............................................. 1

接口................................................. ............................................ 1

应用................................................. ...................................... 1

概述................................................ ......................... 1

功能框图............................................... ............... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

时序特性................................................ ..................... 5

时序图................................................ .......................... 6

绝对最大额定值............................................... ............. 7

热阻................................................ ...................... 7

ESD注意事项................................................ .................................. 7

引脚配置和功能说明............................. 8

RMS噪声和分辨率规格.................................... 9

典型性能特征........................................... 10

片内寄存器.............................................. ............................ 11

通信寄存器................................................ .......... 11

状态寄存器................................................ ............................. 12

模式寄存器................................................ ............................. 12

配置寄存器................................................ .............. 14

数据寄存器................................................ ............................... 14

ID寄存器................................................ ................................... 14

偏移寄存器................................................ ............................ 15

满量程注册.............................................. ........................ 15

ADC电路信息............................................... ............... 16

概述................................................. .................................... 16

数字接口................................................ .......................... 17

电路说明................................................ ......................... 20

模拟量输入通道............................................... ................ 20

双极性/单极性配置.............................................. 20

数据输出编码............................................... ................... 20

参考................................................. .................................... 20

复位................................................. ............................................ 21

熔断电流................................................ ....................... 21

监控................................................. ............................ 21

温度监控................................................ ................ 21

校准................................................. .................................. 21

接地和布局............................................... ............... 22

应用................................................. .................................... 23

电子秤................................................ ................................ 23

外形尺寸................................................ ....................... 24

订购指南................................................ .......................... 24

修订历史

8月6日 - 修订版。 0到版本A.

更改表1 .............................................. .............................. 3

图5 ..............................................变化............................ 8

更改表14 .............................................. .......................... 13

7月6日 - 修订版0 ：初始版

版本A |页24 2

AD7796/AD7797

特定网络阳离子

= 2.7 V至5.25 V ， DV

= 2.7 V至5.25 V ， GND = 0 V ，规格全牛逼

民

给T

最大

中，除非另有说明。

表1中。

参数

ADC通道

输出更新速率

无失码

决议

RMS噪声与更新价格

积分非线性

偏移误差

3, 4

失调误差漂移与温度的关系

满量程误差

3, 4, 5

增益随温度漂移

电源抑制

模拟输入

差分输入电压范围

绝对AIN电压限制

共模电压，V

模拟输入电流

平均输入电流

平均输入电流漂移

正常模式抑制

内部时钟

@ 50赫兹， 60赫兹

@ 50 Hz的

@ 60 Hz的

外部时钟

@ 50赫兹， 60赫兹

@ 50 Hz的

@ 60 Hz的

共模抑制

@ DC

@ 50赫兹， 60赫兹

参考

外部REFIN电压

参考电压范围

绝对REFIN电压限制

平均参考输入电流

平均参考输入电流漂移

正常模式抑制

共模抑制

温度传感器

准确性

灵敏度

AD7796B/AD7797B

4.17到123

见表7和表8中

见表6

±10

±1

±10

±3

±V

REF

/128

GND + 300 mV的

1.1

0.5

±250

±2

单位

赫兹NOM

比特分

测试条件/评论

只有AD7797

只有AD7796

ppm的FSR （典型值）的

μV （典型值）

内华达州/ ℃的典型值

μV （典型值）

PPM /°C的典型值

分贝分钟

V NOM

V分钟

V最大

V分钟

pA的最大

PA / ℃的典型值

AIN = 1伏/ 128

REF

= REFIN （+） - REFIN （ - ）

= （ AIN（+ ）+ AIN（ - ））/ 2

更新速率< 100赫兹

分贝分钟

80分贝典型值， 50±1赫兹， 60 ±1赫兹， FS [ 3：0] = 1010

90分贝典型值， 50±1赫兹，FS [3：0 ] = 1001

百分贝典型值， 60 ±1赫兹， FS [ 3：0] = 1000

90分贝典型值， 50±1赫兹， 60 ±1赫兹， FS [ 3：0] = 1010

百分贝典型值， 50±1赫兹，FS [3：0 ] = 1001

百分贝典型值， 60 ±1赫兹， FS [ 3：0] = 1000

AIN = 7.81毫伏

50±1赫兹， 60 ±1赫兹， FS [ 3：0] = 1010

50±1赫兹（FS [3：0 ] = 1001

），60 ±1赫兹，

FS [ 3：0] = 1000

REFIN = REFIN （+） - REFIN （ - ）

2.5

0.1

GND - 30 mV的

+ 30毫伏

400

±0.03

一样的模拟输入

100

±2

0.81

V NOM

V分钟

V最大

V分钟

V最大

NA / V （典型值）

NA / V /°C的典型值

dB典型值

℃，典型值

毫伏/°C的典型值

适用于如果用户校准的温度传感器

版本A |第24 3

AD7796/AD7797

参数

内部/外部时钟

内部时钟

频率

占空比

外部时钟

频率

占空比

逻辑输入

AD7796B/AD7797B

单位

测试条件/评论

64 ± 3%

50:50

45:55至55:45

千赫最小/最大

％（典型值）

千赫NOM

％（典型值）

一个128 kHz时钟可以用来当除以2

功能用于（位CLK1 = CLK0 = 1）

适用于外部64 kHz时钟（ 128千赫

时钟可以具有不那么严格的占空比）

输入低电压，V

INL

输入高电压，V

INH

SCLK， CLK和

DIN （施密特触发输入）

(+)

(–)

(+) V

(–)

(+)

(–)

(+)

(–)

输入电流

输入电容

逻辑输出（包括CLK ）

输出高电压，V

OH2

输出低电压，V

OL2

浮态泄漏电流

浮态输出电容

数据输出编码

系统校准

满量程校准极限

零刻度校准极限

输入范围

电源要求

电源电压

= GND

电源电流

当前

（省电模式）

0.8

0.4

2.0

V最大

V分钟

= 5 V

= 3 V

= 3 V或5 V

1.4/2

0.8/1.7

0.1/0.17

0.9/2

0.4/1.35

0.06/0.13

±10

0.6

0.4

±10

偏移二进制码

1.05 × FS

-1.05 × FS

0.8 × FS

2.1 × FS

V MIN / V最大

μA（最大值）

pF的典型值

V分钟

V最大

μA（最大值）

pF的典型值

= 5 V

= 3 V

或GND

所有数字输入

= 3 V，I

来源

= 100 μA

= 5 V，I

来源

= 200 μA

= 3 V，I

SINK

= 100 μA

= 5 V，I

SINK

= 1.6 MA（ DOUT / RDY ） / 800 μA （ CLK ）

V最大

V分钟

V最大

2.7/5.25

325

V最小/最大

μA（最大值）

250 μA （典型值） @ AV

= 3 V ， 280 μA （典型值） @ AV

= 5 V

温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。

规格未经生产测试，但支持产品初始发布时的特性数据。

以下的校准，这种错误是在噪声对选定的更新速率的顺序。

校准在任何温度下去除这些误差。

满量程误差适用于正反两方面的全面应用，并在出厂时校准条件（ AV

= 4 V，T

= 25°C).

FS [ 3：0]是在模式寄存器用来选择输出字速率的4比特。

数字输入等于DV

或GND 。

版本A |第24 4

AD7796/AD7797

时序特性

= 2.7 V至5.25 V ， DV

= 2.7 V至5.25 V ， GND = 0 V ，输入逻辑0 = 0 V ，输入逻辑1 = DV

中，除非另有说明。

表2中。

参数

1, 2

读操作

在T限制

民

, T

最大

（B版）

100

单位

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

条件/评论

SCLK高脉冲宽度

SCLK低电平脉冲宽度

CS下降沿到DOUT / RDY活动时间

= 4.75 V至5.25 V

= 2.7 V至3.6 V

SCLK有效沿到数据有效延迟

= 4.75 V至5.25 V

= 2.7 V至3.6 V

CS无效沿后的总线释放时间

SCLK无效沿到CS无效沿

SCLK无效沿到DOUT / RDY高

CS下降沿到SCLK有效沿建立时间

数据有效到SCLK边沿的建立时间

数据有效到SCLK边沿保持时间

CS上升沿到SCLK沿保持时间

2 3

5 5, 6

写操作

在初次发布期间样品测试，以确保合规性。所有输入信号均采用t指定

= t

= 5纳秒（10％至90 ％DV的

），并定时从1.6 V的电压电平

参见图3和图4所示。

这些数字是测定图2的负载电路，并根据需要定义为跨越V中的输出时间

或V

极限。

SCLK有效边沿SCLK下降沿边缘。

这些数字是从所采取的数据输出来改变0.5V的所测量的时间推导的时装入图2的电路测量的数目是再

外推回除去的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着，在时序特性所给出的时间是真正的公交车

放弃该部位的时间，并因此，不依赖于外部总线负载电容。

RDY

返回后， ADC的读高。在单次转换模式和连续转换模式，相同的数据可以被再次读取，如果需要的话，同时RDY为高电平。

应注意，以确保后续读取不发生接近下一次输出更新。在连续读取模式下，所述数字字只能被读取一次。

SINK

（ 1.6毫安使用DV

= 5V,

100μA使用DV

= 3V)

产量

针

50pF

来源

（ 200μA使用DV

= 5V,

100μA使用DV

= 3V)

06083-002

1.6V

图2.负载电路的时序特性

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