ESDAxxxWx
TRANSIL 阵列数据保护
主要应用
在那里ESD瞬态过电压保护
敏感设备是必需的，如：
■
■
■
■
■
■
电脑
打印机
通信系统
移动电话手机及配件
有线和无线电话机
机顶盒
SOT323-3L
订购代码
SOT323-5L
SOT323-6L
产品编号
ESDA6V1W5
ESDA6V1-5W6
记号
E61
E62
E25
E25
特点
■
■
■
■
ESDA25W
ESDA25W5
2至5单向函数的Transil
击穿电压：
V
BR
= 6.1 V分钟。和25 V最小。
低漏电流： < 1 μA
非常小的PCB面积< 4.2毫米
2
通常
ESDA25W功能图
1
3
描述
该ESDAxxxWx是单片抑制器
旨在保护连接组件
数据和输电线路抗ESD 。
这些器件钳位电压的正上方
逻辑电平供应为正瞬变，并以一
低于地面二极管的压降为负瞬变。
2
ESDA6V1W5 / ESDA25W5功能
图
1
2
3
4
5
好处
■
■
高ESD防护等级：最高可达25千伏
高集成度
符合下列标准
IEC61000-4-2
4级
15千伏（空气放电）
8千伏（接触放电）
ESDA6V1-5W6功能图
1
2
3
6
5
4
MIL STD 883E - 方法3015-7 3级
25千伏HBM （人体模型）
2005年8月
REV 2
1/11
www.st.com
11
1特点
ESDAxxxWx
图4中。
钳位电压对峰值脉冲
电流（T
j
初始= 25 ° C，矩形
波形，T
p
= 2.5 s)
（ ESDA25W / ESDA25W5 ）
网络连接gure 3 。
峰值脉冲功率与
指数脉冲持续时间
(T
j
初始= 25 ° C） （ ESDA25W5 /
ESDA6V1W5 / ESDA6V1-5W6 ）
P
PP
(W)
1000
ESDA6V1W5 / ESDA25W5
T
j
初始= 25°C
I
PP
(A)
100.0
t
p
= 2.5s
ESDA25W
10.0
100
ESDA6V1-5W6
ESDA25W5
1.0
10
1
t
p
(s)
10
100
V
CL
(V)
0.1
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
图5中。
钳位电压与峰值脉冲如图6所示。
电流（T
j
初始= 25 ° C，矩形
波形，T
p
= 2.5 s)
（ ESDA6V1W5 / ESDA6V1-5W6 ）
电容与反向应用
电压（典型值）
（ ESDA25W / ESDA25W5 ）
I
PP
(A)
50.0
t
p
= 2.5s
ESDA6V1W5
C（ pF）的
50
45
40
ESDA6V1-5W6
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
10.0
35
30
25
ESDA25W
1.0
20
15
10
ESDA25W5
0.1
0
5
10
15
V
CL
(V)
20
25
30
35
40
5
0
1
3
5
7
9
11
V
R
(V)
13
15
17
19
21
23
25
4/11
ESDAxxxWx
图7 。
电容相对于反向施加如图8所示。
电压（典型值）
（ ESDA6V1W5 / ESDA6V1-5W6 ）
1特点
漏电流的相对变化
VERSUS结温
（典型值）
C（ pF）的
80
70
60
100
50
40
30
ESDA6V1-5W6
ESDA6V1W5
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
I
R
[T
j
] / I
R
[T
j
=25°C]
1000
ESDA25W
10
ESDA25W5
ESDA6V1-5W6
20
10
0.5
V
R
(V)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1
25
50
75
T
j
(°C)
100
ESDA6V1W5
125
图9 。
峰值正向压降随
峰值正向电流（典型值
值） （ ESDA25W / ESDA25W5 ）
图10.最大正向压降随
最大正向电流
（典型值）
（ ESDA6V1W5 / ESDA6V1-5W6 ）
I
FM
(A)
1E+0
I
FM
(A)
1E+0
T
j
= 25°C
ESDA25W / ESDA25W5
T
j
= 25°C
ESDA6V1W5
ESDA6V1-5W6
1E-1
1E-1
1E-2
1E-2
V
FM
(V)
1E-3
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1E-3
0.6
0.7
0.8
0.9
V
FM
(V)
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
图11. ESD回应IEC61000-4-2
（空气放电15 kV的，积极的浪涌）
5/11
威伦
瞬态电压抑制器
势垒整流器-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基
对于ESD保护
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM120-M
ESDA6V1W5
THRU
FM1200-M
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
一般
型材表面安装，以便应用程序
特点
低
描述
优化电路板空间。
该ESDA6V1W5是单片抑制器
低功耗，高效率。
旨在保护连接组件
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
数据
和输电线路抗ESD 。这
钳位电压
保护。
设备
Guardring过电压
正上方的逻辑
超高速开关。
水平
硅
为正瞬态和给
结。
供应
外延平面芯片，金属硅
二极管
降
无铅零件符合环保标准
在地下负瞬变。
更好的反向漏电流和耐热性。
4单向函数的Transil
0.130(3.3)
低漏电流： < 1
μA
0.146(3.7)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
非常小的PCB面积< 4.2毫米通常2
高集成度
无铅封装可用
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
0.071(1.8)
0.056(1.4)
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤
应用
产品包装代号后缀"H"
电脑
0.040(1.0)
IEC61000-4-2
0.024(0.6)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
打印机
4级15千伏（空气放电）
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
通信系统
,
8千伏（接触放电）
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
移动电话手机及配件
方法2026
MIL STD 883E - 方法3015-7 3级
有线和无线
阴极带
尺寸以英寸（毫米）
极性：用表示
电话机
25千伏HBM （人体模型）
机顶盒
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
机械数据
符合下列标准
工作原理图
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
SOT-353
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
ESDA6V1W5
-
65
到+175
绝对额定值（T
AMB
最大正向电压在1.0A DC
=25
°C
)
符号
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
P
PP
T
英镑
T
op
@T
峰值脉冲功率
A=125℃
(t
p
= 8/20μs)
参数
I
R
V
F
0.50
0.70
0.5
价值
10
0.85
0.9
单位
W
°C
°C
°C
0.92
150
260
注意事项：
T
L
在10秒的最大无铅焊接温度的
存储温度范围
工作温度范围
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
-40到+125
-40到+125
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
FM120-M
ESDA6V1W5
THRU
瞬态电压抑制器
势垒整流器-20V- 200V
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基
对于ESD保护
SOD-123
包
威伦
无铅全国生产
特点
批量处理的设计，出色的功耗报价
电气参数
电流和耐热性。
更好的反向漏
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高
符号
电流能力，低正向电压降。
参数
高浪涌能力。
I
PP
Guardring过电压保护。
最大反向峰值脉冲电流
V
C
超高速开关。
@ I
PP
钳位电压
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
V
RWM
工作峰值反向电压
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
最大反向漏电流
I
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
R
V
RWM
无卤素产品的包装代号后缀"H"
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
@
I
机械数据
测试电流
T
V
BR
UL94 -V0额定阻燃
环氧树脂：
击穿电压@ I
T
I
案例：模压塑料， SOD- 123H
正向电流
F
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
V
F
正向电压@ I
F
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量： 0.011的逼近
电气特性
克
尺寸以英寸（毫米）
产品编号
V
BR
V
最大额定值和电气特性
F
I
V
I
R
在25 ℃的环境温度，除非另有评级
T
指定的。
RWM
分钟。
典型值
马克斯。
马克斯。
C
I
F
mA
16
60
42
60
1.0
30
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
V
V
V
mA
评级
典型值。 0V偏置
pF
10
100
70
100
V
5
A
1
15
50
35
50
V
1.25
ESDA6V1W5
标识代码
12
13
14
20
30
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
1.Square脉冲I
PP
=15A,t
p
= 2.5μs之2.V
BR
= AT * （T
AMB
-25°C)*V
BR
(25°C)
40
6.1
6.7
7.2
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
1
200
18
80
56
80
35
115
150
105
150
120
200
140
200
典型特征
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大RMS电压
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
14
20
21
30
28
40
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
Fig1.Peak脉冲功率与指数的关系
脉冲持续时间（T
j
initial=25°C)
Fig2 。钳位电压与峰值
脉冲电流（T
j
初始= 25 ° C，矩形
波形，T
p
=2.5μs)
2012-06
威伦电子股份有限公司
2012-09
威伦电子股份有限公司。
FM120-M
ESDA6V1W5
THRU
瞬态电压抑制器ESD保护
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
0.024(0.6)
环氧树脂： UL94 -V0
无花果
3电容
额定阻燃
与反向施加电压图4峰值正向压降随
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
正向电流
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.040(1.0)
SOT-353
:
机械数据
极性指示由阴极频带
安装位置：任意
. 0 7 1 ( 1 . 8 0)
重量：的逼近0.011克
. 0 8 6 ( 2 . 2 0)
(
.05
典型值。
1.30
TYP 。 ）
方法2026
尺寸以英寸（毫米）
.0 04 (0 .1 0)
.0 18 (0 .4 6)
. 071 ( 1.8 0 )
.031(0.80)
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
. 045 ( 1. 15 )
.05 3 (1. 35 )
.039(1.00)
评级
标识代码
最大RMS电压
最大的经常峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
0.50BSC
R
θJA
.020BSC
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
. 0 96( 2 .45 )
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
42
60
1.0
30
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
.031(0.80)
.039(1.00)
. 0 0 4 ( 0. 08 )
. 0 0 7 (0 .1 8)
C
J
T
J
TSTG
-55到+125
.031(0.80)
.043(1.10)
40
120
-55到+150
工作温度范围
存储温度范围
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
.006(0.15)
@T A = 25 ℃
.014(0.35)
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
@T A = 125 ℃
I
R
注意事项：
2-热阻结点到环境
尺寸以英寸（毫米）
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
记号
类型编号
ESDA6V1W5
2012-06
标识代码
W5
威伦电子股份有限公司
2012-09
威伦电子股份有限公司。
ESDA6V1W5
QUAL TRANSIL 阵列
对于ESD保护
专用分立器件
A.S.D.
主要应用
在那里ESD瞬态过电压保护
敏感设备是必需的，如：
电脑
打印机
通信系统
GSM手机及配件
其他电话机
机顶盒
特点
4单向TRANSIL
功能。
击穿电压： V
BR
= 6.1 V分钟。
低漏电流： < 1μA 。
极低PCB空间消耗： 4.2毫米
2
典型的。
描述
该ESDA6V1W5是一个4位单片宽
抑制其目的是为了保护组件
连接到数据和传输线对
ESD 。
它钳位电压的正上方的逻辑电平
供应为正瞬变，以及一个二极管压降
在地下负瞬变。
SOT323-5L
工作原理图
1
5
2
3
4
好处
高ESD防护等级：高达25 kV的。
高集成度。
适用于高密度电路板。
符合以下标准：
IEC 1000-4-2 4级
MIL STD 883C -方法3015-6 ： 3级。
（人体模型）
ESD响应3 IEC1000-4-2
（空气放电16 kV的，积极的浪涌）
1999年9月 - 埃德： 1A
1/7
ESDA6V1W5
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
参数
ESD放电
测试条件
MIL STD 883C - 法3015-6
IEC1000-4-2 ，空气放电
IEC1000-4-2 ，接触放电
价值
25
16
9
150
- 40至+ 85
150
- 55至+ 150
260
单位
kV
P
PP
T
op
T
j
T
英镑
T
L
峰值脉冲功率（ 8/20
s)
工作温度范围
结温
存储温度范围
无铅焊锡温度（ 10 secondes持续时间）
W
°C
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
RM
V
BR
V
CL
I
RM
I
PP
参数
对峙电压
击穿电压
钳位电压
漏电流
峰值脉冲电流
电压温度系数
每行电容
动态电阻
正向电压降
坡度： 1 / R
d
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
I
V
α
T
C
Rd
V
F
I
PP
类型
V
BR
分钟。
@
马克斯。
I
R
I
RM
马克斯。
@
V
RM
Rd
典型值。
注1
αT
马克斯。
注2
10
-4
/°C
6
C
典型值。
0V偏置
pF
90
V
F
@
马克斯。
I
F
V
V
7.2
mA
1
A
1
V
3
m
350
V
1.25
mA
200
ESDA6V1W5
6.1
注1
：方形脉冲伊普= 15A ， TP = 2.5μs之。
注2
:
VBR =
αT*
（环境温度Tamb -25°C ） * VBR （ 25 ° C）
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ESDA6V1W5
计算钳位电压
使用动态电阻
该ESDA系列已被设计为快速夹紧
尖峰状ESD 。一般的PCB设计
需要容易地计算出钳位电压V
CL
.
这就是为什么我们给的动态电阻
除了经典的参数。电压
穿过保护单元可以计算出
下式：
V
CL
= V
BR
+我路
PP
其中， IPP是峰值电流通过ESDA细胞。
动态电阻测量法
静电放电的持续时间短，导致我们喜欢
一个更适于测试波，如下面所定义，该
经典的8 / 20μS和10 / 1000μs潮。
I
IPP
2s
TP = 2.5μs之
t
2.5μS时间测量波形。
作为动态电阻的值保持
超过20μs的，稳定的持续飙升下
2.5μS矩形调压很好地适应。此外
上升和下降时间是最优化，以避免任何
的测量过程中的寄生现象
RD 。
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ESDA6V1W5
图。 1 ：
峰值功耗与初始
结温
PPP【 TJ初始] / PPP [ TJ初始= 25 ° C]
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1000
图。 2 ：
峰值脉冲功率与指数的关系
脉冲持续时间（TJ初始= 25℃）
的ppp （W）的
100
TJ初期（ ° C）
0
25
50
75
100
125
150
175
TP （微秒）
10
1
10
100
图。 3 ：
钳位电压对峰值脉冲
电流（ TJ初始= 25°C ） 。
方波TP = 2.5
s.
IPP （ A）
50.0
tp=2.5s
图。 4 ：
电容与反向应用
电压（典型值）。
90
80
70
60
50
C（ pF）的
F=1MHz
Vosc=30mV
10.0
1.0
40
30
20
VCL （ V）
0.1
0
5
10
15
20
25
30
VR （ V）
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
10
1.0
图。五
：泄漏电流的相对变化
对结点温度（典型值）。
IR [ TJ ] / IR [ TJ = 25 ° C]
5
4
3
图。 6 ：
峰值正向压降与峰值
正向电流（典型值）。
IFM （ A）
1E+0
Tj=25°C
1E-1
2
1E-2
TJ （ ° C）
1
25
50
75
100
125
150
1E-3
0.6
0.7
0.8
0.9
VFM （ V）
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
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ESDA6V1W5
由ESDA6V1W5 1. ESD保护
以降低操作电平的聚焦，故障所造成的环境问题是
关键的。静电放电（ESD ）是失败的电子系统的一个主要原因。
瞬态电压抑制器ESD保护的理想选择，并在证明能够
抑制ESD事件。它们能够夹住进入瞬变到一个足够低的电平这样的
防止了损坏被保护半导体。
表面贴装TVS阵列提供了最小的引线电感的最佳选择。
它们用作并联保护元件，连接在信号线与地之间。作为瞬态
上升到高于该装置的工作电压时， TVS阵列变为低阻抗路径转向的
接地瞬态电流。
A
键盘
终奌站
打印机
等
B
I / O
C
D
实用
解码器
该ESDA6V1W5阵列用作ESD敏感的板级防护的理想产品
半导体元件。
这种微小的SOT323-5L封装使ESDA6V1W5设备的一些最小的ESD保护
可用的设备。它还允许节省空间，设计灵活的"crowded"板的设计
是十分宝贵的。这使得能够缩短路由，并且可以有助于改善ESD性能。
2.电路板布局
电路板的布局是在ESD引起的瞬变抑制一个关键的设计步骤。以下
指南建议：
该ESDA6V1W5应尽可能靠近放置到输入端子或连接器。
尽量减少ESD抑制器和被保护设备之间的路径长度
最小化所有导电回路，包括电源和接地回路
该ESD瞬变接地回路应保持尽可能的短。
使用地平面尽可能。
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