初步
ES/FMM5320ZW
单刀双掷开关
砷化镓PHEMT大功率开关DC - 2.0 GHz的
特点
低插入损耗： 0.45分贝在2GHz
低工作电压： 2.5 V
低谐波： -70 dBc的在+34 dBm的
高隔离度：20分贝2 GHz的
小型SC- 70封装胶
砷化镓pHEMT技术
2.0毫米X 2.1毫米X 1.0毫米
铅（Pb ）免费套餐
描述
ES / FMM5320ZW是一款高功率单刀双掷（ SP2T ）的GaAs PHEMT开关设计
发送/接收开关在0.5 GHz的应用2.0GHz的范围内。在ES / FMM5320ZW
非常适合于应用高线性，低控制电压，低插入损耗，高
隔离，体积小，并且成本低是必需的。典型的应用包括UMTS，GSM ，和
CDMA手机系统。该装置是在一低成本的微型6引脚SOT- 363 / SC-70封装。
指数
RF1 1
6 V1
RF1 1
6
V1
GND 2
5 RFC
GND 2
5
RFC
RF2 3
4 V2
RF2 3
4
V2
引脚配置
（ TOP VIEW ）
功能块图
版本1.1
2005年8月25日
1
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初步
ES/FMM5320ZW
单刀双掷开关
砷化镓PHEMT大功率开关DC - 2.0 GHz的
目标特定网络阳离子
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
参数
直流输入电压
输入功率
储存温度
工作温度
符号
V1, V2
针
TSTG
顶部
等级
+6
+38
-40至+85
-40至+85
单位
V
DBM
°C
°C
电气特性（案例温度Tc = 25 ° C）
参数
频带
控制电压V1 V2 &
控制电流（每行）
输入P - 0.1分贝
2
nd
谐波
3
rd
谐波
插入损耗
隔离
回波损耗
开关速度
符号
F
VHIGH
VLOW
ICONTROL
P0.1dB
2HD
3HD
I.L.
ISO
RL
吨
花花公子
高
低
没有RF ， V1或V2 = 2.8 V
0.9千兆赫， 2.8 / 0V
0.9 GHz的，引脚= + 34 dBm的
V高= 2.8V ， Vlow时= 0V
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
频率= 0.5 2.0GHz的
50％ VCONTROL至90％的射频
50％ VCONTROL至10％的射频
条件/评论
民
0.5
2.5
-0.2
2.8
0
20
35
75
70
0.40
0.45
26
20
22
50
50
典型值
最大
2.0
5.3
+0.2
40
单位
GHz的
V
uA
DBM
dBc的
dBc的
dB
dB
dB
纳秒
（除特别注明外Zsource = Zload = 50Ω系统，TC = 25 ° C）
真值表
V1
低
高
V2
高
低
RF1-RFC
关闭
ON
RF2-RFC
ON
关闭
规范和引脚分配可恕不另行通知。
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单刀双掷开关
砷化镓PHEMT大功率开关DC - 2.0 GHz的
典型性能曲线
插入损耗与频率
0.0
-0.1
插入损耗[dB ]
隔离[分贝]
隔离与频率的关系
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
0.0
0.5
1.0
1.5 2.0
频率[ GHz的]
2.5
3.0
3.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
频率[ GHz的]
2.5
3.0
3.5
回波损耗与频率的关系
-10
-15
回波损耗（分贝）
-20
-25
-30
-35
-40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
频率[ GHz的]
2.5
3.0
3.5
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单刀双掷开关
砷化镓PHEMT大功率开关DC - 2.0 GHz的
包装尺寸（顶视图）
维
符号
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
民
-
0.025
0.85
0.15
0.10
1.90
1.25
尺寸（ MM ）
喃
-
0.075
0.88
-
-
2.00
2.10 BSC
1.30
0.65 BSC
最大
1.00
0.10
0.90
0.30
0.20
2.10
1.35
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