ESDA6V1S3
ESDA6V2S6
TRANSIL 阵列
对于ESD保护
专用分立器件
A.S.D.
应用
在那里ESD瞬态过电压保护
敏感设备是必需的，如：
- 电脑
- 打印机
- 通信系统
- GSM手机及配件
- 其他电话机
特点
18单向TRANSIL 功能
低漏电流：I
R
最大。 < 2
A
200瓦峰值脉冲功率（ 8/20
s)
SO20
ESDA6V1S3
SSOP20
ESDA6V2S6
Descrition
该ESDA6xxSx是单片电压
抑制器旨在保护componentswhich
被连接到数据和传输线
针对ESD的。
它钳位电压的正上方的逻辑电平
供应为正瞬变，以及一个二极管压降
在地下负瞬变。
工作原理图
好处
高ESD防护等级：最高可达25千伏
高集成度
适用于高密度电路板
COMPLIESWITH以下标准：
IEC 1000-4-2 ： 4级
MIL STD 883C -法3015-6 ： 3类
（人体模型）
1998年10月版： 2A
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ESDA6V1S3 / ESDA6V2S6
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
P
PP
T
英镑
T
j
T
L
参数
静电放电
MIL STD 883C - 法3015-6
峰值脉冲功率（ 8 / 20μS ）
存储温度范围
最高结温
在10秒的最大无铅焊接温度的
价值
25
200
- 55至+ 150
150
260
单位
kV
W
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
RM
V
BR
V
CL
I
RM
I
PP
参数
对峙电压
击穿电压
钳位电压
漏电流
峰值脉冲电流
电压温度系数
电容
动态电阻
正向电压降
α
T
C
Rd
V
F
类型
V
BR
分钟。
note1
V
@
马克斯。
I
R
I
RM
马克斯。
note1
@
V
RM
Rd
典型值。
注2
α
T
马克斯。
注3
10
-4
/°C
6
6
C
典型值。
0V偏置
pF
120
100
V
F
@
马克斯。
I
F
V
7.2
7.2
mA
1
1
A
2
2
V
5.25
5.25
0.5
0.5
V
1.25
1.25
mA
200
200
ESDA6V1S3
ESDA6V2S6
6.1
6.2
注1 ：
之间的任何I / O引脚与地
注2 ：
方波脉冲， IPP = 25A ，并为ESDA6V1S3我PP = 15A的ESDA6V2S6 ， TP = 2.5μs之
注3 ：
V
BR =
αT
* [环境温度Tamb -25 ] * VBR（ 25℃）
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ESDA6V1S3 / ESDA6V2S6
计算钳位电压
使用动态电阻
该ESDA系列已被设计为快速夹紧
尖峰状ESD 。一般的PCB设计
需要容易地计算出钳位电压V
CL
.
这就是为什么我们给的动态电阻
除了经典的参数。电压
穿过保护单元可以计算出
下式：
V
CL
= V
BR
+我路
PP
WhereIpp是peakcurrent throughthe ESDAcell 。
动态电阻测量法
静电放电的持续时间短，导致我们喜欢
一个更适于测试波，如下面所定义，该
经典的8 / 20μS和10 / 1000μs潮。
I
IPP
作为动态电阻的值保持
超过20μs的，稳定的持续飙升下
2.5μS矩形调压很好地适应。此外
上升和下降时间是最优化，以避免任何
的测量过程中的寄生现象
RD 。
2s
TP = 2.5μs之
t
2.5μS时间测量波形。
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ESDA6V1S3 / ESDA6V2S6
图。 1
：峰值功耗与初始
结温。
PPP【 TJ初始] / PP [ TJ初始= 25 ° C]
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
2000
1000
图。 2 ：
峰值脉冲功率与指数的关系
脉冲持续时间（ TJ初始= 25
°C).
的ppp （W）的
100
TJ初期（ ° C）
0
25
50
75
100
125
150
10
1
TP （微秒）
10
100
图。 3 ：
钳位电压对峰值脉冲
电流（ TJ初始= 25
°C).
方波TP = 2.5
s.
IPP （ A）
50.0
tp=2.5s
图。 4 ：
电容与反向应用
电压（典型值）。
C（ pF）的
100
F=1MHz
Vosc=30mV
10.0
50
1.0
20
V
CL
(V)
V
R
(V)
10
1
2
5
10
0.1
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
图。 5 ：
的leakagecurrent与Relativevariation
结温度（典型值）。
I
R
[ TJ ] / I
R
[Tj=25°C]
200
100
图。 6 ：
峰值正向压降与峰值
正向电流（典型值）。
I
FM
(A)
5.00
Tj=25°C
1.00
10
0.10
V
FM
(V)
100
125
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
TJ （ ° C）
1
25
50
75
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ESDA6V1S3 / ESDA6V2S6
应用实例：
1 - 保护的逻辑电平信号。
（如：并口交界处）
2 - 保护的对称信号。
注意：
之间的任何I / O引脚和Capacitancevalue
地面除以2 。
0至5伏
A1
+/- 2.5 V
D1
D2
0至5伏
A2
+/- 2. 5 V
Dn
0至5伏
A16
+/- 2.5 V
实施其ASD
TM
技术， SGS汤姆逊
已开发出单片TRANSIL二极管阵列
这是防止静电了可靠的保障
重载电脑的I / O端口，调制解调器， GSM
handsetsand配件或其它相似的系统
有数据输出。该ESDAxxSx集成18
TRANSIL二极管在一个紧凑的封装， canbe
轻松安装在靠近电路是
保护，省去了组装成本
与使用分立二极管相关联，并
也提高了系统的可靠性。
每个TRANSIL之间有着击穿电压
6.2V （最低）和7.2V （最大） 。当
输入电压小于击穿电压低，
二极管呈现高阻抗接地。
对于短脉冲过电压，速效
二极管提供了一个几乎instantaneousresponse ，
钳位电压到一个安全水平。
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