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ESDAxxSCx
QUAD TRANSIL 阵列
对于ESD保护
ASD
主要应用
在那里ESD瞬态过电压保护
敏感设备是必需的,如:
电脑
打印机
通信系统
移动电话手机及配件
其他电话机
机顶盒
SOT23-5L ( SC- 59 )
ESDAxxSC5
表1 :订购代码
产品型号
ESDAxxSCx
SOT23-6L ( SC- 59 )
ESDAxxSC6
特点
4单向的Transil 功能
低漏电流:I
R
最大。 < 20毫安在V
BR
400瓦峰值脉冲功率( 8/20微秒)
记号
请参阅第9页
描述
该ESDAxxSC5和ESDAxxSC6是单片
电压抑制器旨在保护康波
它们被连接到数据和传送堂费
锡永线对ESD 。
它们夹紧电压的正上方的逻辑电平
供应为正瞬变,以及一个二极管压降
在地下负瞬变。
好处
高ESD防护等级:最高可达25千伏
高集成度
适用于高密度电路板
符合以下标准:
图1 : ESDAxxSC5功能框图
1
2
3
5
4
图2 : ESDAxxSC6功能框图
IEC61000-4-2第4级:
15千伏(空气放电)
8千伏(接触放电)
MIL STD 883E -法3015-7 : class3B
(人体模型)
1
2
3
6
5
4
TM :
ASD是意法半导体公司的商标。
2004年11月
启8
1/10
ESDAxxSCx
表2 :绝对额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
ESD放电
参数
MIL STD 883E - 法3015-7
IEC61000-4-2空气放电
IEC61000-4-2接触放电
ESDA5V3SCx
ESDA6V1SCx
P
PP
峰值脉冲功率( 8 / 20μS )
ESDA14V2SCx
ESDA17SC6
ESDA19SC6
ESDA25SC6
价值
25
500
400
300
150
-55到+150
260
-40到+125
单位
kV
W
W
°C
°C
°C
°C
T
j
T
英镑
T
L
T
op
结温
存储温度范围
在10 s最大无铅焊接温度为5mm的
工作温度范围
表3 :电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
RM
V
BR
V
CL
I
RM
I
PP
αT
V
F
C
R
d
参数
对峙电压
击穿电压
钳位电压
漏电流
峰值脉冲电流
电压温度系数
正向电压降
电容
动态电阻
V
BR
@
类型
分钟。
V
ESDA5V3SC5
ESDA5V3SC6
ESDA6V1SC5
ESDA6V1SC6
ESDA14V2SC5
ESDA14V2SC6
ESDA17SC6
ESDA19SC6
ESDA25SC6
5.3
6.1
14.2
17
19
25
马克斯。
V
5.9
7.2
15.8
19
21
30
mA
1
1
1
1
1
1
I
R
I
RM
@ V
RM
马克斯。
mA
2
20
5
0.075
0.1
1
V
3
5.25
12
14
15
24
R
d
典型值。
注1
m
230
350
650
700
800
1000
αT
马克斯。
10
-4
/°C
5
6
10
10
8.5
10
Rd
I
IF
VBR
V
CL
V RM
VF
我RM
V
我PP
C
典型值。
pF
280
190
100
85
80
60
V
F
@ I
F
马克斯。
V
1.25
1.25
1.25
1.2
1.2
1.2
mA
200
200
200
10
10
10
注意2 0V偏置
注1 :
方波脉冲,我
PP
= 15A ,T
p
=2.5s.
注2 :
V
BR
=
α
T* (T
AMB
-25°C ) * V
BR
(25°C).
2/10
ESDAxxSCx
1.计算钳位电压上使用动态电阻的
该ESDA系列已被设计为像钳制ESD快速冲高。一般的PCB设计人员需要
很容易计算钳位电压V
CL
。这就是为什么我们得到的动态电阻,除了
经典的参数。穿过保护单元上的电压,可以计算用下面的公式:
V
CL
= V
BR
+ R
d
I
PP
在那里我
PP
是峰值电流通过ESDA细胞。
作为动态电阻的值保持稳定的浪涌持续时间小于20毫秒,则2.5ms的
矩形调压很好地适应。除了上升和下降时间进行了优化,以避免任何寄生
R的测量过程中的现象
d
.
2.动态电阻测量法
静电放电的持续时间短使我们更喜欢一个更适合的测试波形,如下定义,对
经典的8 / 20μS和10 / 1000μs潮。
图3 : 2.5μS时间测量波
I
IPP
2s
TP = 2.5μs之
t
图4 :峰值功耗与初始
结温
P
PP
[T
j
初始] / P
PP
[T
j
initial=25°C]
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
25
50
75
100
125
150
图5 :峰值脉冲功率与指数的关系
脉冲持续时间(T
j
初始= 25 ° C)
P
PP
(W)
5000
ESDA5V3SC5/SC6
&放大器;
ESDA6V1SC5/SC6
1000
ESDA14V2SC5/SC6
ESDA17SC6
ESDA19SC6
ESDA25SC6
T
j
初始( ° C)
100
1
t
p
(s)
10
100
3/10
ESDAxxSCx
图6 :钳位电压对峰值脉冲
电流(T
j
初始= 25 ° C) 。
方波(T
p
= 2.5毫秒)
I
PP
(A)
50.0
ESDA25SC6
ESDA19SC6
图7 :电容与反向应用
电压(典型值)
C( pF)的
500
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
ESDA5V3SC5/SC6
10.0
ESDA17SC6
ESDA14V2SC5/SC6
ESDA6V1SC5/SC6
100
ESDA6V1SC5/SC6
1.0
ESDA5V3SC5/SC6
ESDA14V2SC5/SC6
ESDA17SC6
ESDA19SC6
V
CL
(V)
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
tp=2.5s
10
70
75
80
V
R
(V)
1
2
5
10
20
ESDA25SC6
50
图8 :泄漏电流的相对变化
对结点温度(典型值)的
I
R
[T
j
] / I
R
[T
j
=25°C]
500
ESDA17SC6
&放大器;
ESDA19SC6
图9 :峰值正向压降随
峰值正向电流(典型值)
I
FM
(A)
ESDA5V3SC5/SC6
ESDA14V2SC5/SC6
&放大器;
ESDA6V1SC5/SC6
ESDA19SC6
ESDA17SC6
5.00
100
ESDA14V2SC5/SC6
&放大器;
ESDA6V1SC5/SC6
1.00
ESDA25SC6
ESDA25SC6
10
0.10
T
j
(°C)
1
25
50
75
ESDA5V3SC5/SC6
T
j
= 25°C
V
FM
(V)
0.01
100
125
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
3. ESD保护BY ESDAxxSCx
静电放电(ESD )是失败的电子系统中的一个主要原因。
瞬态电压抑制器( TVS)是用于ESD保护的理想选择。它们能够
夹紧传入瞬态过压到足够低的水平,使得损坏被保护
防止半导体。
表面贴装TVS阵列提供了最小的引线电感的最佳选择。
它们用作并联保护元件,连接在信号线和接地之间。作为
瞬时上升到高于该装置的工作电压时, TVS阵列变为低阻抗路径
转向瞬态电流到地。
4/10
ESDAxxSCx
图10 : ESDAxxSCx阵防静电
I / O线
ESD
敏感
设备
GND
ESDAxxxSC6
( 1连接到GND ESDAxxSC5 )
该ESDAxxSCx阵列ESD敏感的半导体元件的理想的板级保护。
微小SOT23-5L和SOT23-6L封装允许设计灵活性,在高密度电路板,其中所述
节省空间是非常宝贵的。这使得能够缩短路由,并有助于硬化反
ESD 。
4.忠告优化电路板布局
电路板的布局是在ESD引起的瞬变抑制一个关键的设计步骤。以下
指南建议:
该ESDAxxSC5 / 6应该放置在尽可能靠近输入端子或连接器。
ESD抑制器和保护线路之间的路径长度应当最小化
所有导电回路,包括电源和接地回路应尽量减少
该ESD瞬变接地回路应保持尽可能的短
地平面应尽可能使用
5.技术资料
ESD保护
该ESDA19SC6特别优化,以执行ESD保护。 ESD保护是通过实现
夹紧不必要的过电压。钳位电压由下式给出如下公式:
V
CL
= V
BR
+ R
d .
I
PP
如图11所示, ESD放电是由瞬态电压抑制器钳位。
图11 : ESD钳位性能(例如)
Rg
Rd
Vg
V
BR
Voutput成为
RLOAD
设备
保护
ESD浪涌
ESDA19SC6
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联系人:刘先生
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