ESDA6V1-5SC6
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照
通过暗示，或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品不
授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
所有其他名称均为其各自所有者的财产
2004意法半导体 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 比利时 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 捷克 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 -
马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
www.st.com
5/5
ESDA6V1-5SC6
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
测试条件
静电放电 - MIL STD 883E - 法3015-7
IEC 61000-4-2空气放电
IEC 61000-4-2接触放电
峰值脉冲功率（ 8 / 20μS ）
结温
存储温度范围
无铅焊锡温度（10秒持续时间）
工作温度范围（注1 ）
价值
25
20
15
100
150
-55到+150
260
-40到+125
单位
kV
P
PP
T
j
T
英镑
T
L
T
op
W
°C
°C
°C
°C
注1 ：
操作参数随温度的变化是由曲线给出和
αT
参数。
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
RM
V
BR
V
CL
I
RM
I
PP
αT
C
Rd
V
F
参数
I
对峙电压
击穿电压
钳位电压
漏电流
峰值脉冲电流
电压温度
电容
动态阻抗
正向电压降
斜率= 1 /路
I
F
V
BR
V
cl
V
RM
I
RM
V
F
V
I
PP
V
BR
@ I
R
分钟。
TYPE
最大
.
I
RM
@ V
RM
马克斯。
Rd
典型值。
注2
αT
马克斯。
注3
10
-4
/°C
6
C
典型值。
0V偏置
pF
50
V
F
@ I
F
最大
V
ESDA6V1-5SC6
6.1
V
7.2
mA
1
A
1
V
3
m
590
V
1.25
mA
200
注2
：方形脉冲，则IPP = 15A ， TP = 2.5μs之。
注3 ：
V
BR =
αT
* （环境温度Tamb - 25 ° C） * VBR （ 25 ° C）
2/5
ESDA6V1-5SC6
图。 1 ：
峰值功耗与初始
结温。
PPP【 TJ初始] / PPP [ TJ初始= 25 ° C]
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1000
图。 2 ：
峰值脉冲功率与指数的关系
脉冲持续时间（TJ初始= 25 ℃）。
的ppp （W）的
100
TJ初期（ ° C）
0
25
50
75
100
125
150
175
10
1
TP （微秒）
10
100
图。 3 ：
钳位电压与峰值脉冲电流
（ TJ初始= 25°C ）的矩形波TP = 2.5μs之。
图。 4 ：
电容与反向施加电压
（典型值）。
IPP （ A）
50.0
tp=2.5s
C（ pF）的
50
40
30
F=1MHz
Vosc=30mV
10.0
1.0
20
VCL （ V）
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
0.5
1.0
1.5
2.0
VR （ V）
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
图。 5 ：
漏电流ver-的相对变化
SUS的结点温度（典型值）。
图。 6 ：
峰值正向压降与峰值
正向电流（典型值）。
IR [ TJ ] / IR [ TJ = 25 ° C]
50
IFM （ A）
1E+0
Tj=25°C
10
1E-1
1E-2
TJ （ ° C）
1
25
50
75
100
125
VFM （ V）
1E-3
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6
3/5
ESDA6V1-5SC6
订货编号
ESDA
6V1 -
V
BR
民
5
SC6
ESD阵列
5号线的保护
SOT23-6L
记号
TYPE
ESDA6V1-5SC6
记号
EC62
包
SOT23-6L
重量
16.7毫克
基地数量
3000
配送方式
磁带&卷轴
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利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
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认证时意法半导体。
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2002意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
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香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡
西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
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绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
测试条件
静电放电 - MIL STD 883E - 法3015-7
IEC 61000-4-2空气放电
IEC 61000-4-2接触放电
峰值脉冲功率（ 8 / 20μS ）
结温
存储温度范围
无铅焊锡温度（10秒持续时间）
工作温度范围（注1 ）
价值
25
20
15
100
150
-55到+150
260
-40到+125
单位
kV
P
PP
T
j
T
英镑
T
L
T
op
W
°C
°C
°C
°C
注1 ：
操作参数随温度的变化是由曲线给出和
αT
参数。
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
RM
V
BR
V
CL
I
RM
I
PP
αT
C
Rd
V
F
参数
I
对峙电压
击穿电压
钳位电压
漏电流
峰值脉冲电流
电压温度
电容
动态阻抗
正向电压降
斜率= 1 /路
I
F
V
BR
V
cl
V
RM
I
RM
V
F
V
I
PP
V
BR
@ I
R
分钟。
TYPE
最大
.
I
RM
@ V
RM
马克斯。
Rd
典型值。
注2
αT
马克斯。
注3
10
-4
/°C
6
C
典型值。
0V偏置
pF
50
V
F
@ I
F
最大
V
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6.1
V
7.2
mA
1
A
1
V
3
m
590
V
1.25
mA
200
注2
：方形脉冲，则IPP = 15A ， TP = 2.5μs之。
注3 ：
V
BR =
αT
* （环境温度Tamb - 25 ° C） * VBR （ 25 ° C）
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图。 1 ：
峰值功耗与初始
结温。
PPP【 TJ初始] / PPP [ TJ初始= 25 ° C]
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1000
图。 2 ：
峰值脉冲功率与指数的关系
脉冲持续时间（TJ初始= 25 ℃）。
的ppp （W）的
100
TJ初期（ ° C）
0
25
50
75
100
125
150
175
10
1
TP （微秒）
10
100
图。 3 ：
钳位电压与峰值脉冲电流
（ TJ初始= 25°C ）的矩形波TP = 2.5μs之。
图。 4 ：
电容与反向施加电压
（典型值）。
IPP （ A）
50.0
tp=2.5s
C（ pF）的
50
40
30
F=1MHz
Vosc=30mV
10.0
1.0
20
VCL （ V）
0.1
0
5
10
15
20
25
30
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10
0.5
1.0
1.5
2.0
VR （ V）
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
图。 5 ：
漏电流ver-的相对变化
SUS的结点温度（典型值）。
图。 6 ：
峰值正向压降与峰值
正向电流（典型值）。
IR [ TJ ] / IR [ TJ = 25 ° C]
50
IFM （ A）
1E+0
Tj=25°C
10
1E-1
1E-2
TJ （ ° C）
1
25
50
75
100
125
VFM （ V）
1E-3
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6
3/5
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订货编号
ESDA
6V1 -
V
BR
民
5
SC6
ESD阵列
5号线的保护
SOT23-6L
记号
TYPE
ESDA6V1-5SC6
记号
EC62
包
SOT23-6L
重量
16.7毫克
基地数量
3000
配送方式
磁带&卷轴
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
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