ESDA6V1U1
TRANSIL 阵列
对于ESD保护
专用分立器件
A.S.D.
应用
在那里ESD瞬态过电压保护
敏感设备是必需的,如:
- 电脑
- 打印机
- 通信系统
- GSM手机及配件
- 汽车收音机
这是格外推荐并行端口
保护那里的线路接口只能承受
2 kV的ESD浪涌。
SO8
特点
6单向TRANSIL 功能
低漏电流:I
R
最大。 < 2
A
200瓦峰值脉冲功率( 8/20
s)
Descrition
该ESDA6V1U1是单片电压
抑制器旨在保护组分
被连接到数据和传输线
针对ESD的。
它钳位电压的正上方的逻辑电平
供应为正瞬变,以及一个二极管压降
在地下负瞬变。
好处
高ESD防护等级:最高可达25千伏
高集成度
适用于高密度电路板
符合以下标准:
IEC 1000-4-2 : 4级
MIL STD 883C -法3015-6 : 3类
(人体模型)
工作原理图
I / O 1
I / O 2
2
I / O 3
3
I / O 4
4
8
I / O 6
7
GND
6
GND
5
I / O 5
1998年1月 - 埃德: 2
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ESDA6V1U1
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
P
PP
T
英镑
T
j
T
L
参数
静电放电
MIL STD 883C - 法3015-6
峰值脉冲功率( 8 / 20μS )
存储温度范围
最高结温
在10秒的最大无铅焊接温度的
价值
25
200
- 55至+ 150
125
260
单位
kV
W
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
RM
V
BR
V
CL
I
RM
I
PP
参数
对峙电压
击穿电压
钳位电压
漏电流
峰值脉冲电流
电压温度系数
电容
动态电阻
正向电压降
α
T
C
Rd
V
F
类型
V
BR
分钟。
@
马克斯。
I
R
I
RM
@ V
RM
马克斯。
A
2
Rd
典型值。
注1
0.5
αT
马克斯。
注2
10
-4
/°C
6
C
典型值。
0V偏置
pF
100
V
F
@
马克斯。
I
F
V
ESDA6V1U1
6.1
V
7.2
mA
1
V
5
V
1.5
mA
200
注1
:方形脉冲,则IPP = 25A , TP = 2.5μs之。
注2
:
V
BR
=
αT*
(环境温度Tamb -25°C ) * V
BR
(25°C)
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ESDA6V1U1
计算钳位电压
使用动态电阻
该ESDA系列已被设计为快速夹紧
尖峰状ESD 。一般的PCB设计
需要容易地计算出钳位电压V
CL
.
这就是为什么我们给的动态电阻
除了经典的参数。电压
穿过保护单元可以计算出
下式:
V
CL
= V
BR
+我路
PP
其中, IPP是峰值电流通过ESDA细胞。
动态电阻测量法
静电放电的持续时间短,导致我们喜欢
一个更适于测试波,如下面所定义,该
经典的8 / 20μS和10 / 1000μs潮。
I
IPP
ESDA6V1U1
作为动态电阻的值保持
超过20μs的,稳定的持续飙升下
2.5μS矩形调压很好地适应。此外
上升和下降时间是最优化,以避免任何
的测量过程中的寄生现象
RD 。
2s
TP = 2.5μs之
t
2.5μS时间测量波形。
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ESDA6V1U1
图。 1 :
峰值功耗与初始
结温。
PPP【 TJ初始] / PPP [ TJ初始= 25 ° C]
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
2000
1000
图。 2 :
峰值脉冲功率与指数的关系
脉冲持续时间(TJ初始= 25 ℃)。
的ppp (W)的
100
TJ初期( ° C)
0
25
50
75
100
125
150
10
1
TP (微秒)
10
100
图。 3 :
钳位电压对峰值脉冲
电流( TJ初始= 25°C ) 。
方波TP = 2.5
s.
IPP ( A)
50.0
tp=2.5s
图。 4 :
电容与反向应用
电压(典型值)。
C( pF)的
100
F=1MHz
Vosc=30mV
10.0
50
1.0
20
V
CL
(V)
V
R
(V)
10
1
2
5
10
0.1
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
图。 5 :
漏电流的相对变化
对结点温度(典型值)。
I
R
[ TJ ] / I
R
[Tj=25°C]
200
100
图。 6 :
峰值正向压降与峰值
正向电流(典型值)。
I
FM
(A)
Tj=25°C
5.00
1.00
10
0.10
TJ ( ° C)
1
25
50
75
100
125
V
FM
(V)
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4/6