EV6R11
IX6R11半桥驱动器评估板
特点
单芯片用于驱动高/低边MOSFET /
IGBT的
高至600V的低压侧隔离
共模dv /更大dt抗扰性比
50V/nanosecond
欠压闭锁
优化的电源电路设计
高压侧自举电源
插座的续流快速恢复二极管
（ FREDS ）
功率级利用的灵活性
5V兼容的HCMOS与滞后输入逻辑
保护从半的交叉传导
桥
简单，快捷，低成本的方法评价
与设计
选择使用IXDP630与RC振荡器或
IXDP631与晶体振荡器的改进死
时间精度。
与附加的能力三相操作
另外从驱动板。
介绍
该EV6R11 KIT实现单电源相位腿
电路上的双面PCB ，使用ISOSMART
TM
半桥驱动器芯片组 - IX6R11and IXDP630
死区时间发生器。该评估板包括一个
组装与测试的PCB有两个功率器件。刚
按照本文档中的说明和连接
板到负载和电源。
任何电源电路布局敏感。这种布局
PCB是一个久经考验的，工作布局。设计师邀请
复制此布局在他的系统中，按照
评估驱动器芯片组的。
大多数系统各不相同的功率电平要求，
因此，在功率器件中使用。由于这一事实，并
在功率器件的可用性波动，该套件将不
总是包含相同的功率器件。设计师是
鼓励使用所需要的功率器件
他的系统。被包围的设备只为服务
初步评估。
图1 ： EV6R11组装好的PCB采用S3套餐
版权所有 IXYS公司2003
首次发行
EV6R11 KIT
示意图：
P1引脚
P1-1
P1-2
P1-3
P1-4
P1-5
P1-6
P1-7
P1-8
GND
P1-9 N / C
HIN
P1-10 + VCL
LIN
P1-11 + VCL
VDD电源线P1-12 LS （ VCL GND ）
ENB低电平有效P1-13 LS （ VCL GND ）
PWM IN
+ 5V的IXDB630
外置驱动器630
P1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
DC部总
TESTPO INT
R9
10
D1
ü F- 1007 DIC牛逼
C7
11
C8
。 1UF
C12
。 1UF
2
8
6
9
R2
5.11
1
3
Q2
IXF H7N 90Q
D3
1
+
10 UF 35V
Q2- S
TES TPO INT
C9
。 1UF 1K V
13
3
9
Q1
TES TPO INT
U4
HS
HS
7
10
2
2
1
4
18
R1
5.11
1
3
D2
Q1
IXF H7N 90 Q
1
14
1
HI
李
LS GN
测试点
R 14开
1
1
C1
10 UF 35V
C2
13
。 1UF
3
U1
LM78L05 AC
EN B
VC L
VD
3
IN
我X6 R1 1S 3
。 1UF
C1 1
2
+
C10
10 UF 35V
C13
。 1UF
U3
VC
HGO
HS
HS
GN
R1 0
OU牛逼
7
1
+
LGO
LS
LS
N / C
N / C
N / C
DG
1
2
16
12
HI
李
4 9.9
C3
.01UF
C5 = 27 pF对于IXDP630
C5 = 22 pF对于IXDP631
R 3 = 1 K FO R I的XD P6 30
R3 = 1M F或IX DP 63 1
C6
22PF
14
15
C4
。 1UF
27P F（ 2的2pF ）
Y1
XM / S M
R3
1K / 1M
L OA Y 1 ， C 6 F或IXD P63 1
C5
VD
VC L
VC
10
4
5
15
R1 1 4 .02K
R1 2 4 .02K
R 6 10K
HGO
8
EN B
TP 5
TP 6
CIN / XTLI
R
S
T
SC OU牛逼
VC
1
TP 2
16
R 7 1K
1
3
5
我X6 R1 1S 6
1
18
10
11
1
TP 1
LGO
LS
LS
TU
TL
SU
SL
RU
RL
13
12
15
14
17
16
1
TP3
1
Q3
2N 700 0
1
3
Q4
2N 7000
3
JP1
N / C
N / C
N / C
ENAS
ENAT
17
11
（死定时器）
1
JP 2
8
GN
ENAT
R 13 JUM pered
RE SET （AC TIV低辐射LOW ）
R 5 10K
9
R 15 JUM pered
2
7
OUTEN一
R 16开
图3 ： EV6R11 PCB原理图
示意图说明：
这是一个演示板，并已被设计为灵活性和易用性。该
示意图显示所有选项，但并不意味着下令在PCB配置为这样的。该
印刷电路板将被装入无论是IX6R11S3 16引脚SOIC封装（ U3 ）或IX6R11S6 18针
SOIC封装与散热片（ U4 ） 。所述续流二极管，D2和D3 ，也没有包括被
但如果IGBT的使用进行安装。
排序：
EV6R11S3
EV6R11S6
PCB与IX6R11S3 16引脚SOIC封装IC
PCB与IX6R11S6 18引脚SOIC封装的IC与散热片
2
12
5
6
R 4 10K
6
2
IXD P630 / 631
DG
4
N / C
ENAS
2
R 8 1K
ENAR
U2
TP4
LS
EV6R11 KIT
组件：
图3是在一个完整的示意图
设计套件。这个示意图显示的应用
对您使用的MOSFET 。当IGBT的使用，
续流二极管（ D2&D3 ）一般
补充说。
要操作的PCB ，只需焊接包括
MOSFET功率器件和C9或DE-安装
特定于应用程序的恶习。注意门漏
电力设备时的源极引脚方向
安装在PCB上。 C9尚未安装
由于其较高的知名度和可能的铅的损害。
了。抖动，然后产生的驱动信号“开启”
时间重叠成死区时间。在实际的限制
值很快就与时序达到康波
堂费R3和C5的，因为它们被调整的COM
借以补偿在驱动频率降低的时期。
有可能“过驱动”的同一个IXDP630
外部时钟信号加到10针减少
死区时间还要比什么是可能的
R3和C5 。要做到这一点，从去除R3 ， C5
板和安装一个50欧姆的负载电阻
位置R10 。焊盘被设置
在R 10至直接焊接同轴电缆的端部
向董事会。该IXDP630可以在被驱动
多余的50MHz的。
g)
在IXDP630死区时间发生器是一个5V
HCMOS器件。加在IXDP630的
评估板是部分为了方便
提供双互补的驱动信号。该
IXDP631是的性能扩展
IXDP630并且可以根据需要加入的
用户。但是没有可用的部件号
对于IXDP631加载评估板和
用户必须单独申请IXDP631样本。
请注意，阈值电平必须是转播
选择服务的前端逻辑电源电压，
电源电压。为了提高阈值电平flex-
ibility ，该PCB采用了电平转换
电路Q3和Q4 。至于配置方面，三
终端+ 5V稳压器， U1 ，提供电源
在IXDP630和翻译家的电路，这意味着
该Vdd的应大于8V ，以防止
稳压辍学。请注意，这仅仅是
一种方式来配置电路板和被选择
提供一个快速，简单的方法在上手
设计阶段。
注意事项：
a)
IC和功率器件是静态的敏感
略去与需要特殊处理。
b)
使用任何电源设备，是适合你的
应用程序。印刷电路板被设计成接受
设备与TO- 247和TO- 264封装。两
IXYS功率器件都包含在试剂盒中。 D2
和D3需要仅当Q1和Q2是IGBT ，
因此不包括在试剂盒中。 （A recom-
议书的D2 & D3是在材料清单） 。
c)
使用的内部连接的任何方便的方法
化在LS_GND ， Q1 -D ， Q2 -S ， DC_BUS 。该
孔间距为5.08毫米，并适用于大多数的COM
周一接线端子。 （A代表建议
连接器，印刷电路板将接受的是，条例草案
材料与可从Digi-Key
除其他来源） 。
d)
对于半桥应用中，插入跳线
与Q1 -D和Q2 -S 。
e)
栅极电阻器R1和R2 ，将取决于
所使用的电力设备的尺寸。 5.11欧姆
电阻器的安装也应该适用于大多数
应用程序。
f)
IXDP630死区时间由定时设置
部件3和C 5和固定在大致
1微秒。看到IXDP630数据表
的死区时间的计算和修改
值。还必须注意的是，死时间开始
冲击驱动信号的驱动频率变
3
EV6R11 KIT
数据表：
下面的列表提供直接的网络链接包括在此板的IXYS设备。
请访问IXYS网站www.ixys.com整个IXYS产品的完整概述
线。
IX6R11半桥驱动器IC：
http://www.ixys.com/99037.pdf
IXDP630数码死区时间发生器：
http://www.ixys.com/98568.pdf
IXFH 7N90Q功率MOSFET的：
http://www.ixys.com/98645.pdf
材料清单
参考数量。描述
U1
U2
U3
U4
D1
U2
Q1, 2
Q3, 4
R1, 2
R4, 5, 6
R3, 7, 8
R9
R11, 12
R13, 15
C1,7,10
C2,4,8,11,12,13
C3
C5
C9
P1
不包括：
U2
D4, D5
P2
R3
R10
C5, 6
Y1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
3
3
1
2
2
3
6
1
1
1
1
1
2
1
1
1
2
1
+ 5V稳压器
死区时间发生器IC
16引脚半桥驱动器
18引脚半桥驱动器
1A ， 1000V高速二极管
18针插座
高压功率MOSFET
开关MOSFET
5.11欧姆， 1/4瓦的电阻
10K欧姆， 1/4瓦的电阻
1K欧姆， 1/4瓦的电阻
10欧姆， 1/4瓦的电阻
4.02K欧姆1/4瓦的电阻
绝缘导线跳线
为10uF ， 35V ，铝电解帽
一个0.1uF ， 50V ，陶瓷帽
的0.01uF ， 50V ，陶瓷帽
27pF ， 50V ，陶瓷帽
0.1uF的， 1000V ，陶瓷帽
13针接头连接器
水晶基于死区时间发生器
12A ， 1000V快恢复二极管
4针端子板
1M欧姆， 1/4 W IXDP631 OSC负载电阻
50欧姆， 1/4 Ω负载电阻
晶体负载电容22pF的陶瓷50V
晶体IXDP631操作
MFR 。
国家半导体。
IXYS
IXYS
IXYS
二极管公司
阿斯曼
IXYS
摩托罗拉
产品编号
LM78L05ACZ
IXDP630
IX6R11S3
IX6R11S6
UF1007DICT
A18-LC-TT
IXFH7N90Q
2N7000
松下
松下
松下
斯普拉格
伯格
IXYS
IXYS
爱而泰公司
松下
Pletronics
10GAP10
68000-236
IXDP631
DSEI12-10A
AKZ250/4
4
EV6R11 KIT
操作：
对于绩效考核和电源
系统的设计，请注意以下几点：
a)
组装板可以与运行
IXDP630应用互为删除
tary 5V方波适当"dead time"
到输入引脚HIN （ P1-2 ）和LIN （ P1-3 ） 。
对于标准IXDP630操作，
R3和C5的值已经上市
材料清单。这些值是对于demon-
共探，这可能不适合你
应用程序，并根据需要可以改变。
对于IXDP631操作，装载R3 ，C5，C6与
推荐的负载组件输出
沿着两旁的IXDP630 / 631数据表
随着晶体在所选择的频率。 R3
和C5服务于双重目的，这取决于
这死定时器使用。
该IXDP630是硬相位'R'
操作时，见631分之630数据表，用针
OUTENA ， ENAR和RESET拉高。
PWM驱动器的输入信号为'R'相AP-
合股P1-6 。
要添加阶段的“S”和/或“T” ，使
在JP1和/或JP2跳线相和
适用于三相PWM驱动信号TP5和/或
TP6采取相应的互补
从TP1输出通过TP4 。需要注意的是TP1-
TP6是贯通孔对已垫
加入董事会担任便捷
焊料和/或测试点。
b)
该IX6R11提供了广泛的
灵活性与它的供电需求。
然而，阈值电平，必须遵守
在以HIN的Vdd之间的关系，
LIN在选择电源时的值
最终的设计。器件的传播延迟
还可以通过观察相对最小化
电源之间的值。
c)
小心地连接。避免
接地环路。在一般情况下，连接的理由
如图4 ，以尽量减少地面
反弹效应。这是特别重要
当三个"High /低侧驱动器设计kits"
与单个IXDP630连接在一起
以形成三相驱动系统中，如
即，如图5所示。
d)
使用PCB全功率或AT-前
诱人的短路测试，确保一
适当的高电压电解电容
连接DC BUS和GND之间的
在图4中示出导致这个电容器
应尽可能的短，以减少
任何杂散电感。
e)
图4示出了终止点处的负载
A.这点可以连接到一个数
的地方取决于应用。为
例如：连接到地将测试
高侧器件。连接到DC总线将
测试低侧器件。它也可以CON组
可连接到电容的中心点
分频器（ UPS系统） 。
f)
图5示出了三相电力系统
实施与配置在Y的负载
（星） 。它也可以在一个DELTA配置
配置。请注意，接地
方案。切"ground之间的连接
在康波平面2"和"ground平面4"
PCB的堂费边和焊接一个10欧姆
这些接地平面之间的电阻。该
每块板的接地端接到一个单
地面点。
5
QQ：2880707522 复制
