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ESDA25B1
TRANSIL 阵列
对于ESD保护
专用分立器件
A.S.D.
应用
在那里ESD瞬态过电压保护
敏感设备是必需的,如:
- 电脑
- 打印机
- 通信系统
这是格外推荐RS232 I / O端口
保护那里的线路接口只能承受
2 kV的ESD浪涌。
特点
6 BIDIRECTIONALTRANSIL 功能
极低电容: C = 20 pF的@ V
RM
150瓦峰值脉冲功率( 8/20
s)
描述
该ESDA25B1是单片电压抑制器
为了保护元件,这些元件
连接到数据和传输线对
EDS 。
SO-8
工作原理图
I / O 1
好处
高ESD防护等级:最高可达25千伏
高集成度
适用于高密度电路板
1
2
3
4
8
7
6
5
I / O 6
I / O 5
I / O 4
GND
I / O 2
I / O 3
GND
COMPLIESWITH以下标准:
IEC 1000-4-2 : 4级
MIL STD 883C -方法3015-6 : 3级
(人体模型)
1999年10月 - 埃德: 2
1/5
ESDA25B1
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
P
PP
T
英镑
T
j
T
L
参数
静电放电
MIL STD 883C - 法3015-6
峰值脉冲功率( 8 / 20μS )
存储温度范围
最高结温
在10秒的最大无铅焊接温度的
价值
25
150
- 55至+ 150
125
260
单位
kV
W
°
C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
RM
V
BR
V
CL
I
RM
I
PP
参数
对峙电压
击穿电压
钳位电压
漏电流
峰值脉冲电流
电压温度系数
电容
动态电阻
α
T
C
Rd
类型
V
BR
分钟。
注1
V
@
马克斯。
I
R
I
RM
马克斯。
注1
A
2
@
V
RM
Rd
典型值。
注2
1.5
αT
马克斯。
注3
10
-4
/°C
9.7
C
典型值。
0V偏置
pF
15
V
30
mA
1
V
24
ESDA25B1
25
注1
:之间的任何I / O引脚和Groung
注2
:方形脉冲,则IPP = 25A , TP = 2.5μs之。
注3
:
V
BR
=
αT*
(环境温度Tamb -25°C ) * V
BR
(25°C)
2/5
ESDA25B1
计算钳位电压
使用动态电阻
该ESDA系列已被设计为快速夹紧
尖峰状ESD 。一般的PCB设计
需要容易地计算出钳位电压V
CL
.
这就是为什么我们给的动态电阻
除了经典的参数。电压
穿过保护单元可以计算出
下式:
V
CL
= V
BR
+我路
PP
WhereIpp是peakcurrent throughthe ESDAcell 。
动态电阻测量法
静电放电的持续时间短,导致我们喜欢
一个更适于测试波,如下面所定义,该
经典的8 / 20μS和10 / 1000μs潮。
I
IPP
作为动态电阻的值保持
超过20μs的,稳定的持续飙升下
2.5μS矩形调压很好地适应。此外
上升和下降时间是最优化,以避免任何
的测量过程中的寄生现象
RD 。
2s
TP = 2.5μs之
t
2.5
秒持续时间中测量波。
3/5
ESDA25B1
图。 1 :
峰值功耗与初始
结温。
PPP【 TJ初始] / PPP [ TJ初始= 25 ° C]
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
2000
1000
图。 2 :
峰值脉冲功率与指数的关系
脉冲持续时间( TJ初始= 25
°C).
的ppp (W)的
100
TJ初期( ° C)
0
25
50
75
100
125
150
10
1
TP (微秒)
10
100
图。 3 :
钳位电压对峰值脉冲
电流( TJ初始= 25
°C).
方波TP = 2.5
s.
IPP ( A)
50.0
tp=2.5s
图。 4 :
电容与反向应用
电压(典型值)。
C( pF)的
20
10
5
F=1MHz
Vosc=30mV
10.0
1.0
2
V
CL
(V)
0.1
20
25
30
35
40
45
50
55
60
V
R
(V)
1
1
2
5
10
30
图。 5 :漏电流与相对变化
结温度(典型值)。
I
R
[ TJ ] / I
R
[Tj=25°C]
200
100
10
TJ ( ° C)
1
25
50
75
100
125
4/5
ESDA25B1
订货编号
ESDA 25 B 1 RL
ESD阵列
V
BR
Bidirectionel
包装:
RL =磁带和卷轴
=管
封装: SO- 8
标记:
标识,日期代码, E25B1
包装机械数据
SO- 8塑料
REF 。
A
a1
a2
a3
b
b1
C
c1
D
E
e
e3
F
L
M
S
包装:
首选的包装带和卷轴。
重量:
0.08g.
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利用这些信息,也没有任何不侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
尺寸
MILLIMETERS
英寸
分钟。
0.1
0.65
0.35
0.19
0.25
4.8
5.8
1.27
3.81
3.8
0.4
4.0 0.15
1.27 0.016
0.6
8
°
(最大)
典型值。马克斯。分钟。
1.75
0.25 0.004
1.65
0.85 0.026
0.48 0.014
0.25 0.007
0.5 0.010
45°(typ)
5.0 0.189
6.2 0.228
0.050
0.150
0.157
0.050
0.024
典型值。马克斯。
0.069
0.010
0.065
0.033
0.019
0.010
0.020
0.197
0.244
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1999意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
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    联系人:杨小姐
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    ESDA25B1RL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
ESDA25B1RL
ST(意法)
23+
700000
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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ST/意法
24+
21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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12888
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壹芯创只做原装 正品现货
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ESDA25B1RL
ST/意法
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16800
SOP8
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ST
24+
13740
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ST
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ST
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5000
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ESDA25B1RL
ST
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9852
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ESDA25B1RL
ST
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89025
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