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ESM765PI-800
恢复整流二极管
主要特色产品
I
F( AV )
V
RRM
Tj max的
V
F
(最大)
TRR (最大值)
特点
高电压能力
快速软恢复
的规格和曲线
使TRR的测定
RM
在100℃以下的用户
条件
电机控制和变频器
开关模式电源
绝缘封装形式:TO - 220AC
绝缘电压= 2500 V
RMS
K
10 A
800 V
150°C
1.35 V
300纳秒
A
绝缘TO- 220AC
描述
适用于在应用程序中快速恢复整流器
结合superswitch晶体管。
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
P
合计
T
英镑
Tj
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
功耗
存储温度范围
最大工作结温
TC = 100℃
δ
= 0.5
TP = 10毫秒
正弦
TC = 100℃
tp
20s
价值
800
16
10
120
20
- 40 + 150
+ 150
单位
V
A
A
A
W
°C
1999年8月 - 埃德: 2B
1/4
ESM765PI-800
热阻
符号
R
日(J -C )
结到外壳
参数
价值
3.5
单位
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
V
F
**
参数
反向漏电流
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
TJ = 100℃
脉冲测试: * TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
** TP = 380
s, δ
& LT ; 2 %
分钟。
典型值。
马克斯。
20
1
1.4
1.35
单位
mA
mA
V
V
R
= V
RRM
I
F
= 10 A
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 1.2 ×1
F( AV )
+ 0.015 ×1
F2(RMS)
V
F
= 1.2 + 0.015 I
F
恢复特性
符号
TRR
QRR
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
测试条件
I
F
= 1A
dI
F
/ DT = - 15A / μs的
V
R
= 30V
V
R
= 200V
2.3
分钟。
典型值。
马克斯。
300
单位
ns
C
I
F
= 10A的dI
F
/ DT = - 50A / μs的
图。 1 :
低频功率损耗与
平均电流。
图。 2 :
峰电流与外形。
2/4
ESM765PI-800
图。 3 :
非重复峰值浪涌电流对
过载持续时间。
图。 4 :
热阻抗对脉冲宽度。
图。 5 :
压降与正向电流。
图。 6 :
电容与反向应用
电压
图。 7 :
恢复电荷对的dI
F
/ DT 。
图。 8 :
恢复时间相对的dI
F
/ DT 。
3/4
ESM765PI-800
图。 9 :
反向峰值电流对的dI
F
/ DT 。
包装机械数据
绝缘TO- 220AC
B
I
L
b2
C
尺寸
REF 。
A
MILLIMETERS
分钟。
14.23
12.70
10.20
0.64
1.15
4.48
0.35
2.10
4.58
5.85
3.55
2.54
1.45
马克斯。
15.87
4.50
14.70
10.45
0.96
1.39
4.82
0.65
2.70
5.58
6.85
4.00
3.00
1.75
0.500
0.402
0.025
0.045
0.176
0.020
0.083
0.180
0.230
0.140
0.100
0.057
英寸
分钟。
0.560
马克斯。
0.625
0.177
0.579
0.411
0.038
0.055
0.190
0.026
0.106
0.220
0.270
0.157
0.118
0.069
F
a1
a2
B
b1
A
a1
b2
C
c1
l2
a2
b1
c2
e
F
I
c1
L
l2
e
c2
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利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
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更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
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认证时意法半导体。
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1999意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
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