ESDR0502N
超低电容ESD
高保护阵列
高速数据线保护
该ESDR0502N超低电容TVS阵列的设计
防止ESD高速数据线。超低电容和
ESD保护的高电平使该器件非常适合于使用在
USB 2.0的应用程序。
6
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特点
低电容（ 0.3 pF的典型之间的I / O线和地线）
IEC 61000-4-2第4级
UL防火等级的94 V- 0
这些器件是无铅和符合RoHS标准
高速通信线路保护
USB 2.0高速数据线路和电源线路保护
显示器和佛罗里达州的显示器
MP3
千兆以太网
1
4
5
典型应用
UDFN6
MU后缀
CASE 517AA
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
工作结温范围
峰值功耗
8x20
ms
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
峰值功率电流
8x20
ms
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
存储温度范围
无铅焊锡温度
最大（ 10秒）
IEC 61000-4-2接触（ ESD ）
符号
T
J
P
pk
I
pp
T
英镑
T
L
ESD
价值
40
+125
100
3.0
55
+150
260
8.0
单位
°C
W
A
°C
°C
kV
D
M
G
标记图
DM
G
=具体设备守则*
（旋转90 °顺时针）
=日期代码&大会地点
=无铅器件
引脚
GND
NC
NC
1
2
3
6
5
4
VBUS
D+
D
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.非重复性电流脉冲（引脚6引脚1） 。
（ TOP VIEW ）
订购信息
设备
ESDR0502NMUTBG
包
UDFN6
（无铅）
航运
3000 /
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年11月
第0版
1
出版订单号：
ESDR0502N/D
ESDR0502N
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
P
pk
C
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
峰值功耗
电容@ V
R
= 0且f = 1.0兆赫
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
*请参阅应用笔记AND8308 / D的详细解释
数据表中的参数。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
反向工作电压
击穿电压
反向漏电流
ESD钳位电压
结电容
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
C
J
C
J
（注2 ）
I
T
= 1毫安， （注3）
V
RWM
= 5.5 V
每IEC61000-4-2 （注4 ）
V
R
= 0 V ， F = 1 I / O引脚与GND之间兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1 I / O引脚之间兆赫
参见图1 & 2
0.3
0.3
0.6
0.6
pF
pF
6.0
1.0
条件
民
典型值
最大
5.5
单位
V
V
mA
根据工作峰值反向电压2. TVS器件通常被选定（Ⅴ
RWM
） ，这应该是等于或大于直流
或连续峰值工作电压电平。
3. V
BR
测量在脉冲测试电流I
T
.
4.对于测试过程参见图3和4及应用说明AND8307 / D转换。
图1. ESD钳位电压截图
对于每IEC61000-4-2正8 kV接触
图2. ESD钳位电压截图
对于每IEC61000-4-2负8 kV接触
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2
ESDR0502N
IEC 61000-4-2规格。
TEST
电压
（千伏）
2
4
6
8
第一个高峰
当前
(A)
7.5
15
22.5
30
电流
30纳秒（一）
4
8
12
16
电流
60纳秒（一）
2
4
6
8
我@ 60纳秒
10%
t
P
= 0.7 ns至1纳秒
我@ 30纳秒
IEC61000-4-2波形
I
PEAK
100%
90%
水平
1
2
3
4
图3. IEC61000-4-2规格
静电放电枪
TVS
示波器
50
W
电缆
50
W
图4图的ESD测试设置
以下是摘自应用笔记
AND8308/D
数据参数解读
对于ESD器件。
ESD电压钳位
对于敏感的电路元件是非常重要的，以限制
电压，一个集成电路的ESD事件期间将暴露于
到尽可能低的电压成为可能。该ESD钳位电压
是在整个ESD保护二极管上的电压降
按照IEC61000-4-2波形ESD事件。自从
IEC61000-4-2被写成一个合格/不合格规格较大
100
％的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
t
P
t
r
诸如蜂窝电话或膝上型计算机系统，它不
在规范中明确规定如何指定钳位电压
在设备级别。安森美半导体已经开发出一种方法
检查整个ESD整个电压波形
在ESD脉冲在时域中的保护二极管
形式的示波器屏幕截图，其中可以发现在
该数据表的所有的ESD保护二极管。欲了解更多
关于安森美半导体是如何创造这些信息
截图以及如何对其进行解释，请参考
AND8307/D.
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
40
吨，时间（ ms）的
60
80
图5. 8 ×20
ms
脉冲波形
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3
ESDR0502N
包装尺寸
UDFN6 ， 1.2x1.0 ， 0.4P
CASE 517AA -01
版本C
包边的
D
A
B
L1
销1
参考
2X
E
0.10 C
2X
细节A
底部视图
（可选）
暴露铜
模具招商地产
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于镀终端
与被测量0.25至
0.30毫米航站楼。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
暗淡
A
A1
A3
b
D
E
e
L
L1
L2
MILLIMETERS
民
最大
0.45
0.55
0.00
0.05
0.127 REF
0.15
0.25
1.20 BSC
1.00 BSC
0.40 BSC
0.30
0.40
0.00
0.15
0.40
0.50
0.10 C
(A3)
A
A1
10X
0.08 C
SIDE VIEW
A1
5X
1
3
座位
飞机
C
L
L2
6X
b
0.10 C A B
0.05 C
注3
6
4
e
底部视图
安森美半导体
和
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5
DETAIL B
SIDE VIEW
（可选）
0.40
沥青
0.10 C
顶视图
A3
安装印迹*
0.42
6X
0.22
6X
1.07
外形尺寸：毫米
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