ESDR0524PMUTAG
瞬态电压
抑制器
低电容ESD保护
高速数据
该ESDR0524P瞬态电压抑制器的目的是保护
高速数据线的ESD 。超低电容和低ESD
钳位电压,使该器件用于保护的理想解决方案
电压敏感的高速数据线路。流过的风格
封装设计,便于PCB布局和匹配的走线长度
要保持高速之间是一致的阻抗
差分线,如HDMI 。
特点
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记号
图
UDFN10
CASE 517BB
4P MG
G
低电容( 0.3 pF的典型, I / O到I / O)
ESD额定值3B类的(超过8千伏)每人体模型
和C类(超过400 V)每台机器型号
保护以下IEC标准:
IEC 61000-4-2 ( ± 8 kV接触)
UL防火等级的94 V- 0
这是一个Pb - Free设备
典型应用
4P
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
引脚配置
和原理图
N / C N / C
10
1
I / O
9
2
I / O
GND N / C N / C
8
3
GND
7
4
I / O
6
5
I / O
HDMI
DVI
显示端口
MDDI
个eSATA
销1
销2
引脚4
5脚
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
工作结温范围
存储温度范围
无铅焊锡温度
最大( 10秒)
IEC 61000-4-2接触( ESD )
IEC 61000-4-2空气( ESD )
符号
T
J
T
英镑
T
L
ESD
ESD
价值
55
+125
55
+150
260
±8.0
±15
单位
°C
°C
°C
3,8引脚
订购信息
kV
kV
设备
ESDR0524PMUTAG
包
UDFN10
(无铅)
航运
3000 /
磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
参见应用笔记AND8308 / D为进一步说明
生存性规范。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
, 2010年7月
第1版
1
出版订单号:
ESDR0524P/D
ESDR0524PMUTAG
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
反向工作电压
击穿电压
反向漏电流
钳位电压
结电容
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
C
J
C
J
条件
I / O引脚与GND (注1 )
I
T
= 1毫安, I / O引脚与GND
V
RWM
= 5 V , I / O引脚与GND
I
PP
= 1 A,I / O引脚与GND ( 8 ×20
ms
脉冲)
V
R
= 0 V , F = 1 I / O引脚之间兆赫
V
R
= 0 V , F = 1 I / O引脚与GND之间兆赫
0.3
0.5
6.0
1.0
15
0.4
0.8
民
典型值
最大
5.0
单位
V
V
mA
V
pF
pF
根据工作峰值反向电压1. TVS器件通常被选定(Ⅴ
RWM
) ,这应该是等于或大于直流
或连续峰值工作电压电平。
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2
ESDR0524PMUTAG
包装尺寸
UDFN10 2.5x1 , 0.5P
CASE 517BB -01
发行
L
D
销1
参考
2X
2X
L
A B
L1
E
可选
CONSTRUCTIONS
细节A
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸b适用于PLATED
终端和测量之间
0.15至0.30mm航站楼。
暗淡
A
A1
A3
b
b2
D
E
e
L
L1
MILLIMETERS
民
最大
0.55
0.45
0.00
0.05
0.13 REF
0.15
0.25
0.45
0.35
2.50 BSC
1.00 BSC
0.50 BSC
0.30
0.40
---
0.05
0.10 C
0.10 C
0.10 C
10X
A3
A
A1
0.08 C
SIDE VIEW
2X
细节A
A1
C
座位
飞机
b2
1
5
10X
L
10
6
8X
e
b
0.10 C A
B
包
概要
底部视图
0.05 C
注3
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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3
DETAIL B
0.50
10X
DETAIL B
顶视图
暴露铜
模具招商地产
A3
可选
施工
推荐
焊接足迹*
2X
0.45
1.30
0.50
沥青
8X
0.25
外形尺寸:毫米
ESDR0524P/D