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1.5V驱动P沟道+ SBD MOSFET

ES6U1

结构

硅P沟道MOSFET /

肖特基二极管

特点

1 ） P沟道MOSFET和肖特基势垒二极管

被放入WEMT6包。

2 ）高速开关，低导通电阻。

3 ）低电压驱动（ 1.5V驱动器）。

4 ）内置低V

F

肖特基势垒二极管。

尺寸

（单位：毫米）

WEMT6

(6)

(5)

(4)

(1)

(2)

(3)

缩写符号： U01

应用

开关

内部电路

(6)

(5)

(4)

包装规格

包

TYPE

ES6U1

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

T2R

8000

(1)

1

ESD保护二极管

2

体二极管

1

(2)

(3)

2

（ 1 ）门

（ 2 ）资料来源

（3 ）阳极

（4 ）阴极

（ 5 ）排水管

（ 6 ）排水

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

<MOSFET>

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

通道温度

功耗

1

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

2

安装在陶瓷基板

连续

脉冲

连续

脉冲

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DP

1

I

S

I

SP

1

总胆固醇

P

D

2

范围

12

±10

±1.3

±2.6

0.5

2.6

150

0.7

单位

V

V

A

A

A

A

°C

W /元

<Di>

参数

反向重复峰值电压

反向电压

正向电流

正向电流浪涌峰值

结温

功耗

1

60Hz的回循环

2

安装在陶瓷基板

符号

V

RM

V

R

I

F

I

FSM

Tj

P

D

1

范围

25

20

0.5

2.0

150

0.5

单位

V

V

A

A

°C

W /元

2

<MOSFET和Di>

参数

功耗

储存温度范围

安装在陶瓷基板

符号

P

D

TSTG

范围

0.8

55

to

+150

单位

W / TOTAL

°C

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2009.10 - Rev.A的

ES6U1

电气特性

(Ta=25°C)

<MOSFET>

参数

符号

分钟。

典型值。

190

280

400

530

290

28

21

8

10

30

9

2.4

0.6

0.4

马克斯。

±10

1

1.0

260

390

600

1060

单位

A

V

A

V

m

m

m

m

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

条件

V

GS

=

±10V,

V

DS

=0V

I

D

=

1mA,

V

GS

=0V

V

DS

=

12V,

V

GS

=0V

V

DS

=

6V,

I

D

=

1mA

I

D

=

1.3A,

V

GS

=

4.5V

I

D

=

0.6A,

V

GS

=

2.5V

I

D

=

0.6A,

V

GS

=

1.8V

I

D

=

0.2A,

V

GS

=

1.5V

V

DS

=

6V,

I

D

=

1.3A

V

DS

=

6V

V

GS

= 0V

F = 1MHz的

V

DD

6

V

I

D

=

0.6A

V

GS

=

4.5V

R

L

10

R

G

= 10

R

L

4.6

V

DD

6V

R

G

= 10

I

D

=

1.3A

V

GS

=

4.5V

数据表

I

GSS

栅源漏

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

12

零栅极电压漏极电流

I

DSS

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

0.3

静态漏源导通状态

R

DS （ ON）

阻力

正向转移导纳

Y

fs

1.4

输入电容

C

国际空间站

输出电容

C

OSS

反向传输电容

C

RSS

导通延迟时间

t

D（上）

上升时间

t

r

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

下降时间

t

f

总栅极电荷

Q

g

栅极 - 源电荷

Q

gs

栅极 - 漏极电荷

Q

gd

*脉冲

<MOSFET>体二极管（源极 - 漏极）

参数

符号最小值。

正向电压

*脉冲

典型值。

马克斯。

1.2

V

SD

单位

V

条件

I

S

=

1.3A,

V

GS

=0V

<Di>

参数

正向电压

反向电流

符号

V

F

I

R

分钟。

典型值。

马克斯。

0.36

0.52

100

单位

V

V

A

I

F

= 0.1A

I

F

= 0.5A

V

R

= 20V

条件

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ES6U1

电气特性曲线

2

漏电流： -I

D

[A]

Ta=25°C

脉冲

2

V

GS

= -10V

V

GS

= -4.5V

V

GS

= -2.5V

V

GS

= -1.8V

1

V

GS

= -1.5V

0.5

V

GS

= -1.2V

V

GS

= -1.0V

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

0

0

2

4

6

8

10

0.001

0

0.5

1

1.5

2

V

GS

= -4.5V

V

GS

= -2.5V

V

GS

= -1.8V

Ta=25°C

脉冲

漏电流： -I

D

[A]

10

V

DS

= -6V

脉冲

数据表

漏电流： -I

D

[A]

1.5

1.5

1

TA = 125℃

TA = 75℃

TA = 25℃

TA = - 25℃

1

V

GS

= -1.5V

0.1

0.5

V

GS

= -1.2V

0.01

漏源电压： -V

DS

[V]

图1典型的输出特性（

Ⅰ

)

漏源电压： -V

DS

[V]

图2典型的输出特性（

Ⅱ

)

栅源电压： -V

GS

[V]

图3典型的传输特性

10000

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS

（开） [米

]

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS

（开） [米

]

1000

1000

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS

（开） [米

]

Ta=25°C

脉冲

10000

V

GS

= -4.5V

脉冲

10000

V

GS

= -2.5V

脉冲

1000

100

V

GS

= -1.5V

V

GS

= -1.8V

V

GS

= -2.5V

V

GS

= -4.5V

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

0.1

1

10

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

0.1

1

10

10

0.01

0.1

1

10

10

0.01

10

0.01

漏电流： -I

D

[A]

图4静态漏源导通状态

电阻与漏电流（

Ⅰ

)

漏电流： -I

D

[A]

图5静态漏源导通状态

电阻与漏电流（

Ⅱ

)

漏电流： -I

D

[A]

图6静态漏源导通状态

电阻与漏电流（

Ⅲ

)

1000

1000

正向转移导纳： | YFS | [S ]

10000

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS

（开） [米

]

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS

（开） [米

]

V

GS

= -1.8V

脉冲

10000

V

GS

= -1.5V

脉冲

10

V

DS

= -6V

脉冲

1

TA = -25C

Ta=25°C

Ta=75°C

Ta=125°C

0.1

0.01

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

10

0.01

0.1

1

10

10

0.01

0.1

1

10

0.1

1

10

漏电流： -I

D

[A]

图7静态漏源导通状态

电阻与漏电流（

Ⅳ

)

漏电流： -I

D

[A]

图8静态漏源导通状态

电阻与漏电流（

Ⅴ

)

漏电流： -I

D

[A]

图9正向转移导纳

与漏电流

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2009.10 - Rev.A的

ES6U1

10

反向漏电流： -Is [ A]

600

静态漏源导通状态

电阻值：R

DS

（开） [米

]

V

GS

=0V

脉冲

500

400

300

200

100

0

0

0.5

1

1.5

0

2

4

6

8

10

I

D

= -0.6A

I

D

= -1.3A

切换时间： T [ NS ]

Ta=25°C

脉冲

1000

t

f

100

t

d

（关闭）

数据表

1

Ta=25°C

V

DD

= -6V

V

GS

= -4.5V

R

G

=10

脉冲

0.1

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

Ta=-25°C

10

t

r

1

0.01

0.1

t

d

（上）

0.01

1

10

源极 - 漏极电压： -V

SD

[V]

图10反向漏电流

与水稻源极 - 漏极电压

栅源电压： -V

GS

[V]

图11静态漏源导通状态

电阻与栅源电压

漏电流： -I

D

[A]

图12开关特性

5

栅源电压： -V

GS

[V]

1000

4

电容： C [ pF的]

100

西塞

3

2

Ta=25°C

V

DD

= -6V

I

D

= -1.3A

R

G

=10

脉冲

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

10

科斯

CRSS

Ta=25°C

f=1MHz

V

GS

=0V

0.01

0.1

1

10

100

1

0

1

总栅极电荷：的Qg [ NC ]

图13动态输入特性

漏源电压： -V

DS

[V]

图14典型电容

与漏源电压

<Di>

100000

10000

反向电流：我

R

(A)

1000

100

10

1

0.1

0.01

0

5

10

15

20

25

反向电压： V

R

[V]

图1的反向电流比。反向电压

TA = - 25

℃

TA = 75

℃

TA = 25

℃

脉冲

正向电流：我

F

(A)

1

脉冲

0.1

TA = 75

℃

TA = 25

℃

0.01

TA = - 25

℃

0.001

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

正向电压： V

F

[V]

图2正向电流与正向电压

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ES6U1

测量电路

脉冲宽度

I

D

V

GS

R

L

D.U.T.

R

G

V

DD

V

DS

数据表

V

GS

10%

50%

10%

90%

50%

10%

90%

t

D（关闭）

t

关闭

tf

V

DS

t

D（上）

90%

t

r

t

on

图1-1开关时间测量电路

图1-2的开关波形

V

G

I

D

V

GS

I

G（常量）。

D.U.T.

R

L

V

DS

Q

g

V

GS

Q

gs

Q

gd

R

G

V

DD

收费

图2-1栅极电荷测量电路

图2-2栅极电荷波形

通告

1. SBD具有大的反向泄漏电流相对于其他类型的二极管。因此，它会引起结温，以及

增加一个反向功率损耗。库内温度的进一步上升会导致热失控。

这个内置的SBD具有低V

F

的特性，因此，更高的泄漏电流。请考虑足够的周围

温度，产生MOSFET的热和反向电流。

2.本产品可能会造成较大的电气化环境下芯片的老化和损坏。请考虑ESD设计

保护电路。

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WEMT6

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联系人：陈佳隆

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