ESD7L5.0DT5G
瞬态电压
抑制器
ESD保护二极管与超低
电容
该ESD7L5.0DT5G旨在保护电压敏感
由于从损坏的组件中需要超应用ESD
低电容以保持信号完整性。出色的钳位
能力，低泄漏和快速的响应时间相结合，与一个
0.5 pF的超低电容二极管，以提供最佳的
保护IC损坏，由于ESD 。超小型SOT- 723
包是理想的设计电路板空间非常珍贵。该
ESD7L5.0DT5G可以用来保护两个单向线路或
1双向线路。当用于保护1双向线路，
有效电容为0.25 pF的。因为它的低电容，它
是很适合用于保护高频信号线，如
USB2.0高速和天线线应用。
规格特点：
http://onsemi.com
PIN 1阴极
2.阴极
3.阳极
1
2
3
低电容0.5 pF的典型
低钳位电压
小机身外形尺寸：
SOT723
CASE 631AA
0.047 “× 0.047 ” （1.20毫米× 1.20毫米）
低矮的车身高度： 0.020 “ （ 0.5mm）的
对峙电压： 5 V
低漏
响应时间通常是< 1.0纳秒
IEC61000-4-2 4级ESD保护
这是一个Pb - Free设备
标记图
XX M
1
XX =具体设备守则
M =日期代码
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
环氧符合UL 94 V- 0
铅表面处理：
100 ％雾锡（锡）
安装位置：
任何
合格MAX回流焊温度：
260°C
订购信息
设备
ESD7L5.0DT5G
包
SOT723
（无铅）
航运
8000 /磁带&卷轴
器件符合MSL 1的要求
最大额定值
等级
IEC 61000-4-2 （ ESD ）
联系
°P
D
°
T
英镑
T
J
T
L
在FR - 5局总功耗
（注1 ） @ T
A
= 25°C
存储温度范围
结温范围
无铅焊锡温度
最大
（持续10秒）
符号
价值
±10
150
55
+150
55
+125
260
单位
kV
mW
°C
°C
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的列开始的
本数据手册的第2页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.62英寸
参见应用笔记AND8308 / D的生存能力规格的进一步说明。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年10月，
第3版
1
出版订单号：
ESD7L5.0D/D
ESD7L5.0DT5G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
P
pk
C
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
峰值功耗
电容@ V
R
= 0且f = 1.0兆赫
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.1 V最大。 @我
F
= 10 mA，对于所有类型）
V
RWM
(V)
I
R
（MA ）
@ V
RWM
V
BR
(V)
@ I
T
（注2 ）
C（ PF）
单向
（注3）
C（ PF）
双向
（注4 ）
V
C
(V)
@ I
PP
= 1 A
（注5 ）
I
T
V
C
每
IEC61000
42
（注6 ）
图1
和2
设备
ESD7L5.0DT5G
2.
3.
4.
5.
6.
设备
记号
L6
最大
5.0
最大
1.0
民
5.4
mA
1.0
典型值
0.5
最大
0.9
典型值
0.25
最大
0.45
最大
10.4
V
BR
测量用脉冲测试电流I
T
在25 ℃的环境温度下进行。
在f单向电容= 1 MHz时，V
R
= 0 V ，T
A
= 25 ° C（引脚1到引脚3 ，引脚2到引脚3 ） 。
在f = 1 MHz时，V双向电容
R
= 0 V ，T
A
= 25 ° C（引脚1到引脚2 ） 。
按照图5浪涌电流波形。
典型波形。对于测试过程参见图3和4及应用说明AND8307 / D转换。
图1. ESD钳位电压截图
符合IEC 61000-4-2正8 kV接触
图2. ESD钳位电压截图
符合IEC 61000-4-2负8 kV接触
http://onsemi.com
2
ESD7L5.0DT5G
IEC 61000-4-2规格。
TEST
电压
（千伏）
2
4
6
8
第一个高峰
当前
(A)
7.5
15
22.5
30
电流
30纳秒（一）
4
8
12
16
电流
60纳秒（一）
2
4
6
8
我@ 60纳秒
10%
t
P
= 0.7 ns至1纳秒
我@ 30纳秒
IEC61000-4-2波形
I
PEAK
100%
90%
水平
1
2
3
4
图3. IEC61000-4-2规格
静电放电枪
TVS
示波器
50
W
电缆
50
W
图4图的ESD测试设置
以下是摘自应用笔记
AND8308/D
数据参数解读
对于ESD器件。
ESD电压钳位
对于敏感的电路元件是非常重要的，以限制
电压，一个集成电路的ESD事件期间将暴露于
到尽可能低的电压成为可能。该ESD钳位电压
是在整个ESD保护二极管上的电压降
按照IEC61000-4-2波形ESD事件。自从
IEC61000-4-2被写成一个合格/不合格规格较大
100
％的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
t
P
t
r
诸如蜂窝电话或膝上型计算机系统，它不
在规范中明确规定如何指定钳位电压
在设备级别。安森美半导体已经开发出一种方法
检查整个ESD整个电压波形
在ESD脉冲在时域中的保护二极管
形式的示波器屏幕截图，其中可以发现在
该数据表的所有的ESD保护二极管。欲了解更多
关于安森美半导体是如何创造这些信息
截图以及如何对其进行解释，请参考
AND8307/D.
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
40
吨，时间（ ms）的
60
80
图5. 8 ×20
ms
脉冲波形
http://onsemi.com
3
ESD7L5.0DT5G
包装尺寸
SOT723
CASE 631AA -01
版本C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
完成。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4.尺寸D和E不包括塑模
FLASH中，突出或毛刺。
X
b1
D
3
1
2
A
Y
E
b
2X
0.08 （ 0.0032 ） X Y
L
C
H
E
e
暗淡
A
b
b1
C
D
E
e
H
E
L
MILLIMETERS
民
喃
最大
0.45
0.50
0.55
0.15
0.21
0.27
0.25
0.31
0.37
0.07
0.12
0.17
1.15
1.20
1.25
0.75
0.80
0.85
0.40 BSC
1.15
1.20
1.25
0.15
0.20
0.25
英寸
民
喃
最大
0.018 0.020 0.022
0.0059 0.0083 0.0106
0.010 0.012 0.015
0.0028 0.0047 0.0067
0.045 0.047 0.049
0.03 0.032 0.034
0.016 BSC
0.045 0.047 0.049
0.0059 0.0079 0.0098
焊接足迹*
0.40
0.0157
0.40
0.0157
1.0
0.039
0.40
0.0157
0.40
0.0157
0.40
0.0157
尺度20:1
mm
英寸
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安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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