ESD7016 ， SZESD7016
低电容ESD
保护USB3.0
在ESD7016瞬态电压抑制器是专门设计
为了保护USB3.0接口，通过集成两个超高速双， D + ，
D-和Vbus用线成一个单一的防护产品。超低价
电容和低ESD钳位电压，使该器件理想
溶液用于保护电压敏感的高速数据线路。该
直通式的封装设计，便于PCB布局和匹配
走线长度要保持一致的阻抗
高速差分线路。
特点
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记号
图
UDFN8
CASE 517CB
1
6M MG
G
低电容（ 0.15 pF的典型， I / O至GND ）
保护以下IEC标准：
IEC 61000-4-2 （4级）
低ESD钳位电压
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
这是一个Pb - Free设备
典型应用
6M =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚配置
和原理图
I / O 1
I / O 2
N / C
VBUS或接地
I / O 3
USB 3.0
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
工作结温范围
存储温度范围
无铅焊锡温度
最大（ 10秒）
IEC 61000-4-2接触（ ESD ）
IEC 61000-4-2空气（ ESD ）
符号
T
J
T
英镑
T
L
ESD
ESD
价值
55
+125
55
+150
260
±15
±15
单位
°C
°C
°C
kV
kV
N / C
I / O 4
I / O 5
I / O 6
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
ESD7016MUTAG
SZESD7016MUTAG
包
UDFN8
（无铅）
UDFN8
（无铅）
航运
3000 /磁带&
REEL
3000 /磁带&
REEL
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
五月， 2013
第3版
1
出版订单号：
ESD7016/D
ESD7016 ， SZESD7016
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
反向工作电压
击穿电压
反向漏电流
钳位电压（注1 ）
钳位电压（注2 ）
钳位电压
TLP （注3）
请参阅图6至图9
结电容
结电容
区别
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
V
C
I / O引脚与GND
I
T
= 1毫安， I / O引脚与GND
V
RWM
= 5 V ， I / O引脚与GND
I
PP
= 1 A，I / O引脚与GND （ 8 ×20
ms
脉冲）
IEC6100042,
±8
KV联系
I
PP
=
±8
A
I
PP
=
±16
A
V
R
= 0 V ， F = 1 I / O引脚与GND之间兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1 I / O引脚与GND之间兆赫
参见图1和2
14.6
20.5
0.15
0.03
0.20
pF
pF
5.5
1.0
10
条件
民
典型值
最大
5.0
单位
V
V
mA
V
V
C
J
DC
J
按照图5 1.浪涌电流波形。
2.对于测试过程参见图3和4及应用指南AND8307 / D转换。
3. ANSI / ESD STM5.5.1
静电放电敏感度测试使用传输线路脉冲（ TLP ）模型。
TLP条件位：Z
0
= 50
W,
t
p
= 100纳秒，T
r
= 4纳秒，平均窗;吨
1
= 30 ns至吨
2
= 60纳秒。
90
80
70
电压（V）的
电压（V）的
0
20
40
60
时间（纳秒）
80
100
120
140
60
50
40
30
20
10
0
10
20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
20
0
20
40
60
时间（纳秒）
80
100
120
140
图1. IEC61000-4-2 8 kV接触
钳位电压
图2. IEC61000-4-2
8
KV联系
钳位电压
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2
ESD7016 ， SZESD7016
IEC 61000-4-2规格。
TEST
电压
（千伏）
2
4
6
8
第一个高峰
当前
(A)
7.5
15
22.5
30
电流
30纳秒（一）
4
8
12
16
电流
60纳秒（一）
2
4
6
8
我@ 60纳秒
10%
t
P
= 0.7 ns至1纳秒
我@ 30纳秒
IEC61000-4-2波形
I
PEAK
100%
90%
水平
1
2
3
4
图3. IEC61000-4-2规格
静电放电枪
TVS
示波器
50
W
电缆
50
W
图4图的ESD钳位电压测试设置
以下是摘自应用笔记
AND8308/D
数据参数解读
对于ESD器件。
ESD电压钳位
对于敏感的电路元件是非常重要的，以限制
电压，一个集成电路的ESD事件期间将暴露于
到尽可能低的电压成为可能。该ESD钳位电压
是在整个ESD保护二极管上的电压降
按照IEC61000-4-2波形ESD事件。自从
IEC61000-4-2被写成一个合格/不合格规格较大
100
％的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
t
P
t
r
诸如蜂窝电话或膝上型计算机系统，它不
在规范中明确规定如何指定钳位电压
在设备级别。安森美半导体已经开发出一种方法
检查整个ESD整个电压波形
在ESD脉冲在时域中的保护二极管
形式的示波器屏幕截图，其中可以发现在
该数据表的所有的ESD保护二极管。欲了解更多
关于安森美半导体是如何创造这些信息
截图以及如何对其进行解释，请参考
AND8307 / D和AND8308 / D 。
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
40
吨，时间（ ms）的
60
80
图5. 8 ×20
ms
脉冲波形
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3
ESD7016 ， SZESD7016
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26
电压（V）的
电流（A ）
电流（A ）
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26
电压（V）的
图6.正TLP的I-V曲线
传输线路脉冲（ TLP ）测量
图7.负的TLP的I-V曲线
传输线路脉冲（ TLP ）提供电流对
得到的每个数据点，其中电压（ I-V）曲线
从100纳秒长的矩形脉冲从充电
传输线。一个典型的TLP的简化原理图
系统示于图的ESD 8. TLP的I-V曲线
保护装置准确地展示产品的
ESD能力，因为安培电流水平的10S和
在100纳秒的时间尺度相匹配的ESD事件。这
示于图9 ，其中有8千伏IEC 61000-4-2
电流波形与TLP的电流脉冲，在比较
8 A和16 A.一个TLP I-V曲线显示电压处
该装置接通以及该设备如何以及夹
电压在一定范围内的电流水平。
L
50
W
哄
电缆
S
衰减器
÷
10兆瓦
I
M
50
W
哄
电缆
V
M
V
C
示波器
DUT
一个典型的TLP图8.原理示意图
系统
图9.设置比较8千伏IEC 61000-4-2和8 A和16 A TLP波形
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4
ESD7016 ， SZESD7016
没有ESD7016
随着ESD7016
图10. USB3.0眼图具有和不具有ESD7016 ， 5 Gb / s的
4
S21插入损耗（dB ）
2
0
2
4
6
8
10
1.E+06
ESD7016
IO- GND
1.E+07
1.E+08
频率（Hz）
1.E+09
1.E+10
图11. ESD7016插入损耗
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5
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