ESD5482MUT5G
瞬态电压
抑制器
微型封装二极管的ESD保护
该ESD5482旨在保护电压敏感元件
从ESD 。出色的钳位能力，低泄漏，快
响应时间，提供了同类最佳的保护上都设计
暴露在静电放电。因为它的尺寸小，这部分是适合于
在蜂窝电话， MP3播放器，数码相机和许多其他使用
便携式应用中的电路板空间都非常昂贵。
规格特点
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1
阴极
2
阳极
低电容5 pF的
低钳位电压
小机身外形尺寸：0.97毫米× 0.30毫米
低矮的车身高度： 0.3毫米
对峙电压： 3.3 V
低漏
响应时间是< 1纳秒
IEC61000-4-2 4级ESD保护
IEC61000-4-4第4级EFT保护
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
记号
图
销1
X3DFN2
CASE 152AF
J
M
J
=具体设备守则
（旋转90 °顺时针）
订购信息
设备
ESD5482MUT5G
包
X3DFN2
（无铅）
航运
15000 /
磁带&卷轴
机械特性
安装位置：
任何
合格MAX回流焊温度：
260°C
器件符合MSL 1的要求
最大额定值
等级
IEC 61000-4-2 （ ESD ）
联系
空气
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
符号
价值
±10
±10
300
400
55
+150
260
单位
kV
mW
° C / W
°C
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
在FR - 5局总功耗
（注1 ） @ T
A
= 25°C
热阻，结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度
最大
（持续10秒）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0 X 0.75 X 0.62英寸
参见应用笔记AND8308 / D的生存能力规格的进一步说明。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年10月
第0版
1
出版订单号：
ESD5482/D
ESD5482MUT5G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
I
PP
I
T
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
I
R
V
RWM
V
BR
V
C
I
T
I
PP
I
V
*请参阅应用笔记AND8308 / D的详细解释
数据表中的参数。
双向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向工作电压
击穿电压
反向漏电流
钳位电压
ESD钳位电压
结电容
动态电阻
插入损耗
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
C
J
R
DYN
I
T
= 1毫安（注2）
V
RWM
= 3.3 V
I
PP
= 1 （注3 ）
每IEC61000-4-2
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1 GHz的
TLP脉冲
F = 1 MHz的
F = 8.5 GHz的
5.0
<1
7.8
50
9.1
条件
民
典型值
最大
3.3
单位
V
V
nA
V
参见图1和2
5.0
5.0
0.60
0.20
0.56
7.0
7.0
pF
W
dB
2.击穿电压从引脚1 2和引脚2测试1 。
3.非重复性的电流脉冲，在25℃ ，每IEC61000-4-5波形。
图1. ESD钳位电压截图
对于每IEC61000-4-2正8 kV接触
图2. ESD钳位电压截图
对于每IEC61000-4-2负8 kV接触
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2
ESD5482MUT5G
典型特征
1E02
1E03
1E04
1E05
C（ pF）的
I（A ）
1E06
1E07
1E08
1E09
1E10
1E11
9 8 7 6 5 4 3 2 1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
V (V)
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
4
3
2
1
0
VBIAS （ V）
1
2
3
4
图3. IV特性
3
0
3
6
9
（ dB）的
12
15
18
21
24
27
电容（pF）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
图4. CV特性
0V
1E+06
1E+07
1E+08
1E+09
3.3 V
2
0
0E+00 5E+08 1E+09 1.5E+09 2E+09 2.5E+09 3E+09
频率（Hz）
频率（Hz）
图5.射频插入损耗
16
14
12
电流（A ）
电流（A ）
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
图6.电容在频率
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
电压（V）的
电压（V）的
图7.正TLP的I-V曲线
图8.负的TLP的I-V曲线
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3
ESD5482MUT5G
IEC 61000-4-2规格。
TEST
电压
（千伏）
2
4
6
8
第一个高峰
当前
(A)
7.5
15
22.5
30
电流
30纳秒（一）
4
8
12
16
电流
60纳秒（一）
2
4
6
8
我@ 60纳秒
10%
t
P
= 0.7 ns至1纳秒
我@ 30纳秒
IEC61000-4-2波形
I
PEAK
100%
90%
水平
1
2
3
4
图9. IEC61000-4-2规格
静电放电枪
TVS
示波器
50
W
电缆
50
W
的ESD测试设置如图10图
以下是摘自应用笔记
AND8308/D
数据参数解读
对于ESD器件。
ESD电压钳位
对于敏感的电路元件是非常重要的，以限制
电压，一个集成电路的ESD事件期间将暴露于
到尽可能低的电压成为可能。该ESD钳位电压
是在整个ESD保护二极管上的电压降
按照IEC61000-4-2波形ESD事件。自从
IEC61000-4-2被写成一个合格/不合格规格较大
100
％的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
t
P
t
r
诸如蜂窝电话或膝上型计算机系统，它不
在规范中明确规定如何指定钳位电压
在设备级别。安森美半导体已经开发出一种方法
检查整个ESD整个电压波形
在ESD脉冲在时域中的保护二极管
形式的示波器屏幕截图，其中可以发现在
该数据表的所有的ESD保护二极管。欲了解更多
关于安森美半导体是如何创造这些信息
截图以及如何对其进行解释，请参考
AND8307/D.
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
40
吨，时间（ ms）的
60
80
图11. 8 ×20
ms
脉冲波形
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4
ESD5482MUT5G
包装尺寸
X3DFN2 ， 0.62x0.32 ， 0.355P ， （ 0201 ）
CASE 152AF
发行
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
A1
b
D
E
e
L
MILLIMETERS
民
最大
0.25
0.33
0.05
0.22
0.28
0.62 BSC
0.32 BSC
0.355 BSC
0.17
0.23
销1
指标
（可选）
2X
D
A B
0.035 C
2X
0.035 C
顶视图
0.05 C
A
E
2X
0.05 C
A1
SIDE VIEW
C
座位
飞机
推荐
安装印迹*
0.74
1
0.30
2X
e
1
2
2X
b
2X
0.31
外形尺寸：毫米
2X
L
底部视图
0.05
M
C A B
0.05
M
C A B
参见应用笔记AND8398 / D的详细安装细节
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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