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初步
ES/EMM5322ZU
双刀双掷
砷化镓PHEMT开关0.1 - 6 GHz的
特点
低插入损耗0.8分贝2.4 GHz的
和1.0分贝4.9至6.0 GHz的
高隔离度:25分贝2.4 GHz的
20分贝4.9至6.0 GHz的
砷化镓pHEMT技术
微型QFN - 12塑料包装
3.0毫米X 3.0毫米X 0.9毫米
应用
的802.11a , b,g无线局域网T / R开关
无铅封装
描述
ES / EMM5322ZU是一个双刀双掷的GaAs PHEMT开关设计用于发送/接收和多样性
在0.1GHz切换到6GHz范围内。 ES / EMM5322ZU非常适合于应用低
轮廓和小尺寸是至关重要的。它还具有高线性,低控制电压,低插入损耗,
和高隔离度。典型的应用是为使用两个无线局域网的IEEE 802.11a / b / g标准体系
天线trasimit和接收分集。该装置是在低成本的小型化的12导3.0毫米X
3.0毫米包。
Tx
Rx
C3
指数
C4
12
GND
11
10
9
GND
GND
V1
C5
1
GND
GND
2
8
3
4
5
6
7
C6
V2
C1
GND
C2
ANT1
ANT2
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
引脚名称
GND
GND
V1
ANT1
GND
ANT2
V2
GND
GND
Rx
GND
Tx
GND (桨)
描述
控制1
天线端口1
天线端口2
控制2
接收端口1
发送端口
C1C4 : DC阻断电容
C5 - C6 :旁路电容
功能块图(俯视图)
修订版0.1
2005年4月15日
引脚配置
1
Eudyna Devices公司机密
初步
ES/EMM5322ZU
双刀双掷
砷化镓PHEMT开关0.1 - 6 GHz的
目标特定网络阳离子
绝对最大额定值(环境温度Ta = 25 ℃)
参数
直流输入电压
输入功率
储存温度
工作温度
符号
V1, V2
TSTG
顶部
等级
+6
+32
-40至+85
-40至+85
单位
V
DBM
°C
°C
电气特性(案例温度Tc = 25 ° C)
参数
频带
插入损耗
隔离
回波损耗
控制电压V1 V2
输入P0.1dB
控制电流
符号
F
I.L.
ISO
RL
VHIGH
VLOW
P0.1dB
ICONTROL
2.4 - 2.5 GHz的
4.9 - 6.0 GHz的
2.4 - 2.5 GHz的
4.9 - 6.0 GHz的
2.4 - 2.5 GHz的
4.9 - 6.0 GHz的
V高= 2.8V , Vlow时= 0V
V高= 2.8V , Vlow时= 0V
条件/评论
0.1
-
-
-
-
-
2.5
-0.2
-
-
0.80
1.00
25
20
23
15
2.8
0
31
15
典型值
最大
6.0
-
-
-
-
-
3.6
+0.2
-
-
单位
GHz的
dB
dB
dB
V
DBM
uA
(除特别注明外Zsource = Zload = 50Ω系统,TC = 25 ° C)
真值表
V1
V2
ANT1 - 接收
ON
关闭
ANT1 - 得克萨斯州
关闭
ON
ANT2 - 得克萨斯州
ON
关闭
ANT2 - 接收
关闭
ON
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
修订版0.1
2005年4月15日
2
Eudyna Devices公司机密
初步
ES/EMM5322ZU
双刀双掷
砷化镓PHEMT开关0.1 - 6 GHz的
包装尺寸
符号
A
A1
A2
A3
b
D
D1
D2
E
E1
E2
e
L
-
0.00
-
0.18
1.15
1.15
0.50
尺寸( MM )
0.85
0.01
0.65
0.20 REF
0.23
3.00 BSC
2.75 BSC
1.30
3.00 BSC
2.75 BSC
1.30
0.50 BSC
0.60
最大
0.90
0.05
0.70
0.30
1.45
1.45
0.75
修订版0.1
2005年4月15日
3
Eudyna Devices公司机密
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