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ESM765-800
恢复整流二极管
主要特色产品
I
F( AV )
V
RRM
Tj max的
V
F
(最大)
TRR (最大值)
特点
高电压能力
快速软恢复
的规格和曲线
使TRR的测定
RM
在100℃以下的用户
条件
电机控制和变频器
开关模式电源
绝缘封装形式:TO - 220AC
绝缘电压= 2500 V
RMS
描述
适用于在应用程序中快速恢复整流器
结合superswitch晶体管。
A
K
10 A
800 V
150°C
1.35 V
300纳秒
TO-220AC
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
P
合计
T
英镑
Tj
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
功耗
存储温度范围
最大工作结温
TC = 100℃
δ
= 0.5
TP = 10毫秒
正弦
TC = 100℃
tp
20s
价值
800
16
10
120
20
- 40 + 150
+ 150
单位
V
A
A
A
W
°C
1999年8月 - 埃德: 2B
1/5
ESM765-800
热阻
符号
R
日(J -C )
结到外壳
参数
价值
2
单位
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
V
F
**
参数
反向漏电流
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
TJ = 100℃
脉冲测试: * TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
** TP = 380
s, δ
& LT ; 2 %
分钟。
典型值。
马克斯。
20
1
1.4
1.35
单位
mA
mA
V
V
R
= V
RRM
I
F
= 10 A
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 1.2 ×1
F( AV )
+ 0.015 ×1
F2(RMS)
V
F
= 1.2 + 0.015 I
F
恢复特性
符号
TRR
QRR
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
测试条件
I
F
= 1A
dI
F
/ DT = - 15A / μs的
V
R
= 30V
V
R
= 200V
2.3
分钟。
典型值。
马克斯。
300
单位
ns
C
I
F
= 10A的dI
F
/ DT = - 50A / μs的
图。 1 :
低频功率损耗与
平均电流。
图。 2 :
峰电流与外形。
2/5
ESM765-800
图。 3 :
非重复峰值浪涌电流对
过载持续时间。
图。 4 :
热阻抗对脉冲宽度。
图。 5 :
压降与正向电流。
图。 6 :
电容与反向应用
电压
3/5
ESM765-800
图。 7 :
恢复电荷对的dI
F
/ DT 。
图。 8 :
恢复时间相对的dI
F
/ DT 。
图。 9 :
反向峰值电流对的dI
F
/ DT 。
4/5
ESM765-800
包装机械数据
TO-220AC
尺寸
REF 。
A
C
D
E
F
F1
G
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
M
直径。我
MILLIMETERS
分钟。
H2
C
L5
I
L6
L2
D
L7
A
英寸
分钟。
马克斯。
0.173
0.181
0.048
0.051
0.094
0.107
0.019
0.027
0.024
0.034
0.044
0.066
0.194
0.202
0.393
0.409
0.645 (典型值) 。
0.511
0.551
0.104
0.116
0.600
0.620
0.244
0.259
0.137
0.154
0.102典型。
0.147
0.151
马克斯。
L9
F1
L4
F
G
M
E
4.40
4.60
1.23
1.32
2.40
2.72
0.49
0.70
0.61
0.88
1.14
1.70
4.95
5.15
10.00
10.40
16.40 (典型值) 。
13.00
14.00
2.65
2.95
15.25
15.75
6.20
6.60
3.50
3.93
2.6典型。
3.75
3.85
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利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
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认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1999意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
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澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
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ST
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