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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第699页 > EVAL-AD7731EBZ
a
特点
24位Σ- Δ型ADC
16位P-P的分辨率为800 Hz的输出速率
可编程输出率高达6.4 kHz的
可编程增益前端
0.0015 %非线性
缓冲差分输入
可编程滤波截止
FASTStep *
模式的信道序列
单电源供电
应用
过程控制
的PLC / DCS
工业仪器仪表
低噪声,高通量
24位Σ- Δ型ADC
AD7731
概述
的AD7731是一个完整的模拟前端,用于过程控制
应用程序。该装置具有一个专有可编程增益
前端,使得它能够接受的范围内的输入信号范围,
包括低电平信号,可以直接从一个换能器。 Σ-的
该部分的Δ架构由模拟调制器
和低通可编程数字滤波器,从而允许调整
滤波器截止,输出速率和建立时间。
该器件具有三个缓冲差分可编程增益
模拟输入(可配置为五个伪差分
输入),以及一个差分基准输入。该器件能操作
从+5 V单电源阿泰并接受7单极性模拟
登录输入范围: 0 20毫伏, 40毫伏, 80毫伏, 160毫伏,
320毫伏, 640毫伏和1.28 V,七双极性范围:
±
20毫伏,
±
40毫伏,
±
80毫伏,
±
160毫伏,
±
320毫伏,
±
640毫伏和
±
1.28五,从峰值到峰值分辨率可达到直接
的部分是16位的800赫兹的输出速率。该器件可以切换
渠道为1 ms建立时间和保持perfor-之间
13位峰 - 峰值分辨率的曼斯水平。
器件上的串行接口可用于三线配置
操作,并且与微控制器和数字兼容
信号处理器。该AD7731包含自校准和
系统校准选项和功能的更小的失调漂移
大于5纳伏/ ℃,小于2ppm / ℃的增益漂移。
该器件采用24引脚塑料DIP , 24引脚SOIC
和24引脚TSSOP封装。
功能框图
AV
DD
NC
AIN1
AIN2
AIN3
AIN4
AIN5
AIN6
100nA
AGND
串行接口
和控制逻辑
时钟
GENERATION
注册银行
校准
微控制器
MCLK IN
MCLK OUT
MUX
AV
DD
100nA
卜FF器
PGA
DV
DD
REF IN ( - )
REF IN ( + )
AD7731
Σ-Δ A / D转换器
西格玛
DELTA
调制器
可编程
数字
滤波器
待机
SYNC
SCLK
CS
DIN
DOUT
AGND
DGND
POL
RDY
RESET
* FASTStep
是ADI公司的商标。
启示录
0
启示录
A
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 617 / 326-8703
ADI公司,1997
AD7731–SPECIFICATIONS
参数
静态性能( CHP = 0 )
无失码
2
输出噪声和更新价格
2
积分非线性
偏移误差
2
失调漂移与温度的关系
2
失调漂移与时间
5
正满量程误差
2, 6
正满量程漂移与温度
2, 7, 8
正满量程漂移与时间
5
增益误差
2, 9
增益随温度漂移
2, 7, 10
增益漂移与时间
5
双极负满量程误差
2
负满量程漂移与温度
2, 7
电源抑制
11
电源抑制
11
共模抑制( CMR )
11
在AIN
在AIN
在REF IN
模拟输入直流偏置电流
2
模拟量输入DC偏置电流漂移
2
模拟输入直流偏置电流
2
模拟输入直流偏置电流漂移
2
静态性能( CHP = 1 )
2
无失码
输出噪声和更新价格
积分非线性
偏移误差
失调漂移与温度的关系
失调漂移与时间
5
正满量程误差
6
正满量程漂移与温度
7, 8
正满量程漂移与时间
5
增益误差
9
增益随温度漂移
7, 10
增益漂移与时间
5
双极负满量程误差
负满量程漂移与温度
电源抑制
11
电源抑制
11
共模抑制( CMR )
11
在AIN
在AIN
在REF IN
模拟输入直流偏置电流
模拟量输入DC偏置电流漂移
模拟输入直流偏置电流
模拟输入直流偏置电流漂移
模拟输入/基准输入
普通模式50赫兹/ 60 Hz抑制
2
共模50赫兹/ 60 Hz抑制
2
模拟输入
差分输入电压范围
12
( AV
DD
= +5 V, DV
DD
= + 3V或+ 5V ; REF IN ( + ) = + 2.5V ; REF IN ( - ) = AGND ; AGND =
DGND = 0 V ; F
CLK IN
= 4.9152兆赫。所有规格牛逼
给T
最大
除非另有说明)。
单位
比特分
PPM FSR最大的
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
V/1000
Hr
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
V/1000
Hr
PPM /°C的典型值
PPM / 1000人才招聘
μV/°C
典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
nA的最大
PA / ℃的典型值
nA的最大
PA / ℃的典型值
比特分
PPM FSR最大的
内华达州/ ℃的典型值
内华达州/ 1000人才招聘典型值
FS PPM /° C最大值
/ 1000人才招聘ppm的FS的
PPM / ° C最大值
PPM / 1000人才招聘
FS PPM /° C最大值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
nA的最大
PA / ℃的典型值
nA的最大
PA / ℃的典型值
分贝分钟
分贝分钟
失调误差和失调漂移提及两个
单极性偏移和双极性零误差
失调误差和失调漂移提及两个
输入范围= 20毫伏, 40毫伏, 80毫伏, 160毫伏
输入范围= 320毫伏/ 640毫伏/ 1.28 V
条件/评论
SKIP = 0
3
B版本
1
24
参见表Ⅰ和Ⅱ
15
见注4
0.5
1/2/5
2.5
见注4
0.6
1.5/3/6
3
见注4
2
10
见注4
1
90
60
95
85
120
60
150
30
100
24
请参阅表III和IV
15
见注4
5
25
见注4
2
10
见注4
2
10
见注4
2
110
85
110
85
120
50
100
10
50
88
120
输入范围= 20毫伏, 40毫伏, 80毫伏, 160毫伏
输入范围= 320毫伏/ 640毫伏/ 1.28 V
输入范围= 20 mV的
输入范围= 1.28 V
在DC 。输入范围= 20 mV的
在DC 。输入范围= 1.28 V
输入范围= 20 mV的
输入范围= 1.28 V
在DC 。输入范围= 20 mV的
在DC 。输入范围= 1.28 V
50赫兹/ 60赫兹
±
1赫兹。 SKIP = 0
50赫兹/ 60赫兹
±
1赫兹。 SKIP = 0
假设2.5 V或5 V基准电压与海瑞弗
位设置为合适
RN2 , RN1 ,的模式寄存器= RN0 0,0, 1
RN2 , RN1 ,的模式寄存器= RN0 0 ,1,0
RN2 , RN1 ,的模式寄存器= RN0 0 ,1,1
RN2 , RN1 ,的模式寄存器= RN0 1 ,0,0
RN2 , RN1 ,的模式寄存器= RN0 1,0, 1
RN2 , RN1 ,的模式寄存器= RN0 1 ,1,0
RN2 , RN1 ,模式寄存器= RN0 1 , 1 , 1
0至+20或
±
20
0 40或
±
40
0 80或
±
80
0到+160或
±
160
0至320或
±
320
0至640或
±
640
0至1.28或
±
1.28
毫伏NOM
毫伏NOM
毫伏NOM
毫伏NOM
毫伏NOM
毫伏NOM
V NOM
–2–
启示录
A
启示录
0
AD7731
参数
绝对/共模电压
13
参考输入
REF IN ( + ) - REF IN ( - )电压
REF IN ( + ) - REF IN ( - )电压
基准DC输入电流
基准DC输入电流
绝对/共模电压
14
无参考触发电压
逻辑输入
输入电流
所有的输入,除了SCLK和MCLK IN
V
INL
,输入低电压
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
只有SCLK (施密特触发输入)
V
T+
V
T+
V
T–
V
T–
V
T+
– V
T–
V
T+
– V
T–
MCLK IN的
V
INL
,输入低电压
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
V
INH
,输入高电压
B版本
1
AGND + 1.2 V
AV
DD
– 0.95 V
+2.5
+5
5.5
10
AGND - 30 mV的
AV
DD
+ 30毫伏
0.3
0.65
±
10
0.8
0.4
2.0
1.4/3
0.95/2.5
0.8/1.4
0.4/1.1
0.4/0.85
0.4/0.8
0.8
0.4
3.5
2.5
单位
V分钟
V最大
V NOM
V NOM
A
最大
A
最大
V分钟
V最大
V分钟
V最大
A
最大
V最大
V最大
V分钟
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V最大
V最大
V分钟
V分钟
V最大
V最大
V分钟
V分钟
A
最大
pF的典型值
nA的NOM
nA的NOM
% (典型值)
%/℃ (典型值)
V最大
V最大
V分钟
V分钟
V最大
FS是额定满量程电压( 20 mV时,
40毫伏, 80毫伏, 160毫伏, 320毫伏, 640毫伏, 1.28 V)
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3 V
的模式寄存器海瑞弗位= 0
的模式寄存器海瑞弗位= 1
的模式寄存器海瑞弗位= 0
的模式寄存器海瑞弗位= 1
条件/评论
无参考位有效VREF如果低于这个电压
无参考位无效。如果VREF电压高于该电压
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3 V
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3 V
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3 V
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3 V
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3 V
I
SINK
= 800
A
除MCLK OUT
15
.
V
DD16
= +5 V
I
SINK
= 100
A
除MCLK OUT
15
.
V
DD16
= +3 V
I
来源
= 200
A
除MCLK OUT
15
.
V
DD16
= +5 V
I
来源
= 100
A
除MCLK OUT
15
.
V
DD16
= +3 V
逻辑输出(包括MCLK OUT )
0.4
V
OL
,输出低电压
V
OL
,输出低电压
V
OH
,输出电压高
V
OH
,输出电压高
浮态泄漏电流
浮态输出电容
3
换能器BURNOUT
17
AIN1 ( + )电流
AIN1 ( - )电流
初始容差25°C
漂移
系统校准
正满量程校准极限
18
负满量程校准极限
18
偏移校准限制
19
输入范围
19
电源要求
电源电压
AV
DD
- AGND电压
DV
DD
电压
电源电流
AV
DD
电流(正常模式)
DV
DD
电流(正常模式)
DV
DD
电流(正常模式)
AV
DD
+ DV
DD
电流(待机模式)
功耗
普通模式
待机模式
0.4
4.0
DV
DD
– 0.6 V
±
10
6
–100
100
±
10
0.1
1.05
×
FS
–1.05
×
FS
–1.05
×
FS
0.8
×
FS
2.1
×
FS
+5
2.7至5.25
10.3
1.7
3.2
25
67.5
125
V NOM
V MIN到V最大
最大mA
最大mA
最大mA
A
最大
毫瓦MAX
W
最大
与AGND = 0 V
外部MCLK 。数字I / PS = 0 V或DV
DD
DV
DD
2.7 V至3.3 V
DV
DD
4.75 V至5.25 V
通常10
A.
外部MCLK IN = 0 V或DV
DD
AV
DD
DV
DD
= + 5V数字I / PS = 0 V或DV
DD
通常50
W.
外部MCLK IN = 0 V或DV
DD
第0版
启示录
A
–3–
AD7731
笔记
1
温度范围: -40 ° C至+ 85°C 。
2
在初次发布期间样品进行测试。
3
与热电联产= 0,跳过无失码性能= 1是22位。
4
的偏移量(或零)的数字与CHP = 0可高达1毫伏precalibration 。内部零电平校准减少这2
V
典型的。胶印与数字CHP = 1是典型的
3
V
precalibration 。内部零电平校准约1降低此
V.
系统零电平校准使失调的数字与热电联产= 0和热电联产= 1的顺序
噪声。增益误差可高达3000ppm的precalibration与热电联产= 0和热电联产= 1,执行内部满量程校准所有的输入范围,除了20 mV至40 mV的输入
范围减小了增益误差小于100ppm 。当20 mV或40 mV的范围内工作,内部满量程校准应在80 mV的输入范围与执行
小于250ppm的一个得到的增益误差。系统满量程校准减少了对所有输入的增益误差的范围内的噪声的顺序。正,负满量程误差可
从偏移和增益误差计算出来的。
5
在部分的寿命试验中产生这些数字。
6
正满量程误差包括零刻度误差(单极性偏移误差或双极性零误差),并适用于单极性和双极性输入范围。参见术语。
7
校准在任何温度下将删除这些错误。
8
满量程漂移包括零刻度漂移(单极性偏移漂移或双极性零漂移),并适用于单极性和双极性输入范围。
9
增益误差是在传递函数中的任何两个点之间的测量和理想跨度之间的差异的量度。这两个点使用来计算增益误差是
正满量程和负满量程。参见术语。
10
增益误差漂移是一个跨度漂移,实际上是一部分的漂移,如果零刻度校准只进行。
11
电源抑制和共模抑制比,这里给出的上部和下部的输入电压范围。甩可近似为线性变化(以dB)为
这些值的其它输入范围之间。
12
( - )输入端上的AIN(+ )输入端的模拟输入电压范围相对于在各自的AIN电压给出。
13
适用的设置在输入对的共模电压范围的绝对输入电压规范被遵守。
14
基准输入对的共模电压范围( REF IN ( +)和REF IN ( - ) )适用条件为,绝对输入电压规格为服从。
15
这些逻辑输出电平适用于仅当它被装入一个单一的CMOS负载的MCLK OUT输出。
16
V
DD
指的是DV
DD
所有的逻辑输出期望D0和D1它指的是AV
DD
。换句话说,输出逻辑高,这两个输出通过AV确定
DD
.
17
见倦怠当前部分。
18
校准后,如果输入电压超过正满量程时,转换器将输出全1 。如果输入的是小于负满刻度,则该设备输出全部为0。
19
这些校准和量程限制适用于所提供的绝对输入电压规格为服从。偏移校准限制既适用于单极零点和双极
零点。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
时序特性
参数
主时钟范围
t
1
t
2
读操作
t
3
t
4
t
5 4
t
5A4, 5
t
6
t
7
t
8
t
9 6
t
10
写操作
t
11
t
12
t
13
t
14
t
15
t
16
1
5
50
50
0
0
0
60
80
0
60
80
100
100
0
10
80
100
0
30
25
100
100
0
1, 2
( AV
DD
= 4.75 V至5.25 V ; DV
DD
= +2.7 V至5.25 V ; AGND = DGND = 0 V ;
单位
兆赫分钟
兆赫最大
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
条件/评论
对于指定的性能
SYNC
脉冲宽度
RESET
脉冲宽度
f
CLK IN
= 4.9152兆赫;输入逻辑0 = 0 V ,逻辑1 = DV
DD
除非另有说明)
在T限制
, T
最大
(B版)
RDY
to
CS
建立时间
CS
下降沿到SCLK有效沿建立时间
3
SCLK有效沿到数据有效延迟
3
DV
DD
= 4.75 V至5.25 V
DV
DD
= + 2.7V至+ 3.3V
CS
下降沿到数据有效延迟
3
DV
DD
= 4.75 V至5.25 V
DV
DD
= + 2.7V至+ 3.3V
SCLK高脉冲宽度
SCLK低电平脉冲宽度
CS
上升沿到SCLK无效沿保持时间
3
总线释放时间后SCLK无效沿
3
SCLK有效沿到
RDY
3, 7
CS
下降沿到SCLK有效沿建立时间
3
数据有效到SCLK边沿的建立时间
数据有效到SCLK边沿保持时间
SCLK高脉冲宽度
SCLK低电平脉冲宽度
CS
上升沿到SCLK边沿保持时间
笔记
1
在初次发布期间样品测试,以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10%的规定(以90 %的DV
DD
),并定时从1.6 V的电压电平
2
参见图15和16 。
3
SCLK有效边沿SCLK下降沿与POL = 1的边缘; SCLK有效边沿SCLK上升沿与POL = 0的优势。
4
这些数字是测量图1所示的负载电路,并根据需要定义为跨越V中的输出时间
OL
或V
OH
极限。
5
本规范只发挥了作用,如果
CS
变低SCLK为低电平时( POL = 1 ) ,或者
CS
变低时, SCLK为高电平( POL = 0 ) 。它是必需的,主要用于连接
DSP的机器。
6
这些数字是从所采取的数据输出时,装载有图1的电路所测得的数是然后改变0.5V的所测量的时间外推而得
迟来回除去的充电或放电的50 pF电容的效果。这意味着,在时序特性所给出的时间是真正的总线释放的时代
的一部分,因此是独立的外部总线负载电容。
7
RDY
返回从器件的输出更新之后的第一次读取后高。同样的数据可以被再次读取,如果需要的话,同时
RDY
是高的,虽然应注意这
后续读取不发生接近下一次输出更新。
–4–
第0版
启示录
A
AD7731
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
AV
DD
到AGND ................................................ .. -0.3 V至+7 V
AV
DD
到DGND ................................................ .. -0.3 V至+7 V
DV
DD
到AGND ................................................ .. -0.3 V至+7 V
DV
DD
到DGND ................................................ .. -0.3 V至+7 V
AGND至DGND ............................................... -5 V至0.3 V
AV
DD
以DV
DD
.................................................. ..... -2 V至+5 V
模拟输入电压至AGND ........... -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
基准输入电压至AGND ....... -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
AIN / REF IN电流(不定) .................................... 30毫安
数字输入电压至DGND ............ -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
数字输出电压DGND ......... -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
输出电压( D0 , D1 ),以DGND ...... -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
工业(B版) ....................................... -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围............................ -65 ° C至+ 150°C
结温................................................ ..... + 150°C
塑料DIP封装,功耗........................ 450毫瓦
θ
JA
热阻抗............................................... 105 ° C / W
引线温度(焊接, 10秒) ............................ + 260℃
TSSOP封装,功耗.............................. 450毫瓦
θ
JA
热阻抗............................................... 128 ° C / W
焊接温度,焊接
气相( 60秒) ............................................ .......... + 215℃
红外( 15秒) ............................................. ................ + 220℃
SOIC封装,功耗................................ 450毫瓦
θ
JA
热阻抗................................................ 75° C / W
焊接温度,焊接
气相( 60秒) ............................................ .......... + 215℃
红外( 15秒) ............................................. ............... + 220℃
*注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。实用
该设备在这些或以上的任何其他条件,在上市运作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
订购指南
模型(Z =符合RoHS )
AD7731BN
AD7731BNZ
AD7731BR
AD7731BR-REEL
AD7731BR-REEL7
AD7731BRZ
AD7731BRZ-REEL
AD7731BRZ-REEL7
AD7731BRU
AD7731BRU-REEL
AD7731BRU-REEL7
AD7731BRUZ
AD7731BRUZ-REEL
AD7731BRUZ-REEL7
EVAL-AD7731EBZ
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
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包装说明
24引脚PDIP
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24引脚SOIC_W
24引脚SOIC_W
24引脚SOIC_W
24引脚SOIC_W
24引脚SOIC_W
24引脚SOIC_W
24引脚TSSOP
24引脚TSSOP
24引脚TSSOP
24引脚TSSOP
24引脚TSSOP
24引脚TSSOP
评估板
I
SINK
( 800μA AT DV
DD
= +5V
100μA AT DV
DD
= +3V)
封装选项
N-24-1
N-24-1
RW-24
RW-24
RW-24
RW-24
RW-24
RW-24
RU-24
RU-24
RU-24
RU-24
RU-24
RU-24
符合RoHS
No
是的
No
No
No
是的
是的
是的
No
No
No
是的
是的
是的
是的
输出
50pF
+1.6V
I
来源
( 200μA AT DV
DD
= +5V
100μA AT DV
DD
= +3V)
图1.负载电路的访问时间和总线释放时间
ESD警告
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路,永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议,以避免性能
下降或功能丧失。
启示录
A
REV 。一
‐5‐
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