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ESDA25LY
汽车双的Transil 阵列的ESD保护
特点
2单向函数的Transil
低漏电流: 1 μA @ 24 V
300瓦峰值脉冲功率( 8/20微秒)
3
2
1
好处
SOT23-3L
高ESD防护等级:最高可达25千伏
高集成度
适用于高密度电路板
图1 。
工作原理图
符合下列标准
1
3
2
IEC 61000-4-2第4级
- 15千伏(空气放电)
- 8千伏(接触放电)
MIL STD 883G - 方法3015-7 3B类
- (人体模型)
应用
在那里ESD瞬态过电压保护
敏感设备是必需的,如:
描述
该ESDA25LY是双电压的单芯片
抑制器旨在保护元件
它们被连接到数据和传输
线对ESD 。
它钳位电压的正上方的逻辑电平
供应为正瞬变,以及一个二极管压降
在地下负瞬变。
它也可以作为bidirectionnal抑制器通过
只连接1脚和2 。
电脑
打印机
通信系统和蜂窝电话
这是格外推荐用于RS232 I / O
端口保护那里的线路接口承受
只有2 kV的ESD浪涌。
TM :
TRANSIL是意法半导体公司的商标。
A.S.D. =专用分立器件
2010年2月
文档ID 16914牧师1
1/10
www.st.com
10
特征
ESDA25LY
1
表1中。
符号
V
PP
P
PP
T
j
T
英镑
T
L
T
op
特征
绝对最大额定值(T
AMB
= 25°C)
参数
ESD放电
峰值脉冲功率( 8/20微秒)
结温
存储温度范围
在10 s最大无铅焊接温度为5毫米的情况下
工作温度范围
MIL STD 883E ,方法3015-7
IEC 61000-4-2空气放电
IEC 61000-4-2接触放电
价值
25
16
9
300
150
-55到+150
260
-40到+125
单位
kV
W
°C
°C
°C
°C
图2中。
电气特性(定义)
I
符号
V
BR
V
CL
I
RM
V
RM
I
F
I
PP
I
R
V
F
R
d
α
T
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
参数
击穿电压
钳位电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
正向电流
峰值脉冲电流
击穿电流
正向电压降
动态阻抗
电压温度
I
F
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
V
F
V
坡 1 / R
d
I
PP
表2中。
电气特性(值,T
AMB
= 25 °C)
V
BR
@ I
R
I
RM
@ V
RM
马克斯。
mA
1
A
1
V
24
V
F
@ I
F
马克斯。
V
1.2
mA
10
Rd
典型值。
(1)
1000
α
T
马克斯。
(2)
10
-4
/C
10
C
典型值。
0V偏置
pF
50
订货编号
分钟。
V
马克斯。
V
30
ESDA25LY
25
1.方脉,我
pp
= 15 A,T
p
= 2.5 s.
2.
Δ
V
BR
=
αT*
(T
AMB
- 25 ° C) * V
BR
(25 °C)
2/10
文档ID 16914牧师1
ESDA25LY
特征
网络连接gure 3 。
峰值功耗与
最初的结温
图4中。
峰值脉冲功率与
指数脉冲持续时间
(T
j
初始= 25 ° C)
T
j
初始= 25°C
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
P
PP
[T
j
初始] / P
PP
[T
j
初始= 25 ° C]
3000
的ppp (W)的
1000
100
T
j
初始( ° C)
25
50
75
100
125
150
10
1
10
t
p
(s)
100
0
图5中。
钳位电压与峰值
脉冲电流(T
j
初始= 25 ° C,
方波,T
p
= 2.5s)
图6 。
电容与反向应用
电压(典型值)
50.0
I
PP
(A)
C( pF)的
200
F = 1 MHz的
V
OSC
= 30毫伏
RMS
T
j
= 25 °C
10.0
100
t
p
= 2.5 s
50
1.0
20
0.1
0
V
CL
(V)
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
10
1
2
5
10
20
V
R
(V)
50
图7 。
泄漏的相对变化
电流与结
温度(典型值)的
网络连接gure 8 。
峰值正向压降随
正向电流(典型值)
200
100
I
R
[T
j
] / I
R
[T
j
= 25 °C]
5.00
I
FM
(A)
T
j
= 25 °C
1.00
10
0.10
1
25
T
j
(°C)
50
75
100
125
0.01
0.0
V
FM
(V)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
文档ID 16914牧师1
3/10
计算钳位电压
ESDA25LY
2
2.1
计算钳位电压
使用动态电阻
该ESDA系列已被设计为像钳制ESD快速冲高。一般的PCB
设计人员需要轻松地计算钳位电压V
CL
。这就是为什么我们给了
动态电阻除了经典的参数。在整个电压
保护细胞,可以计算用下面的公式:
V
CL
= V
BR
+ R
d
I
PP
其中, IPP是峰值电流通过ESDA细胞。
3
动态电阻测量法
静电放电的持续时间短使我们更喜欢一个更适合的测试波形,如下
定义,古典8/20 μs至10/1000微秒电涌。
作为动态电阻的值保持稳定的浪涌持续时间小于20微秒,
2.5 μs的矩形激增很好地适应。除了上升和下降时间
优化,以避免R的测量过程中的任何寄生现象
d
.
图9 。
2.5 μs的时间测量波
I
I
PP
t
2s
t
p
= 2.5s
4/10
文档ID 16914牧师1
ESDA25LY
ESD保护由ESDA25LY
4
ESD保护由ESDA25LY
静电放电(ESD )是失败的电子系统中的一个主要原因。
瞬态电压抑制器( TVS)是用于ESD保护的理想选择。他们是
能够夹紧进入瞬变到足够低的水平,使得损坏
防止保护半导体。
表面贴装TVS阵列提供了最小的引线电感的最佳选择。
它们用作并联保护元件,连接在信号线与地之间。如
瞬时上升到高于该装置的工作电压时, TVS阵列变为低
阻抗路径转向瞬态电流到地。
该ESDA25LY阵列ESD敏感的半导体理想的板级保护
组件。
这种微小的SOT23封装使设计灵活性,高密度电路板,其中的设计
节省空间是非常宝贵的。这使得能够缩短路由,并有助于
硬化againt ESD 。
图10. ESD保护图
I / O
I / O
I / O
I / O
ESD
敏感
设备
GND
2 * ESDA25LY
文档ID 16914牧师1
5/10
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