EV1320QI
2A源出/吸入电流DDR内存
终端转换器
描述
该EV1320QI是DC到DC转换器特别
专为存储器终端应用。该
器件提供高效率，高达96 ％，而
提供类似的线性的溶液足迹
终端设备。
该EV1320QI是在一个3× 3× 0.55毫米
QFN 16引脚封装，只需要一个小
外部MLCC电容器数量。该装置是
设计直接从VDDQ电源来操作
轨。无需外部分压器或引用是必需的。该
EV1320QI提供了一个非常稳定的输出电压
（ VTT）跟踪VDDQ而下沉和采购
最多的连续输出电流2A 。最多4个
EV1320QI器件可以并联，以提供高达
8A电流。一个与输出放电ENABLE引脚
可用于S3 （挂起到内存）状态。
EV1320QI是专门设计来满足精确
电压，目前的快速瞬态要求，
未来的高性能， DDR2，DDR3 ，和低
电源JEDEC DDR4 VTT要求。先进
电路技术和高开关频率
提供高品质，结构紧凑，非隔离DC- DC
转换。
特点
高效率，高达96％
40mm
2
总体解决方案尺寸
无需外部电感要求
符合JEDEC DDR2 / 3 / QDR和低功耗
4 DDR解决方案
使能引脚与输出放电到支持S3
（挂起到内存）模式
从VDDQ直接操作
VOUT （ VTT ）电压跟踪VDDQ / 2 ± 40mV以内
源和吸收高达2A的连续电流
平行四台设备为8A电流VTT
可编程软启动/软关机
成本效益的集成解决方案
热过载，过流，短路，
和欠压保护
符合RoHS ， MSL等级3 ， 260℃回流焊
应用
VTT总线终端支持DDR2 ， DDR3 ，低
动力DDR4和QDR记忆
EF网络效率与输出电流
98
96
94
效率（％）
92
90
88
86
84
82
80
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1 1.2 1.4
输出电流（A ）
1.6
1.8
2
VTT = 0.9V
VTT = 0.75V
VTT = 0.6V
条件
AV
IN
= 3.0V
VDDQ = 2 * VTT
图1 。
简化应用电路
图2中。
最高效率的最小解决方案尺寸
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EV1320QI
订购信息
产品型号
EV1320QI
EV1320QI-E
包装标志
EV1320QI
EV1320QI
额定温度（ °
C)
-40至+85
包装说明
16引脚（3mm x 3mm的X 0.55毫米） QFN T&R
QFN评估板
引脚分配（顶视图）
VDDQ
VDDQ
保护地
图3：
引脚输出图（俯视图）
注一：
阴影区的亮点裸露的金属包装，是不是要机械或电气下方
连接到PCB 。请参考图10的详细信息。
注B：
白色左上角“点”是在器件封装的顶部插针1标记。
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7, 8
9,10
11,12
13,14
15,16
名字
NC
AVIN
启用
POK
SS
AGND
保护地
C1N
VOUT
C1P
VDDQ
保护地
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功能
该引脚在内部没有连接。可以用作VDDQ铜的部分，以优化
布局。否则，请将此引脚开路。见图9 。
输入电源的内部控制和保护电路
输入使能。施加一个逻辑高电平使能输出，并启动软启动。应用逻辑
禁用低排放和输出。能够通过内部连接到AVIN和地
一个100K的电阻分压器。离开启用浮动会导致电压的一半AVIN的。
VTT OK标志。这是一个开漏输出，通常拉至AVIN 。离开，如果不使用浮动。
软启动引脚。连接该引脚和AGND之间的软启动电容。
安静的地面模拟电路。通过旁边销连接到所述接地平面具有一个。
电源地。这些端子连接到所述输入和输出滤波器的接地电极
电容器。请参见布局建议的更多细节。
将1个22μF和1 C1N和C1P之间的X 10μF X5R MLCC电容。
VTT电压= ＆ frac12 ; VDDQ 。
将1个22μF和1 C1N和C1P之间的X 10μF X5R MLCC电容。
VDDQ电压; VOUT （ VTT ）跟踪该电压。
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EV1320QI
绝对最大额定值
注意事项：
绝对最大额定值的压力额定值只。超出推荐工作的功能操作
条件是不是暗示。应力超过绝对最大额定值可能会影响设备的使用寿命。暴露在绝对
长时间的最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
参数
在AVIN电压
在C1P电压， C1N
在AGND ， PGND电压
在VDDQ电压
在VOUT电压
在POK电压
在SS电压
电压ENABLE
存储温度范围
最大工作结温
回流焊温度， 10秒， MSL3 JEDEC J -STD- 020A
ESD额定值（基于人体模型） ：所有引脚
ESD额定值（基于带电器件模型）
符号
民
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
最大
4.0
2.0
AVIN + 0.3
2.2
VDDQ + 0.3
AVIN + 0.3
AVIN + 0.3
AVIN + 0.3
150
150
260
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°
C
°
C
°
C
V
V
TSTG
TJ -ABS最大
-65
2000
500
推荐工作条件
参数
工作结温
工作环境温度
符号
T
J
T
A
民
-40
-40
最大
+125
+85
单位
°
C
°
C
热特性
参数
热阻：结到环境（ 0 LFM ） （注1 ）
热关断
热关断迟滞
符号
θ
JA
T
SD
T
SDH
典型值
50
150
25
单位
°
C / W
°
C
°
C
注1 ：
基于2盎司外部铜层，并在与EIJ / JEDEC JESD51-7标准线适当的散热设计
高导热性的板。
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EV1320QI
电气特性
注： AVIN = 3.3V ; VDDQ = 1.5V 。最小值和最大值都在工作环境温度范围内，除非
另有说明。典型值是在T
A
= 25°C.
参数
VDDQ电压范围
AVIN电压范围
VTT跟踪
DC精度
（注2 ）
欠压
锁定; AVIN上升
欠压
锁定; AVIN下降
AVIN关机
电源电流
VDDQ关机开机
电源电流
AVIN空载
工作电流
VDDQ空载
工作电流
开关频率
POK门槛
目前采购
POK门槛
目前采购
POK低电压
POK脚V
OH
泄漏
当前
输出阻抗
连续输出
电流;
过电流跳闸
水平
启用阈值
逻辑低
启用阈值
逻辑高
使能输入电流
符号
VDDQ
AVIN
VTT
测试条件
民
0.95
3.0
0.49*
VDDQ
40
典型值
1.5
3.3
最大
1.8
3.465
0.51*
VDDQ
+ 40
单位
V
V
mV
AVIN=3.3V±5%
0A
≤
I
VTT
≤
2A
V
UVLO
V
UVLO
I
S
I
S
I
AVIN
I
VDDQ
F
SW
V
OUT
升起
V
OUT
落下
I
SINK
= 1毫安
AVIN = 3.3V
POK高
R
OUT
I
_Max_Source
I
OCP
ENA_VIL
ENA_VIH
V
OUT
/I
负载
VDDQ=1.5V
AVIN=3.3V
AVIN=3.3V
最大电压，以确保在转换器
已禁用
3.0V
≤
AVIN
≤
3.46V
AVIN -
0.5
ENABLE =低
ENABLE =低
AVIN=3.3V
AVIN=3.3V
500
2.5
2.2
600
200
6
750
625
95
85
0.15
0.4
25
20
-2
±4.5
0.3
AVIN
100
200
2
750
V
V
A
A
mA
A
千赫
%
%
V
A
m
A
A
V
V
A
注2 ：
测量在大容量电容，在EV1320QI评估电路板的边缘。符合JEDEC DDR2和
DDR3 VDDQ的跟踪规范。
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典型性能曲线
EF网络效率与输出电流
98
96
94
EF网络效率与输出电流
98
96
94
效率（％）
92
90
88
86
84
82
80
2
VTT = 0.9V
VTT = 0.75V
VTT = 0.6V
效率（％）
92
90
88
86
84
82
80
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1 1.2 1.4
输出电流（A ）
1.6
1.8
VTT = 0.9V
VTT = 0.75V
VTT = 0.6V
条件
AV
IN
= 3.0V
VDDQ = 2 * VTT
条件
AV
IN
= 3.3V
VDDQ = 2 * VTT
1.6
1.8
2
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1
1.2 1.4
输出电流（A ）
EF网络效率与输出电流
98
96
94
效率（％）
VTT （ V）
输出电压与输入电压
1.00
0.95
LOAD = 0A
0.90
负载= 1A
0.85
负载= 2A
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
条件
0.55
AVIN = 3.0V
0.50
0.45
注： VTT的测量是在评价上板边缘大宗帽
0.40
1.00 1.10 1.20 1.30 1.40 1.50 1.60 1.70 1.80
VDDQ （ V）
92
90
88
86
84
82
80
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1 1.2 1.4
输出电流（A ）
1.6
1.8
2
VTT = 0.9V
VTT = 0.75V
VTT = 0.6V
条件
AV
IN
= 3.6V
VDDQ = 2 * VTT
输出电压与输入电压
1.00
0.95
LOAD = 0A
0.90
负载= 1A
0.85
负载= 2A
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
条件
AVIN = 3.3V
0.55
0.50
0.45
注： VTT的测量是在评价上板边缘大宗帽
0.40
1.00 1.10 1.20 1.30 1.40 1.50 1.60 1.70 1.80
VDDQ （ V）
输出电压与输入电压
1.00
0.95
LOAD = 0A
0.90
负载= 1A
0.85
负载= 2A
0.80
0.75
0.70
0.65
条件
0.60
AVIN = 3.6V
0.55
0.50
0.45
注： VTT的测量是在评价上板边缘大宗帽
0.40
1.00 1.10 1.20 1.30 1.40 1.50 1.60 1.70 1.80
VDDQ （ V）
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VTT （ V）
VTT （ V）
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