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ESD7381MUT5G
瞬态电压
抑制器
微型封装二极管的ESD保护
该ESD7381旨在保护电压敏感元件
需要从ESD和瞬态电压超低电容
事件。出色的钳位能力,低电容,低漏电,
和快速响应时间,使这些器件非常适合于ESD保护
设计电路板空间非常珍贵。由于其低
电容,这是适合于在高频率的设计,如采用
USB 2.0高速和天线线应用。
特点
http://onsemi.com
1
阴极
2
阳极
超低电容: 0.37 pF的
低钳位电压
小机身外形尺寸:0.97毫米× 0.30毫米
低矮的车身高度: 0.3毫米
对峙电压: 3.3 V
低漏
插入损耗: 0.030 dBm的
响应时间是< 1纳秒
低动态电阻< 1
W
IEC61000-4-2 4级ESD保护
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
记号
销1
X3DFN2
CASE 152AF
E
E
航运
5000 /磁带&卷轴
=具体设备守则
订购信息
设备
ESD7381MUT5G
X3DFN2
(无铅)
典型应用
RF信号ESD保护
RF开关,PA和天线的ESD保护
近场通信
最大额定值
等级
IEC 61000-4-2 ( ESD )
联系
空气
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
符号
价值
±20
±20
250
400
40
+125
260
单位
kV
mW
° C / W
°C
°C
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
在FR - 5局总功耗
(注1 ) @ T
A
= 25°C
热阻,结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度
最大
(持续10秒)
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1, FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.62英寸
参见应用笔记AND8308 / D的生存能力规格的进一步说明。
半导体元件工业有限责任公司, 2012
, 2012年7月
第2版
1
出版订单号:
ESD7381/D
ESD7381MUT5G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
*请参阅应用笔记AND8308 / D的详细解释
数据表中的参数。
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
反向工作电压
击穿电压(注2 )
反向漏电流
钳位电压(注3 )
钳位电压(注3 )
ESD钳位电压
结电容
动态电阻
插入损耗
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
V
C
C
J
R
DYN
I
T
= 1毫安
V
RWM
= 3.3 V
I
PP
= 1 A
I
PP
= 3 A
每IEC61000-4-2
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
V
R
= 0 V,F < 1 GHz的
TLP脉冲
F = 1 MHz的
F = 8.5 GHz的
参见图1和2
0.37
0.25
0.32
0.030
0.573
0.55
0.55
pF
W
dB
5.0
& LT ; 1.0
50
8.0
10
条件
典型值
最大
3.3
单位
V
V
nA
V
V
2.击穿电压从引脚1 2和引脚2测试1 。
3.非重复性电流脉冲在T
A
= 25℃时,每IEC61000-4-5波形。
图1. ESD钳位电压截图
对于每IEC61000-4-2正8 kV接触
图2. ESD钳位电压截图
对于每IEC61000-4-2负8 kV接触
http://onsemi.com
2
ESD7381MUT5G
1.E02
1.E03
1.E04
1.E05
C( pF)的
0
1
2
3
4
V1 (V)
5
6
7
I1 ( A)
1.E06
1.E07
1.E08
1.E09
1.E10
1.E11
1
8
9
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.5
1
1.5
2
VBIAS ( V)
2.5
3
3.5
4
图3. IV特性
1
0
1
电容(pF)
2
3
dB
4
5
6
7
8
9
10
1.E+06
1.E+07
1.E+08
频率(Hz)
1.E+09
1.E+10
0.0
0.E+00
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.6
图4. CV特性
3.3 V
0V
5.E+08 1.E+09
2.E+09
2.E+09 3.E+09 3.E+09
频率
图5.射频插入损耗
图6.电容在频率
35
30
25
电流(A )
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
电流(A )
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
电压(V)的
电压(V)的
图7.正TLP的I-V曲线
图8.负的TLP的I-V曲线
http://onsemi.com
3
ESD7381MUT5G
IEC 61000-4-2规格。
TEST
电压
(千伏)
2
4
6
8
第一个高峰
当前
(A)
7.5
15
22.5
30
电流
30纳秒(一)
4
8
12
16
电流
60纳秒(一)
2
4
6
8
我@ 60纳秒
10%
t
P
= 0.7 ns至1纳秒
我@ 30纳秒
IEC61000-4-2波形
I
PEAK
100%
90%
水平
1
2
3
4
图9. IEC61000-4-2规格
静电放电枪
TVS
示波器
50
W
电缆
50
W
的ESD测试设置如图10图
ESD电压钳位
对于敏感的电路元件是非常重要的,以限制
电压,一个集成电路的ESD事件期间将暴露于
到尽可能低的电压成为可能。该ESD钳位电压
是在整个ESD保护二极管上的电压降
按照IEC61000-4-2波形ESD事件。自从
IEC61000-4-2被写成一个合格/不合格规格较大
诸如蜂窝电话或膝上型计算机系统,它不
在规范中明确规定如何指定钳位电压
100
%的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
t
P
t
r
在设备级别。安森美半导体已经开发出一种方法
检查整个ESD整个电压波形
在ESD脉冲在时域中的保护二极管
形式的示波器屏幕截图,其中可以发现在
该数据表的所有的ESD保护二极管。欲了解更多
关于安森美半导体是如何创造这些信息
截图以及如何对其进行解释,请参考
AND8307/D.
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
40
吨,时间( ms)的
60
80
图11. 8 ×20
ms
脉冲波形
http://onsemi.com
4
ESD7381MUT5G
包装尺寸
X3DFN2 , 0.62x0.32 , 0.355P , ( 0201 )
CASE 152AF -01
发行
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:毫米。
暗淡
A
A1
b
D
E
e
L
MILLIMETERS
最大
0.25
0.33
0.05
0.22
0.28
0.62 BSC
0.32 BSC
0.355 BSC
0.17
0.23
销1
指标
(可选)
2X
D
A B
0.035 C
2X
0.035 C
顶视图
0.05 C
A
E
2X
0.05 C
A1
SIDE VIEW
C
座位
飞机
推荐
安装印迹*
0.74
1
0.30
2X
e
1
2
2X
b
2X
0.31
外形尺寸:毫米
2X
L
底部视图
0.05
M
C A B
0.05
M
C A B
参见应用笔记AND8398 / D的详细安装细节
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC拥有的权利,拥有多项专利,商标,
著作权,商业秘密和其他知识产权。 SCILLC的产品/专利覆盖的上市可能在www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf访问。 SCILLC
保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证,声明或担保
特定用途,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何责任,包括但
不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表和/或规格提供“典型”参数,并会根据不同的应用
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权使用的组件用于系统
外科植入到体内,或用于支持或维持生命,或其他应用程序的任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成一种情况,
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零件。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
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303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
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orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
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欧洲,中东和非洲技术支持:
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日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5817-1050
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
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ESD7381/D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ESD7381MUT5G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ESD7381MUT5G
ON/安森美
21+
10000
DFN
全新原装正品/质量有保证
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
ESD7381MUT5G
ON
21+
50000
X3DFN2
只做原装实单申请
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制
电话:0755-23915992/23140719
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
ESD7381MUT5G
ON
24+
68500
X3DFN2
一级代理/放心采购
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联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
ESD7381MUT5G
ON/安森美
2418+
9000
DFN
正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:0755-82731800
联系人:付先生
地址:深圳市福田区振华路118号华丽装饰大厦2栋2单元320室
ESD7381MUT5G
ON
24+
50000
X3DFN2
只做原装正品
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
ESD7381MUT5G
ON
2019
79600
DSN
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
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ESD7381MUT5G
ON
50000
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原包装原标现货,假一罚十,
0.1
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电话:755-83252273
联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
ESD7381MUT5G
PTIF
23+
16800
SCP0000001
绝对全新原装/自己库存现货
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
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ESD7381MUT5G
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22+
60000
原装现货超低价,可拆包
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联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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MICROCH
24+
18650
SSOP-20
原装新到货,公司现货
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